光学邻近校正模型构建方法及电子设备与流程

本技术涉及半导体制造，具体而言，涉及一种光学邻近校正模型构建方法及电子设备。

背景技术：

1、在半导体光刻工艺中，构建光学邻近校正（optical proximity correction，简称opc）模型时，需制作包含各类测试图形的光罩并完成曝光，通过关键尺寸扫描电子显微镜（critical dimension scanning electron microscope，简称cdsem）量测关键点位来采集建模数据。实际作业中需对线宽、间隙等参数做多组拆分及遍历，生成大量测试图形，以全面表征光学邻近效应规律。

2、目前，测试图形的参数录入、量测点位的筛选均依靠人工完成，不仅耗时久、效率偏低，还高度依赖工程师经验。人工操作易出现点位漏选，导致opc模型的覆盖率过小，进而降低opc模型精度及opc准确性，为后续光刻工艺与芯片良率带来隐患。

技术实现思路

1、本技术的目的在于，针对上述现有技术中的不足，提供一种光学邻近校正模型构建方法及电子设备，以解决现有技术中opc模型构建效率低下且精度不足的实际需要的问题。

2、为实现上述目的，本技术实施例采用的技术方案如下：

3、第一方面，本技术实施例提供一种光学邻近校正模型构建方法，所述方法包括：

4、确定多个点位的参数值，所述多个点位至少包括：关键点位以及填充点位；

5、根据各所述点位的参数值，生成各所述点位对应的测试图形，并根据各所述点位对应的所述测试图形，制作光学邻近校正测试光罩；

6、采用所述光学邻近校正测试光罩对晶圆进行曝光，将所述光学邻近校正测试光罩上各所述点位对应的所述测试图形转移至所述晶圆表面，根据各所述点位的参数值，确定所述晶圆表面上的多个量测点位对应的量测图形，所述多个量测点位至少包括：关键量测点位以及填充量测点位；

7、扫描各所述量测点位对应的所述量测图形，得到量测数据，并根据所述量测数据，构建光学邻近校正模型。

8、作为一种可选的实现方式，所述确定多个点位的参数值，包括：

9、获取基准锚点的参数值以及预设点位填充精度；

10、根据所述基准锚点的参数值以及所述预设点位填充精度，确定多个所述点位的参数值。

11、作为一种可选的实现方式，所述根据所述基准锚点的参数值以及所述预设点位填充精度，确定多个所述点位的参数值，包括：

12、根据所述基准锚点的参数值，确定各关键点位的参数值；

13、根据所述预设点位填充精度以及各所述关键点位的参数值，确定各所述填充点位的参数值。

14、作为一种可选的实现方式，所述根据所述预设点位填充精度以及各所述关键点位的参数值，确定各所述填充点位的参数值，包括：

15、根据各所述关键点位的参数值，生成至少一个关键区间；

16、根据所述预设点位填充精度以及各所述关键区间，确定各所述关键区间中各所述填充点位的参数值。

17、作为一种可选的实现方式，所述根据所述预设点位填充精度以及各所述关键区间，确定各所述关键区间中各所述填充点位的参数值，包括：

18、根据所述预设点位填充精度，采用插值算法确定各所述关键区间中各填充点位的初始参数值；

19、响应用户的第一输入操作，对至少一个所述关键区间中至少一个所述填充点位的初始参数值进行修正，得到各所述填充点位的参数值。

20、作为一种可选的实现方式，所述确定所述晶圆表面上的多个量测点位对应的量测图形，包括：

21、将各所述关键点位作为所述关键量测点位，并根据各所述关键点位的参数值，确定所述晶圆表面上的所述关键量测点位对应的量测图形；

22、根据所述关键点位的数量、各关键区间中各所述填充点位的参数值、预设的量测点位数量以及预设点位填充精度，确定所述晶圆表面上的各关键区间中至少一个所述填充量测点位对应的量测图形。

23、作为一种可选的实现方式，所述根据所述关键点位的数量、各关键区间中各所述填充点位的参数值、预设的量测点位数量以及预设点位填充精度，确定所述晶圆表面上的各关键区间中至少一个所述填充量测点位对应的量测图形，包括：

24、根据所述关键点位的数量以及所述预设的量测点位数量，确定所述晶圆表面上的各关键区间中的所述填充量测点位的数量；

25、根据各所述关键区间中的填充量测点位的数量、所述预设点位填充精度以及各关键区间中各所述填充点位的参数值，确定所述晶圆表面上的各关键区间中至少一个所述填充量测点位对应的量测图形。

