一种工艺炉真空系统及半导体生产设备的制作方法

本技术涉及半导体工艺，特别涉及一种工艺炉真空系统及半导体生产设备。

背景技术：

1、sic材料具有极高的化学稳定性和硬度，这种特性使其在高温、高压环境下更稳定，但也导致传统硅基工艺难以直接应用，离子注入后需要在工艺炉内进行加热，以便激活其电活性，即退火，温度高达2000℃，一般金属电阻丝难以满足使用要求，以非金属电阻石墨加热器为例，不可在大气环境下直接加热使用，加热器位于反应炉的工艺腔外的夹套腔内，为此，需要对夹套腔抽真空并通入惰性气体气氛来保护加热器不被氧化；而工艺炉的工艺腔也需要抽真空后才能进行退火处理；另外，工艺炉工作时，炉门需要具有较好的密封，炉门关闭时需要抽真空，以保护设备运行状态下的安全，而开门时需要破真空，以便于门的顺利打开。

2、所以，工艺炉多个部位需要进行真空控制，如果每各需要真空控制的部位均采用一套独立的真空控制设备，则会使得设备结构复杂，成本增加。

技术实现思路

1、为解决上述至少一种技术问题，一方面，本实用新型提供了一种工艺炉真空系统，利用只有一个真空泵的管路系统实现对工艺炉多个部位的真空控制，具有结构简单，控制方便等优点。

2、另一方面，本实用新型还提出一种具有所述工艺炉真空系统的半导体生产设备。

3、本实用新型采用的技术方案是，设计一种工艺炉真空系统，包括一真空泵、及连通所述真空泵与工艺炉的管路系统，所述工艺炉包括工艺腔、夹套腔及炉门密封腔，所述管路系统包括连通所述工艺腔的炉管支路、连通所述夹套腔的夹套支路及连通所述炉门密封腔的炉门支路、以及设置在各支路上的检测装置及控制阀。

4、在某些实施方式中，所述夹套支路上设置有流量调节阀，所述流量调节阀与所述夹套腔之间连通有泄压支路，所述泄压支路上设置有泄压组件。

5、在某些实施方式中，所述炉管支路上设置有流量调节阀，所述流量调节阀与所述工艺腔之间连通有泄压支路，所述泄压支路上设置有泄压组件。

6、在某些实施方式中，所述流量调节阀为双极气动角阀。

7、在某些实施方式中，所述炉门支路上设置有单向阀及气动阀，所述气动阀打开的情况下，所述真空泵抽真空时所述单向阀打开；所述单向阀与所述炉门密封腔之间连通有泄压支路，所述泄压支路上设置有泄压组件。

8、在某些实施方式中，所述泄压组件包括泄压阀及与所述泄压阀连通的过滤器。

9、在某些实施方式中，所述泄压组件包括气动阀及单向阀，所述气动阀打开的情况下，所述泄压支路的气压达到设定压力时，所述单向阀打开。

10、在某些实施方式中，所述泄压组件包括压力监测器。

11、在某些实施方式中，所述真空泵通过一根主管与各支路连通，所述主管上设置有检测主管压力的压力检测器。

12、一种半导体生产设备，包括所述的工艺炉真空系统。

13、与现有技术相比，本实用新型具有以下有益效果：

14、本实用新型通过在工艺炉的工艺腔、夹套腔及炉门密封腔分别设置支路，并利用单一真空泵及主管与各支路连通，配合流量调节阀、泄压组件及压力监测器，实现多部位的真空抽气、充气破真空及超压保护。各支路通过真空规与压力表实时监测压力，并通过气动阀、单向阀的切换实现精确流量调节与安全泄压，既能避免因快速抽气造成的颗粒扰动，又可缩短达到高真空的时间，同时在充气过程中防止超压损坏。主管设置压力检测器用于整体真空度监控，并通过kf接口实现支路的灵活连接，简化结构、降低成本。整体方案结构紧凑、控制精准，显著提升工艺炉真空系统的安全性、可靠性及运行效率。

1.一种工艺炉真空系统，其特征在于，包括一真空泵、及连通所述真空泵与工艺炉的管路系统，所述工艺炉包括工艺腔、夹套腔及炉门密封腔，所述管路系统包括连通所述工艺腔的炉管支路、连通所述夹套腔的夹套支路及连通所述炉门密封腔的炉门支路、以及设置在各支路上的检测装置及控制阀。

2.根据权利要求1所述的工艺炉真空系统，其特征在于，所述夹套支路上设置有流量调节阀，所述流量调节阀与所述夹套腔之间连通有泄压支路，所述泄压支路上设置有泄压组件。

3.根据权利要求1所述的工艺炉真空系统，其特征在于，所述炉管支路上设置有流量调节阀，所述流量调节阀与所述工艺腔之间连通有泄压支路，所述泄压支路上设置有泄压组件。

4.根据权利要求2或3所述的工艺炉真空系统，其特征在于，所述流量调节阀为双极气动角阀。

5.根据权利要求1所述的工艺炉真空系统，其特征在于，所述炉门支路上设置有单向阀及气动阀，所述气动阀打开的情况下，所述真空泵抽真空时所述单向阀打开；所述单向阀与所述炉门密封腔之间连通有泄压支路，所述泄压支路上设置有泄压组件。

6.根据权利要求5所述的工艺炉真空系统，其特征在于，所述泄压组件包括泄压阀及与所述泄压阀连通的过滤器。

7.根据权利要求2或3或5所述的工艺炉真空系统，其特征在于，所述泄压组件包括气动阀及单向阀，所述气动阀打开的情况下，所述泄压支路的气压达到设定压力时，所述单向阀打开。

8.根据权利要求2或3或5所述的工艺炉真空系统，其特征在于，所述泄压组件包括压力监测器。

9.根据权利要求1-6任意一项所述的工艺炉真空系统，其特征在于，所述真空泵通过一根主管与各支路连通，所述主管上设置有检测主管压力的压力检测器。

10.一种半导体生产设备，其特征在于，包括如权利要求1-9任意一项所述的工艺炉真空系统。