一种光源的制备方法与流程

技术特征：
1.一种光源的制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供发射峰值波长360～490nm的第一半导体芯片(2)，以用于激发发射峰值波长位于410～900nm范围内的荧光粉(4)，从而形成具有白光色温范围的第一发光单元，其中，所述第一发光单元位于360～800nm波长范围内的光谱辐亮度按照逐渐增大至中间部分波段再减小的方式进行变化，所述第一发光单元位于400～480nm波长范围内的光谱能量最大峰值点小于等于其在640～780nm波长范围内的光谱能量最小峰值点，所述第一发光单元的光谱包括至少两个用于区分能量波动程度和/或分布能力的分割点，其中，分割点两侧的光谱的形状至少为：在分割点的两侧的第一区间内，能量谱线上任一一点发出的平行于波段轴线的射线能够与能量谱线及经过该分割点并与波段轴线垂直的射线形成一个封闭区域。2.一种光源的制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供发射峰值波长360～490nm的第一半导体芯片(2)和发射峰值波长700
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800nm的第二半导体芯片(3)，将所述第一半导体芯片(2)和第二半导体芯片(3)经并联或者串联后以用于激发发射峰值波长位于410～900nm范围内的荧光粉(4)，从而形成具有白光色温范围的第二发光单元，其中，所述第二发光单元位于360～800nm波长范围内的光谱辐亮度按照逐渐增大至中间部分波段再减小的方式进行变化，所述第二发光单元位于400～480nm波长范围内的光谱能量最大峰值点小于等于其在640～780nm波长范围内的光谱能量最小峰值点，所述第二发光单元的光谱包括至少两个用于区分能量波动程度和/或分布能力的分割点，其中，分割点两侧的光谱的形状至少为：在除能量谱线边界端点之外的任一分割点和其相邻两侧分割点各自所在轴线与能量谱线所形成的光谱区间内，至少能够形成两个彼此面积不相同的封闭区域。3.一种光源的制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供利用发射峰值波长360～490nm的第一半导体芯片(2)，以用于激发发射峰值波长位于410～900nm范围内的荧光粉(4)，从而形成具有白光色温范围的第一发光单元，或提供发射峰值波长360～490nm的第一半导体芯片(2)和发射波长700
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800nm的第二半导体芯片(3)，将所述第一半导体芯片(2)和第二半导体芯片(3)经并联或者串联后以用于激发发射峰值波长位于410～900nm范围内的荧光粉(4)，从而形成具有白光色温范围的第二发光单元，其中，所述第一发光单元和第二发光单元位于360～800nm波长范围内的光谱辐亮度按照逐渐增大至中间部分波段再减小的方式进行变化，所述第一发光单元和第二发光单元位于400～480nm波长范围内的光谱能量最大峰值点小于等于其在640～780nm波长范围内的光谱能量最小峰值点，其中，所述第一发光单元和第二发光单元位于400
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480nm波长范围内的光谱辐亮度占整个光谱辐亮度的2％～30％，和所述第一发光单元和第二发光单元位于640
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780nm波长范围内的光谱辐亮度占整个光谱辐亮度的30％～90％。
4.根据前述权利要求之一所述的制备方法，其特征在于，所述光谱在360nm～800nm波长范围内包括至少六个发射峰，其中，位于640nm～755nm波长范围内的发射峰的峰值强度最大，位于360nm～480nm波长范围内的发射峰的峰值强度最小，且其发射峰的峰值强度之比为在1％～50％。5.根据前述权利要求之一所述的制备方法，其特征在于，所述光谱在640nm～780nm波长范围内包括至少两个发射峰，其中，位于640nm～755nm波长范围内的发射峰与位于720nm～780nm波长范围内的发射峰各自所对应的光谱辐亮度的最大峰值相同，和位于640nm～755nm波长范围内的发射峰的光谱辐亮度的最小峰值小于位于720nm～780nm波长范围内的发射峰的光谱辐亮度的最小峰值。6.根据前述权利要求之一所述的制备方法，其特征在于，将至少一个所述第一发光单元、第二发光单元和/或第二半导体芯片(3)通过焊线彼此间隙组合连接至相邻芯片和/或板体(1)表面的凹槽处，通过固晶材料和/或封胶材料将所述第一发光单元、第二发光单元和第二半导体芯片(3)形成的发光组件固定至板体(1)安装区域内，覆盖一能够透过360nm以上波长范围的光线的均光装置(5)，以形成能够发出连续光谱及辐亮度光线的所述光源。7.根据前述权利要求之一所述的制备方法，其特征在于，所述方法还包括配胶、点胶及烘烤，其中，配胶是指利用搅拌装置和/或手动搅拌将基于试验所得配比进行混合后的硅胶与荧光粉通过搅拌抽真空的方式以使其充分混合从而至少呈均匀无气泡的状态，点胶是指基于对光源色温的漂移程度的判断，在按照物料要求提前作好烘烤除湿的支架的相对应位置处点上定量的用于密封芯片和/或发光单元的胶体，将点胶完毕后的半成品光源在一定的温度和时间下进行烘烤。8.根据前述权利要求之一所述的制备方法，其特征在于，所述荧光粉(4)优选的发射峰值波长为500
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600nm、600
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700nm和/或700
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800nm。9.根据前述权利要求之一所述的制备方法，其特征在于，所述第一半导体芯片(2)优选的发射峰值波长为380
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470nm。10.一种灯具，其特征在于，所述灯具包括电源、led光源、光学透镜、散热主体及灯罩，其中，所述led光源至少包括彼此排列组合的第一发光单元、第二发光单元及第二半导体芯片(3)，其中，所述第一发光单元是由发射峰值波长360～490nm的第一半导体芯片(2)通过激发发射峰值波长位于410～900nm范围内的荧光粉(4)所形成的具有白光色温范围的发光单元，和所述第二发光单元是由发射峰值波长360～490nm的第一半导体芯片(2)和发射波长700
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800nm的第二半导体芯片(3)经并联或者串联后通过激发发射峰值波长位于410～900nm范围内的荧光粉(4)所形成的具有白光色温范围的发光单元。

技术总结
本发明涉及一种光源的制备方法以及由该光源制造的灯具，该方法包括：提供发射峰值波长360～490nm的第一半导体芯片，以用于激发发射峰值波长位于410～900nm范围内的荧光粉，形成具有白光色温范围的第一发光单元，其中，第一发光单元位于360～800nm波长范围内的光谱辐亮度按照逐渐增大至中间部分波段再减小的方式进行变化，该第一发光单元位于400～480nm波长范围内的光谱能量最大峰值点小于等于其在640～780nm波长范围内的光谱能量最小峰值点，该第一发光单元的光谱包括至少两个用于区分能量波动程度和/或分布能力的分割点，其中，分割点两侧的光谱的形状至少为：在分割点的两侧的第一区间内，能量谱线上任一一点发出的平行于波段轴线的射线能够与能量谱线及经过该分割点的射线形成一封闭区域。分割点的射线形成一封闭区域。分割点的射线形成一封闭区域。


技术研发人员：李成宇 韩松林 王朝伟 张洪杰
受保护的技术使用者：中科稀土（长春）有限责任公司
技术研发日：2021.07.30
技术公布日：2021/11/2