26、作为一种可选的实现方式，所述确定多个点位的参数值，包括：

27、响应用户的第二输入操作，确定至少一个补充点位的参数值。

28、作为一种可选的实现方式，所述多个量测点位还包括：补充量测点位；

29、所述根据各所述点位的参数值，确定所述晶圆表面上的多个量测点位对应的量测图形，包括：

30、响应用户的第三输入操作，确定各所述补充量测点位的参数值，并根据各补充量测点位的参数值，确定各补充量测点位对应的量测图形。

31、第二方面，本技术实施例提供一种光学邻近校正模型构建装置，所述装置包括：

32、确定模块，用于确定多个点位的参数值，所述多个点位至少包括：关键点位以及填充点位；

33、生成模块，用于根据各所述点位的参数值，生成各所述点位对应的测试图形，并根据各所述点位对应的所述测试图形，制作光学邻近校正测试光罩；

34、所述确定模块，还用于采用光学邻近校正测试光罩对晶圆进行曝光，将所述光学邻近校正测试光罩上各所述点位对应的所述测试图形转移至所述晶圆表面，根据各所述点位的参数值，确定所述晶圆表面上的多个量测点位对应的量测图形，所述多个量测点位至少包括：关键量测点位以及填充量测点位；

35、构建模块，用于扫描各所述量测点位对应的所述量测图形，得到量测数据，并根据所述量测数据，构建光学邻近校正模型。

36、作为一种可选的实现方式，所述确定模块具体用于：

37、获取基准锚点的参数值以及预设点位填充精度；

38、根据所述基准锚点的参数值以及所述预设点位填充精度，确定多个点位的参数值。

39、作为一种可选的实现方式，所述确定模块具体用于：

40、根据所述基准锚点的参数值，确定各关键点位的参数值；

41、根据所述预设点位填充精度以及各所述关键点位的参数值，确定各所述填充点位的参数值。

42、作为一种可选的实现方式，所述确定模块具体用于：

43、根据各所述关键点位的参数值，生成至少一个关键区间；

44、根据所述预设点位填充精度以及各所述关键区间，确定各所述关键区间中各所述填充点位的参数值。

45、作为一种可选的实现方式，所述确定模块具体用于：

46、根据所述预设点位填充精度，采用插值算法确定各所述关键区间中各填充点位的初始参数值；

47、响应用户的第一输入操作，对至少一个所述关键区间中至少一个所述填充点位的初始参数值进行修正，得到各所述填充点位的参数值。

48、作为一种可选的实现方式，所述确定模块具体用于：

49、将各所述关键点位作为所述关键量测点位，并根据各所述关键点位的参数值，确定所述晶圆表面上的所述关键量测点位对应的量测图形；

50、根据所述关键点位的数量、各关键区间中各所述填充点位的参数值、预设的量测点位数量以及预设点位填充精度，确定所述晶圆表面上的各关键区间中至少一个所述填充量测点位对应的量测图形。

51、作为一种可选的实现方式，所述确定模块具体用于：

52、根据所述关键点位的数量以及所述预设的量测点位数量，确定所述晶圆表面上的各关键区间中的所述填充量测点位的数量；

53、根据各所述关键区间中的填充量测点位的数量、所述预设点位填充精度以及各关键区间中各所述填充点位的参数值，确定所述晶圆表面上的各关键区间中至少一个所述填充量测点位对应的量测图形。

54、作为一种可选的实现方式，所述确定模块具体用于：

55、响应用户的第二输入操作，确定至少一个补充点位的参数值。

56、作为一种可选的实现方式，所述确定模块具体用于：

57、响应用户的第三输入操作，确定各所述补充量测点位的参数值，并根据各补充量测点位的参数值，确定各补充量测点位对应的量测图形。

58、第三方面，本技术实施例提供一种电子设备，包括：处理器、存储器和总线，所述存储器存储有所述处理器可执行的机器可读指令，当所述电子设备运行时，所述处理器与所述存储器之间通过总线通信，所述处理器执行所述机器可读指令，执行如上述第一方面所述的光学邻近校正模型构建方法的步骤。

59、第四方面，本技术实施例提供一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器运行时执行如上述第一方面所述的光学邻近校正模型构建方法的步骤。

60、本技术的有益效果是：

61、本技术提供了一种光学邻近校正模型构建方法及电子设备，确定多个点位的参数值，根据各点位的参数值，生成各点位对应的测试图形，并根据各点位对应的测试图形，制作光学邻近校正测试光罩。采用光学邻近校正测试光罩对晶圆进行曝光，将光学邻近校正测试光罩上各点位对应的测试图形转移至晶圆表面，根据各点位的参数值，确定晶圆表面上的多个量测点位对应的量测图形。扫描各量测点位对应的量测图形，得到量测数据，并根据量测数据构建光学邻近校正模型。通过各参数维度下各点位的参数值，将测试图形的生成过程与量测图形的确定过程相关联，实现测试图形生成与量测图形选择的参数联动，保证了各参数维度下各量测关键值的覆盖以及各参数维度下的各量测关键值之间各量测填充值的均匀采样，提升量测数据的覆盖率，进而提升光学邻近校正模型的覆盖率，有效避免了人为漏选导致的光学邻近校正模型覆盖范围不足的风险，确保光学邻近校正模型的精度。并通过测试图形生成与量测图形选择的参数联动提升确定量测图形的效率，进而提升光学邻近校正模型的构建效率。