半导体腔室的清洗方法和半导体设备与流程

本申请涉及半导体制造，尤其涉及一种半导体腔室的清洗方法和半导体设备。

背景技术：

1、半导体沉积设备在运转一定时间后，其腔室内壁上会沉积有沉积物。定期或者在指定情况下进行清洗，可以增强腔室寿命。清洗的持续时间常通过安装在腔室粗抽管路上的终点检测装置确定。终点检测装置可以检验通过化学反应清洗产生的清洗产物在腔室排出的气体中浓度的大小。当腔室内待清洗薄膜量较多时，通过化学反应清洗产生的清洗产物在腔室排出的气体中浓度大。随着清洗进行，化学反应清洗产生的清洗产物在腔室排出的气体中浓度逐渐减小。当清洗接近尾声，化学反应清洗产生的清洗产物在腔室排出的气体中浓度小至终点检测装置难以示出。

2、由于腔室不停地进入清洗用反应气体以及处于等离子体状态的气体，且腔室处于动态平衡之中，排气速度并非彻底恒定。又由于附近电源产生的电磁感应现象影响信号，因此，终点检测装置输出的曲线存在波动。

3、目前的做法是使用滑动窗进行滤波处理，会导致产生一定的延迟，且由于参与计算的数值较多，以至于运算量较大。并且，传统的滤波方法是对曲线进行无差别的平滑，使得任何尖峰均被归类为噪声波动而使得尖峰消失。而在清洗工艺发生切换时，一定会由于工艺变化而产生有意义的波形波动。无差别的曲线平滑会导致清洗工艺切换所产生的清洗产物浓度变化无法被观测，使得清洗工艺的切换波动无法被监控到。特别地，当清洗工艺切换前后的曲线斜率相似时，若切换波动无法被监控到，会导致清洗工艺切换时刻难以被察觉，从而难以从滤波数据得知清洗工艺的完成情况。

技术实现思路

1、本申请实施例的目的是提供一种半导体腔室的清洗方法和半导体设备，用以解决目前在半导体腔室的清洗过程中存在过度滤波现象的问题。

2、为解决上述技术问题，本申请实施例是这样实现的：

3、一方面，本申请实施例提供一种半导体腔室的清洗方法，包括：

4、采用第一清洗工艺对半导体腔室进行清洗；

5、对在所述第一清洗工艺执行过程中采集到的第一尾气检测数据进行第一滤波处理，得到第一滤波数据；

6、在所述第一滤波数据满足预设工艺切换条件的情况下，切换为第二清洗工艺对所述半导体腔室进行清洗；

7、在切换为所述第二清洗工艺后的预设时间段内，对在所述第二清洗工艺执行过程中采集到的第二尾气检测数据进行第二滤波处理，得到第二滤波数据；

8、在所述预设时间段之后，对所述第二尾气检测数据进行第三滤波处理，得到第三滤波数据；其中，所述第二滤波处理去除毛刺的程度小于所述第一滤波处理去除毛刺的程度，且小于所述第三滤波处理去除毛刺的程度；

9、根据所述第一滤波数据、所述第二滤波数据和所述第三滤波数据，确定所述半导体腔室的清洗情况。

10、另一方面，本申请实施例提供一种半导体设备，包括半导体腔室、终点检测装置和控制单元；其中，

11、所述半导体腔室，用于执行第一清洗工艺和第二清洗工艺；

12、所述终点检测装置，用于在所述第一清洗工艺执行过程中，对所述半导体腔室的尾气进行检测，得到第一尾气检测数据；以及，在所述第二清洗工艺执行过程中，对所述半导体腔室的尾气进行检测，得到第二尾气检测数据；

13、所述控制单元，包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，所述处理器用于从所述存储器调用并执行所述计算机程序以实现上述的半导体腔室的清洗方法。

14、再一方面，本申请实施例提供一种半导体腔室的清洗设备，包括处理器；以及被安排成存储计算机可执行指令的存储器，所述计算机可执行指令被配置由所述处理器执行，所述计算机可执行指令被所述处理器执行以实现上述的半导体腔室的清洗方法。

15、再一方面，本申请实施例提供一种存储介质，用于存储计算机可执行指令，所述计算机可执行指令被处理器执行时实现上述的半导体腔室的清洗方法。

16、采用本申请实施例的技术方案，采用第一清洗工艺对半导体腔室进行清洗，对在第一清洗工艺执行过程中采集到的第一尾气检测数据进行第一滤波处理，得到第一滤波数据。在第一滤波数据满足预设工艺切换条件的情况下，切换为第二清洗工艺对半导体腔室进行清洗。在切换为第二清洗工艺后的预设时间段内，对在第二清洗工艺执行过程中采集到的第二尾气检测数据进行第二滤波处理，得到第二滤波数据。在预设时间段之后，对第二尾气检测数据进行第三滤波处理，得到第三滤波数据。其中，第二滤波处理去除毛刺的程度小于第一滤波处理去除毛刺的程度，且小于第三滤波处理去除毛刺的程度。从而，根据第一滤波数据、第二滤波数据和第三滤波数据，确定半导体腔室的清洗情况。可见，一方面，该技术方案在一个清洗工艺执行完毕，切换至下一个清洗工艺的情况下，在切换前后采用的是不同的滤波处理，且在切换后所采用的滤波处理去除毛刺的程度小于切换之前，这使得清洗工艺发生切换时的尾气检测数据中的毛刺细节得以保留，从而使得得到的滤波数据更加贴合工艺切换时的实际情况，有利于根据得到的滤波数据监测到清洗工艺的切换情况。另一方面，该技术方案能够对一个清洗工艺中的两个时间段所采集到的尾气检测数据进行不同的滤波处理，这样，由于刚进入该清洗工艺与该清洗工艺持续一定时长后所采集到的尾气检测数据的变化幅度存在不同，因此采用不同的滤波处理能够更有针对性地对尾气检测数据进行滤波，使得得到的滤波数据更加贴合实际工艺情况，避免了过度滤波情况的发生，且有利于基于滤波数据得知半导体腔室的清洗完成情况。

1.一种半导体腔室的清洗方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一滤波处理与所述第三滤波处理采用的滤波参数相同。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在所述滤波算法为卡尔曼滤波算法的情况下，

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述在切换为所述第二清洗工艺后的预设时间段内，对在所述第二清洗工艺执行过程中采集到的第二尾气检测数据进行第二滤波处理，得到第二滤波数据，包括：

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述在所述预设时间段之后，对所述第二尾气检测数据进行第三滤波处理，得到第三滤波数据，包括：

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述第一滤波数据、所述第二滤波数据和所述第三滤波数据，确定所述半导体腔室的清洗情况，包括：

8.一种半导体设备，其特征在于，包括半导体腔室、终点检测装置和控制单元；其中，

9.一种半导体腔室的清洗设备，其特征在于，包括处理器和与所述处理器电连接的存储器，所述存储器存储有计算机程序，所述处理器用于从所述存储器调用并执行所述计算机程序，以实现如权利要求1-7任一项所述的半导体腔室的清洗方法。

10.一种存储介质，其特征在于，所述存储介质用于存储计算机程序，所述计算机程序被处理器执行以实现如权利要求1-7任一项所述的半导体腔室的清洗方法。