一种光刻补偿的方法及光罩与流程
本申请涉及半导体制造,特别涉及一种光刻补偿的方法及光罩。
背景技术:
1、在半导体光刻工艺中,套刻精度是影响芯片性能与良率的关键参数。已知技术主要通过提高工件台运动精度、优化镜头性能或采用先进制程控制系统来改善套刻精度。然而,上述方案高度依赖硬件精度的提升,设备成本高且存在物理极限。对于由光罩自身制作工艺偏差引入的场级套刻误差,已知技术中尚缺乏有效的补偿手段,这已成为制约套刻精度进一步提升的重要因素。
技术实现思路
1、一方面,本申请提供一种光刻补偿的方法,其特征在于,包括:
2、提供至少一个光罩,所述至少一个光罩中的每一个包括外围区域和位于所述外围区域内侧的图形区域,所述图形区域内设有检测标记;
3、量测所述检测标记,获得所述至少一个光罩的制作误差;
4、根据所述制作误差确定补偿量;
5、根据所述补偿量在所述至少一个光罩进行曝光时进行补偿。
6、一些实施例中,所述图形区域包括多个子区域,各所述子区域内分别设有所述检测标记;
7、分别量测各所述子区域内的检测标记,获得各所述子区域对应的制作误差;
8、根据各所述子区域对应的制作误差分别确定各所述子区域对应的补偿量。
9、一些实施例中,所述图形区域包括芯片图形区域和围设在所述芯片图形区域外侧的切割道图形区域,所述检测标记设置在所述芯片图形区域和/或切割道图形区域。
10、一些实施例中,所述至少一个光罩包括具有套刻关系的第一光罩和第二光罩,所述检测标记包括设置于所述第一光罩的图形区域内的第一检测标记和设置于所述第二光罩的图形区域内的第二检测标记;
11、所述量测所述检测标记,获得所述至少一个光罩的制作误差,进一步包括:
12、量测所述第一检测标记,获取所述第一光罩的第一制作误差,量测所述第二检测标记,获取所述第二光罩的第二制作误差;
13、所述根据所述制作误差确定补偿量,进一步包括:
14、根据所述第一制作误差和所述第二制作误差确定所述补偿量。
15、一些实施例中,所述根据所述第一制作误差和所述第二制作误差确定所述补偿量,进一步包括:
16、以所述第一制作误差和所述第二制作误差的差值作为所述补偿量;
17、所述根据所述补偿量在所述至少一个光罩进行曝光时进行补偿,进一步包括:
18、根据所述补偿量在所述第一光罩或者所述第二光罩进行曝光时进行补偿。
19、一些实施例中,所述根据所述第一制作误差和所述第二制作误差确定所述补偿量,进一步包括:
20、所述补偿量包括第一补偿量和第二补偿量,所述第一补偿量根据所述第一制作误差确定,所述第二补偿量根据所述第二制作误差确定;
21、所述根据所述补偿量在所述至少一个光罩进行曝光时进行补偿,进一步包括:
22、根据所述第一补偿量在所述第一光罩进行曝光时进行补偿,根据所述第二补偿量在所述第二光罩进行曝光时进行补偿。
23、一些实施例中,所述第一检测标记在所述第一光罩上的位置和所述第二检测标记在所述第二光罩上的位置相同。
24、另一方面,本申请提供一种光罩,包括:
25、外围区域;以及
26、位于所述外围区域内侧的图形区域,所述图形区域内设有芯片图形和检测标记,所述检测标记用于量测所述光罩的制作误差。
27、一些实施例中,所述图形区域包括芯片图形区域和围设在所述芯片图形区域外侧的切割道图形区域,所述检测标记设置在所述芯片图形区域和/或切割道图形区域。
28、一些实施例中,所述图形区域被划分为多个子区域,每个所述子区域内分别设有所述检测标记。
1.一种光刻补偿的方法,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的光刻补偿的方法,其特征在于,
3.根据权利要求1所述的光刻补偿的方法,其特征在于,所述图形区域包括芯片图形区域和围设在所述芯片图形区域外侧的切割道图形区域,所述检测标记设置在所述芯片图形区域和/或所述切割道图形区域。
4.根据权利要求1-3任一项所述的光刻补偿的方法,其特征在于,所述至少一个光罩包括具有套刻关系的第一光罩和第二光罩,所述检测标记包括设置于所述第一光罩的图形区域内的第一检测标记和设置于所述第二光罩的图形区域内的第二检测标记;
5.根据权利要求4所述的光刻补偿的方法,其特征在于,所述根据所述第一制作误差和所述第二制作误差确定所述补偿量,进一步包括:
6.根据权利要求4所述的光刻补偿的方法,其特征在于,所述根据所述第一制作误差和所述第二制作误差确定所述补偿量,进一步包括:
7.根据权利要求4所述的提高光刻对准精度的方法,其特征在于,所述第一检测标记在所述第一光罩上的位置和所述第二检测标记在所述第二光罩上的位置相同。
8.一种光罩,其特征在于,包括:
9.根据权利要求8所述的光罩,其特征在于,所述图形区域包括芯片图形区域和围设在所述芯片图形区域外侧的切割道图形区域,所述检测标记设置在所述芯片图形区域和/或切割道图形区域。
10.根据权利要求8或9所述的光罩,其特征在于,所述图形区域被划分为多个子区域,每个所述子区域内分别设有所述检测标记。
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