光学临近修正方法及计算机可读存储介质与流程

本技术涉及半导体，特别是一种光学临近修正方法及计算机可读存储介质。

背景技术：

1、为了消除光学邻近效应的影响，实际制造的光掩模版（版图）上的图形与所希望得到的光刻图形并不相同，光掩模版上的图形经过了光学邻近修正处理。此外随着特征尺寸(critical dimension,cd)进入更小范围，掩模版上的图形的线宽甚至只有光波长的1/3，除上述必要的光学邻近修正处理以外，通常还需要在曝光图形的周围辅以设置次分辨率辅助图形(sub-resolution assistant feature,sraf)。这些次分辨率辅助图形（也可简称为辅助图形）仅设置于光刻掩模版上，在实际曝光后其图形并不会转移至半导体器件，仅仅起到增加邻近曝光图形的聚焦深度，提高曝光精确度的作用。

2、对于更为先进的技术节点，后段工艺中孔洞层(hole layer)的设计具有非常密集的间距以及非常复杂的构造。只要达到最小边缘位置误差的目标，许多大长宽比(biglength-width ratio)图形将会形成在光学邻近修正后的版图上。而在掩模版制造过程中，大长宽比图形具有明显更大的特征尺寸误差(长度方向具有负性误差，宽度方向具有正性误差)。

3、对于上述由大长宽比图形的出现所带来的问题，现有技术中一般采取调整辅助图形的形状或限制修正后图形的长宽比。然而，对于密集图形由于没有足够的空间而无法插入辅助图形；对于限制长宽比，但这种强行改变图形尺寸的做法会导致opc后不收敛，并且对于一些具有严格特征尺寸要求的工艺层也无法使用该方法。

技术实现思路

1、以下给出一个或多个方面的简要概述以提供对这些方面的基本理解。此概述不是所有构想到的方面的详尽综览，并且既非旨在指认出所有方面的关键性或决定性要素亦非试图界定任何或所有方面的范围。其唯一的目的是要以简化形式给出一个或多个方面的一些概念以为稍后给出的更加详细的描述之前序。

2、本技术之一目的在于提供一种光学临近修正方法及计算机可读存储介质，以减小大长宽比图形的长宽比，增大通孔层版图中主图形的光刻工艺窗口，提高光学临近修正精度和效率，并降低修正成本。

3、第一方面，为达上述目的，本技术的一实施例提供一种光学临近修正方法，包括：

4、对初始版图中的各主图形进行至少一次光学临近修正，以获得各所述主图形的第一修正图形。

5、确定各所述第一修正图形的长宽比，并筛选出长宽比满足预设范围的第一修正图形。

6、对筛选出的所述第一修正图形或其所对应的主图形进行扩边处理，以获得第二修正图形。

7、去除所述第二修正图形的部分图形，以获得第三修正图形。

8、判断所述第三修正图形的边缘位置误差是否在容许量内，若否，则返回执行对筛选出的所述第一修正图形或其所对应的主图形进行扩边处理的步骤，若是，则结束光学临近修正。

9、进一步的，所述预设范围可以为大于设定值，所述设定值可以大于或等于1.5。

10、进一步的，将筛选出的所述第一修正图形所对应的主图形确定为目标主图形；所述获得第二修正图形的步骤，包括：

11、将所述目标主图形的所有线边均沿法向向外移动第一偏移量。

12、或者，先确定筛选出的所述第一修正图形的长边，然后将确定出的所述长边沿其法向向外移动第一偏移量。

13、进一步的，所述第一偏移量的取值范围为：[m1，m2)，其中m1为筛选出的所述第一修正图形的长边和短边之间的长度差，m2为筛选出的所述第一修正图形的短边长度。

14、进一步的，去除所述第二修正图形的所述部分图形包括至少两个子图形，所述子图形的形状包括正多边形，所述正多边形包括矩形。

15、进一步的，所述部分图形的面积小于筛选出的所述第一修正图形或其所对应的主图形的面积。

16、进一步的，去除所述第二修正图形的部分图形，以获得第三修正图形的步骤，包括：

17、确定所述子图形的长边初始值和短边初始值，并确定所述子图形的长边到所述第二修正图形的线边之间的间距初始值。

18、基于所述长边初始值、短边初始值和间距初始值，在所述第二修正图形中去除与所述子图形相应的图形。

19、确定去除所述部分图形后的第二修正图形在水平方向上的第一边缘位置误差，并确定去除所述部分图形后的第二修正图形在垂直方向上的第二边缘位置误差。

20、确定所述第一边缘位置误差和所述第二边缘位置误差是否均在容许量内；若否，则利用预设公式调整所述子图形的长边初始值，并返回执行基于所述长边初始值、短边初始值和间距初始值，在所述第二修正图形中去除与所述子图形相应的图形的步骤；若是，则将去除所述部分图形后的第二修正图形作为所述第三修正图形。

21、进一步的，所述子图形的短边长度不超出光刻机的分辨率极限。

22、进一步的，所述预设公式为：

23、c=[(x1+y1)/2]*k；

24、其中，c为所述子图形的长边长度；x1为去除所述部分图形后的第二修正图形在水平方向上的第一边缘位置误差；y1为去除所述部分图形后的第二修正图形在垂直方向上的第二边缘位置误差，k为迭代系数。

25、第二方面，本发明还提供了一种电子设备，包括处理器、通信接口、存储器和通信总线，其中，处理器，通信接口，存储器通过通信总线完成相互间的通信；存储器，用于存放计算机程序；处理器，用于执行存储器上所存放的程序时，实现如上所述的光学临近修正方法步骤。

26、第三方面，本发明还提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如上所述的光学临近修正方法步骤。

27、与现有技术相比，本发明提供的技术方案至少具有如下有益效果之一：

28、在本技术提供的光学临近修正方法包括：对初始版图中的各主图形进行至少一次光学临近修正，以获得各所述主图形的第一修正图形；

29、确定各所述第一修正图形的长宽比，并筛选出长宽比满足预设范围的第一修正图形；对筛选出的所述第一修正图形或其所对应的主图形进行扩边处理，以获得第二修正图形；去除所述第二修正图形的部分图形，以获得第三修正图形；判断所述第三修正图形的边缘位置误差是否在容许量内，若否，则返回执行对筛选出的所述第一修正图形或其所对应的主图形进行扩边处理的步骤，若是，则结束光学临近修正。

30、在本技术中，先对筛选出的第一修正图形所对应的主图形进行扩边处理，得到第二修正图形，而后在对第二修正图形的内部进行部分图形去除，得到意想不到的效果是：提出一种新的通孔层版图的修正方式，即通过对主图形进行扩边处理，让光学临近修正后存在大长宽比图形相关缺陷的主图形的各线边（例如可能发生拉长的长边）的长度相差不多（或相同），实现为后续去除部分图形预留空间，亦保证移除部分图形后得到的第三修正图形的尺寸依然符合设计要求。而后利用去除扩边处理后得到图形的部分图形的方式，沿主图形可能发生拉长线边的方向切断/移除图形的部分线边，以达到缩小该线边的总长度，进而达到减小图形长宽比，增大光刻工艺窗口的目的。由于本技术中去除部分图形中的子图形的线宽（短边长度不超出光刻机的分辨率极限，因此，虽然最终修正得到第三修正图形内存在多个孔洞，但是实际曝光时由于子图形临近的其他图形区域的光强会发生叠加，因此依然可以得到连续的曝光图形。