存储器的操作方法、存储器及存储器系统与流程

本公开涉及半导体芯片，尤其涉及一种存储器的操作方法、存储器及存储器系统。

背景技术：

1、在3d nand存储器中，存储单元的堆叠方式决定了存储密度、功耗和信号传输效率。为了降低生产成本、提高存储密度、减少功耗以及提升信号传输速度，需要缩小存储阵列的面积。而随着存储阵列面积的缩小，片存储区(pl ane)与片存储区之间的耦合效应加剧，导致片存储区受到传递干扰(pass disturb)而出现可靠性问题。

技术实现思路

1、本公开公开的实施例提供一种存储器的操作方法、存储器及存储器系统，本公开的实施例采用如下技术方案：

2、第一方面，提供一种存储器包括第一片存储区和第二片存储区，第一片存储区与第二片存储区通过隔离结构耦接，方法包括：在对第一片存储区中的第一存储块执行预设操作期间，向第二片存储区中的第二存储块耦接的字线施加第一电压。

3、在一些实施例中，第二存储块包括第二片存储区中与隔离结构距离最近的非虚设存储块和第二片存储区中与隔离结构耦接的虚设存储块。

4、在一些实施例中，预设操作包括编程操作或擦除操作。

5、在一些实施例中，在第一片存储区中的第一存储块执行预设操作期间，向第二片存储区中的第二存储块耦接的字线施加第一电压，包括：在对第一片存储区中的第一存储块执行擦除操作期间，向第一存储块耦接的源极线施加擦除电压，向第二存储块耦接的字线施加第一电压；或，在对第一片存储区中的第一存储块执行编程操作期间，向第一存储块耦接的字线施加编程电压，向第二存储块耦接的字线施加第一电压。

6、在一些实施例中，第一电压包括0-2v。

7、在一些实施例中，方法还包括：在对第一片存储区中的第一存储块执行预设操作期间，向第一片存储区耦接的共源极施加第二电压，向第二片存储区耦接的共源极施加第三电压，第三电压小于第二电压。

8、在一些实施例中，方法还包括：在对第一片存储区中的第一存储块执行预设操作期间，将第二存储块耦接的位线的电压设置为浮置状态，在对第一片存储区中的第一存储块执行预设操作期间，向第二存储块中的顶部选择管耦接的选择栅线施加第三电压，在对第一片存储区中的第一存储块执行预设操作期间，将第二存储块中的底部选择管耦接的选择栅线的电压设置为浮置状态。

9、第二方面，提供一种存储器的操作方法，存储器包括第一片存储区和第二片存储区，第一片存储区与第二片存储区通过隔离结构耦接；方法包括：在对第一片存储区中第一存储块执行预设操作期间，向第一片存储区耦接的共源极施加第四电压，将第二片存储区耦接的共源极的电压设置为浮置状态或向第二片存储区耦接的共源极施加第五电压，第五电压小于第四电压。

10、在一些实施例中，预设操作包括编程操作或擦除操作。

11、在一些实施例中，在对第一片存储区中第一存储块执行预设操作期间，向第一片存储区耦接的共源极施加第四电压，将第二片存储区耦接的共源极的电压设置为浮置状态或向第二片存储区耦接的共源极施加第五电压，包括：在对第一片存储区中的第一存储块执行擦除操作期间，向第一片存储区耦接的共源极施加第六电压，将第二片存储区耦接的共源极的电压设置为浮置状态或向共源极施加第五电压，第六电压大于第五电压；或，在对第一片存储区中的第一存储块执行编程阶段期间，向第一片存储区耦接的共源极施加第七电压，将第二片存储区耦接的共源极的电压设置为浮置状态或向共源极施加第五电压，第七电压大于第五电压，第七电压小于第六电压。

12、在一些实施例中，方法还包括：在对第一片存储区中的第一存储块执行预设操作期间，将第二片存储区中的第二存储块耦接的字线电压设置为浮置状态，第二存储块包括第二片存储区中与隔离结构距离最近的非虚设存储块和第二片存储区中与隔离结构耦接的虚设存储块。

13、在一些实施例中，方法还包括：在对第一片存储区中的第一存储块执行预设操作期间，将第二存储块耦接的位线的电压设置为浮置状态；在对第一片存储区中的第一存储块执行预设操作期间，向第二存储块中的顶部选择管耦接的选择栅线施加第三电压；在对第一片存储区中的第一存储块执行预设操作期间，将第二片存储区中的第二存储块中的底部选择管耦接的选择栅线的电压设置为浮置状态。

