半导体CP测试中最小工作电压的测试方法及系统、存储介质与流程
本发明涉及半导体测试，特别涉及一种半导体cp测试中最小工作电压的测试方法及系统、存储介质。
背景技术：
1、在半导体集成电路的制造过程中，晶圆完成前道工艺后，需通过cp （circuitprobing test）测试对芯片的各项电性参数与功能进行初步检测，以筛选出不良品，避免对无效芯片进行封装，节约后道工序成本。
2、随着测试向量长度显著增加，导致测试时间不断延长。测试时间是影响芯片制造成本的关键因素，因此测试效率的优化始终是半导体测试领域的核心研究方向之一。
3、vccmin（最小工作电压）测试是cp测试中一项关键的功能测试项，其目的在于确定芯片能够稳定实现读写功能的最低电源电压值，该参数直接反映了芯片在低电压工况下的稳定性与良率边界。
4、在现有技术的vccmin测试流程中，测试程序通常采用“写入（write）-读取（read）”交替执行的模式，然而，这种“每次读取前均执行常压写入数据”的测试方式存在显著的效率缺陷。频繁的写入步骤导致测试向量冗余度极高，大幅增加了测试程序的执行周期。
5、综上所述，现有技术中vccmin测试因采用“写读交替”的固定流程，导致测试效率低下，测试成本过高，已成为制约半导体制造良率优化与成本控制的技术瓶颈。因此，亟需一种能够减少冗余测试步骤、缩短测试时间的vccmin测试方法。
技术实现思路
1、本发明的目的在于提供一种半导体cp测试中最小工作电压的测试方法及系统、存储介质，以解决现有技术中芯片在cp测试中的最小电压测试的方式测试效率低下，测试成本过高的问题。
2、为解决上述技术问题，基于本发明的一个方面，本发明提供一种半导体cp测试中最小工作电压的测试方法，其包括：
3、步骤s1：在标称电压下，向待测芯片写入预设数据，从而建立基准数据；
4、步骤s2：向所述待测芯片施加测试电压，控制测试电压按照预设的电压步长降低；
5、步骤s3：在降低后的所述测试电压下读取所述待测芯片的数据，并比对当前读取的数据与所述基准数据是否保持一致；若是，则返回执行步骤s2；若否，则执行步骤s4；
6、步骤s4：根据当前降低后的所述测试电压确定所述待测芯片的最小工作电压。
7、可选的，所述测试电压首次从标称电压开始降低。
8、可选的，步骤s4中，确定所述待测芯片的最小工作电压的方式包括：
9、将当前所述测试电压作为所述最小工作电压；
10、或者，将当前所述测试电压与所述电压步长之和作为所述最小工作电压。
11、可选的，所述电压步长大于0.01v，且小于0.03v。
12、可选的，步骤s3还包括：判断是否为首次检测到当前读取的数据与所述基准数据不一致，若是，则返回执行步骤s1；若否，则根据当前降低后的所述测试电压确定所述待测芯片的最小工作电压。
13、可选的，在执行步骤s1之前，所述测试方法还包括： 对芯片进行常压功能全检，筛选出通过常压功能全检的芯片作为所述待测芯片。
14、可选的，所述预设数据为全“0”数据、全“1”数据或棋盘格数据模型。
15、可选的，所述待测芯片具有存储单元或寄存器，通过所述待测芯片的存储单元或寄存器实现数据的写入和读取。
16、基于本发明的另一个方面，本发明还提供一种半导体cp测试中最小工作电压的测试系统，其包括：
17、初始化写入模块，用于在标称电压下向待测芯片写入预设数据，从而建立基准数据；
18、电压调整模块，用于控制测试电压按照预设的电压步长逐级降低；
19、读取比对模块，用于在每次降低后的所述测试电压下读取所述待测芯片的数据，并比对每次降低后的所述测试电压下读取的数据与所述基准数据是否保持一致，直至读取的数据与所述基准数据不一致；
20、电压判断模块，用于在读取的数据与所述基准数据不一致时根据当前降低后的所述测试电压确定所述待测芯片的最小工作电压。
21、基于本发明的再一个方面，本发明还提供一种存储介质，存储介质上存储有可被读写的程序，所述程序被执行时实现如上所述的测试方法。
22、如上的述半导体cp测试中最小工作电压的测试方法，在对芯片进行测试前，先建立写入预设数据建立基准数据，而后可以基于电压步长多次迭代调整测试电压，每次迭代后读取相应测试电压下芯片的数据，比对读取的数据与基准数据来判断最小工作电压的电压值。本发明打破了传统芯片的最小工作电压测试中“数据读写交替”的固有模式，本发明在确保芯片的数据完整性的前提下，最大限度地剔除冗余的写入操作，只需一次写入操作，从而实现测试效率的几何级提升。本发明利用了cp测试中最小工作电压测试的瞬态特性，由于最小工作电压测试关注的是芯片在极短操作周期内的读取稳定性，而非长时间的数据保持能力，因此在连续的数据读取测试窗口内（通常为微秒级），芯片的数据存储单元的电荷泄漏可以忽略不计。基于此物理特性，本发明通过数据“写1次，读n次”的时序优化，将原本与测试电压迭代次数成正比的写入操作次数压缩至1次，从根本上解决了传统方法中因频繁写入导致的测试时间冗余问题。
23、需说明的是，所述半导体cp测试中最小工作电压的测试系统与所述半导体cp测试中最小工作电压的测试方法基于同一发明构思，具有相同或相应的特定技术特征，故而也具有相同的技术效果，这里不再重复说明。
1.一种半导体cp测试中最小工作电压的测试方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体cp测试中最小工作电压的测试方法，其特征在于，所述测试电压首次从标称电压开始降低。
3.根据权利要求1所述的半导体cp测试中最小工作电压的测试方法，其特征在于，步骤s4中，确定所述待测芯片的最小工作电压的方式包括：
4.根据权利要求1所述的半导体cp测试中最小工作电压的测试方法，其特征在于，所述电压步长大于0.01v，且小于0.03v。
5.根据权利要求1所述的半导体cp测试中最小工作电压的测试方法，其特征在于，步骤s3还包括：判断是否为首次检测到当前读取的数据与所述基准数据不一致，若是，则返回执行步骤s1；若否，则根据当前降低后的所述测试电压确定所述待测芯片的最小工作电压。
6.根据权利要求1所述的半导体cp测试中最小工作电压的测试方法，其特征在于，在执行步骤s1之前，所述测试方法还包括： 对芯片进行常压功能全检，筛选出通过常压功能全检的芯片作为所述待测芯片。
7.根据权利要求1所述的半导体cp测试中最小工作电压的测试方法，其特征在于，所述预设数据为全“0”数据、全“1”数据或棋盘格数据模型。
8.根据权利要求1所述的半导体cp测试中最小工作电压的测试方法，其特征在于，所述待测芯片具有存储单元或寄存器，通过所述待测芯片的存储单元或寄存器实现数据的写入和读取。
9.一种半导体cp测试中最小工作电压的测试系统，其特征在于，包括：
10.一种存储介质，其上存储有可被读写的程序，其特征在于，所述程序被执行时实现权利要求1-8中任一项所述的半导体cp测试中最小工作电压的测试方法。