14、第三方面，本公开提供了一种存储器，包括：存储单元阵列和耦接于存储单元阵列的外围电路，外围电路被配置为：在对第一片存储区中的第一存储块执行预设操作期间，向第二存储块耦接的字线施加第一电压。

15、在一些实施例中，第二存储块包括第二片存储区中与隔离结构距离最近的非虚设存储块和第二片存储区中与隔离结构耦接的虚设存储块。

16、在一些实施例中，预设操作包括编程操作或擦除操作。

17、在一些实施例中，外围电路被具体配置为：在对第一片存储区中的第一存储块执行擦除操作期间，向第一存储块耦接在对第一片存储区中的第一存储块执行擦除操作期间，向第一存储块耦接的源极线施加擦除电压，向第二存储块耦接的字线施加第一电压；或，在对第一片存储区中的第一存储块执行编程操作期间，向第一存储块耦接的字线施加编程电压，向第二存储块耦接的字线施加第一电压。

18、在一些实施例中，第一电压包括0-2v。

19、在一些实施例中，外围电路还被配置为：在对第一片存储区中的第一存储块执行预设操作期间，向第一片存储区耦接的共源极施加第二电压，向第二片存储区耦接的共源极施加第三电压，第三电压小于第二电压。

20、在一些实施例中，外围电路还被配置为：在对第一片存储区中的第一存储块执行预设操作期间，将第二存储块耦接的位线的电压设置为浮置状态；在对第一片存储区中的第一存储块执行预设操作期间，向第二存储块中的顶部选择管耦接的选择栅线施加第三电压；在对第一片存储区中的第一存储块执行预设操作期间，将第二片存储区中的第二存储块中的底部选择管耦接的选择栅线的电压设置为浮置状态。

21、第四方面，本公开提供一种存储器，包括：存储单元阵列和耦接于存储单元阵列的外围电路，外围电路被配置为：在对第一片存储区中第一存储块执行预设操作期间，向第一片存储区耦接的共源极施加第四电压，将第二片存储区耦接的共源极的电压设置为浮置状态或向第二片存储区耦接的共源极施加第五电压，第五电压小于第四电压。

22、在一些实施例中，预设操作包括编程操作或擦除操作。

23、在一些实施例中，外围电路被具体配置为：在对第一片存储区中的第一存储块执行擦除操作期间，向第一片存储区耦接的共源极施加第六电压，将第二片存储区耦接的共源极的电压设置为浮置状态或向共源极施加第五电压，第六电压大于第五电压；或，在对第一片存储区中的第一存储块执行编程阶段期间，向第一片存储区耦接的共源极施加第七电压，将第二片存储区耦接的共源极的电压设置为浮置状态或向共源极施加第五电压，第七电压大于第五电压，第七电压小于第六电压。

24、在一些实施例中，外围电路还被配置为：在对第一片存储区中的第一存储块执行预设操作期间，将第二存储块耦接的字线电压设置为浮置状态，第二存储块包括第二片存储区中与隔离结构距离最近的非虚设存储块和第二片存储区中与隔离结构耦接的虚设存储块。

25、在一些实施例中，外围电路还被配置为：在对第一片存储区中的第一存储块执行预设操作期间，将第二存储块耦接的位线的电压设置为浮置状态，

26、在对第一片存储区中的第一存储块执行预设操作期间，向第二存储块中的顶部选择管耦接的选择栅线施加第三电压，在对第一片存储区中的第一存储块执行预设操作期间，将第二片存储区中的第二存储块中的底部选择管耦接的选择栅线的电压设置为浮置状态。

27、第五方面，本公开提供了一种存储系统，包括存储控制器和存储器，存储控制器通过闪存接口电路耦合至存储器，存储控制器被配置为控制存储器写入数据或读取存储器存储的数据，存储器为第三方面或第四方面任一项的存储器。

28、第六方面，提供了一种计算机可读存储介质，计算机可读存储介质存储有计算机可执行指令；计算机可执行指令被执行后，能够实现第一方面或第二方面任一项的方法。

29、第七方面，本公开提供了一种电子设备，包括处理器，以及与处理器耦合的可读存储介质，可读存储介质存储可执行指令，当可执行指令被处理器执行时，能够实现第一方面或第二方面任一项的方法。