存储系统、控制器及其操作方法与流程

本公开实施例涉及半导体，尤其涉及一种存储系统、控制器及其操作方法。

背景技术：

1、存储器装置根据断电时是否保留存储的数据而被分为易失性存储器和非易失性存储器，其中，断电时数据丢失的易失性存储器可以包括静态随机存取存储器(staticrandom access memory，sram)和动态随机存取存储器(dynamic random access memory，dram)。

2、动态随机存取存储器需要周期性地刷新来保持存储单元中存储的数据。此外，若连续地、频繁地对动态随机存取存储器中的同一行地址进行访问，当访问累积到一定数量的时候，可能导致相邻存储单元行存储的数据发生翻转，这种现象一般称为行锤效应(rowhammer)。

技术实现思路

1、根据本公开实施例的第一方面，提供一种存储系统，所述存储系统包括：控制器和耦接所述控制器的存储器装置，所述存储器装置包括多个存储单元行；所述控制器被配置为：基于发送刷新命令至所述存储器装置，确定与已缓存的各个行地址对应的计数数据中的最大计数数据；从已缓存的所述各个行地址中获取与所述最大计数数据对应的m个目标行地址；其中，m为大于0的整数，m小于或者等于已缓存的所述各个行地址的总数量；从获取的所述m个目标行地址中提取n个所述目标行地址，并将提取的n个所述目标行地址作为侵略行地址；其中，n为大于0的整数，n小于或者等于m。

2、在一些实施例中，m为大于1的整数；所述控制器包括行地址提取电路；所述行地址提取电路被配置为：基于所述最大计数数据小于或等于预设阈值，随机提取所述m个目标行地址中的一个所述目标行地址。

3、在一些实施例中，所述行地址提取电路还被配置为：基于所述最大计数数据大于所述预设阈值，提取所述m个目标行地址。

4、在一些实施例中，所述行地址提取电路包括第一比较电路和耦接所述第一比较电路的提取电路；所述第一比较电路被配置为：比较所述最大计数数据和所述预设阈值，生成比较结果；所述提取电路被配置为：基于所述比较结果，提取一个所述目标行地址或者所述m个目标行地址。

5、在一些实施例中，所述控制器还包括耦接所述行地址提取电路的行地址缓存电路；所述行地址缓存电路被配置为：缓存所述各个行地址；所述提取电路具体被配置为：基于所述比较结果，从所述行地址缓存电路中提取所述目标行地址。

6、在一些实施例中，所述控制器还包括耦接所述行地址提取电路的行地址计数电路；所述行地址提取电路还包括耦接所述第一比较电路的第二比较电路；所述行地址计数电路被配置为：生成与已缓存的所述各个行地址对应的所述计数数据；所述第二比较电路被配置为：比较所述行地址计数电路生成的所述计数数据，以确定所述最大计数数据。

7、在一些实施例中，所述行地址缓存电路还被配置为：在提取所述目标行地址之后，删除已缓存的所述行地址；所述行地址计数电路还被配置为：重置已缓存的所述行地址对应的所述计数数据。

8、在一些实施例中，m和n均为1。

9、在一些实施例中，所述控制器还被配置为：生成与所述侵略行地址相邻的受害行地址；其中，所述受害行地址指向的目标存储单元行与所述侵略行地址指向的存储单元行相邻；发送包括所述受害行地址的行锤刷新操作命令至所述存储器装置；其中，所述行锤刷新操作命令用于指示对所述目标存储单元行执行行锤刷新操作。

10、在一些实施例中，所述行锤刷新操作命令包括行锤激活命令和预充电命令；其中，所述行锤激活命令用于指示对所述目标存储单元行对应的所述行地址执行激活操作，所述预充电命令用于指示对所述目标存储单元行内的多个所述存储单元中选中的所述存储单元对应的列地址执行预充电操作。

11、在一些实施例中，所述存储器装置包括动态随机存取存储器。

12、根据本公开实施例的第二方面，提供一种控制器，所述控制器包括：行地址缓存电路、行地址计数电路和行地址提取电路；所述行地址缓存电路被配置为：缓存多个行地址；所述行地址计数电路耦接所述行地址缓存电路，所述行地址计数电路被配置为：生成与已缓存的各个所述行地址对应的计数数据；所述行地址提取电路分别耦接所述行地址缓存电路和所述行地址计数电路，所述行地址提取电路被配置为：基于所述控制器发送刷新命令至存储器装置，确定与已缓存的各个所述行地址对应的计数数据中的最大计数数据；从已缓存的各个所述行地址中获取与所述最大计数数据对应的m个目标行地址；其中，m为大于0的整数，m小于或者等于已缓存的所述各个行地址的总数量；从获取的所述m个目标行地址中提取n个所述目标行地址，并将提取的所述n个目标行地址作为侵略行地址；其中，n为大于0的整数，n小于或者等于m。

13、在一些实施例中，m为大于1的整数；所述行地址提取电路具体被配置为：基于所述最大计数数据小于或等于预设阈值，随机提取所述m个目标行地址中的一个所述目标行地址。

14、在一些实施例中，所述行地址提取电路还具体被配置为：基于所述最大计数数据大于所述预设阈值，提取所述m个目标行地址。

15、在一些实施例中，所述行地址提取电路包括第一比较电路和耦接所述第一比较电路的提取电路；所述第一比较电路被配置为：比较所述最大计数数据和所述预设阈值，生成比较结果；所述提取电路被配置为：基于所述比较结果，提取一个所述目标行地址或者所述m个目标行地址。

16、在一些实施例中，所述提取电路具体被配置为：基于所述比较结果，从所述行地址缓存电路中提取所述目标行地址。

17、在一些实施例中，所述行地址提取电路还包括耦接所述第一比较电路的第二比较电路；所述第二比较电路被配置为：比较所述行地址计数电路生成的所述计数数据，以确定所述最大计数数据。

18、在一些实施例中，m和n均为1。

19、在一些实施例中，所述行地址缓存电路还被配置为：在提取所述目标行地址之后，删除已缓存的所述行地址；所述行地址计数电路还被配置为：重置已缓存的所述行地址对应的所述计数数据。

20、在一些实施例中，所述控制器还被配置为：生成与所述侵略行地址相邻的受害行地址；其中，所述受害行地址指向的目标存储单元行与所述侵略行地址指向的存储单元行相邻；发送包括所述受害行地址的行锤刷新操作命令至所述存储器装置；其中，所述行锤刷新操作命令用于指示对所述目标存储单元行执行行锤刷新操作。

21、在一些实施例中，所述行锤刷新操作命令包括行锤激活命令和预充电命令；其中，所述行锤激活命令用于指示对所述目标存储单元行对应的所述行地址执行激活操作，所述预充电命令用于指示对所述目标存储单元行内的多个所述存储单元中选中的所述存储单元对应的列地址执行预充电操作。

22、根据本公开实施例的第三方面，提供一种控制器的操作方法，所述操作方法包括：基于发送刷新命令至存储器装置，确定与已缓存的各个行地址对应的计数数据中的最大计数数据；从已缓存的所述各个行地址中获取与所述最大计数数据对应的m个目标行地址；其中，m为大于0的整数，m小于或者等于已缓存的所述各个行地址的总数量；从获取的所述m个目标行地址中提取n个所述目标行地址，并将提取的n个所述目标行地址作为侵略行地址；其中，n为大于0的整数，n小于或者等于m。

23、在一些实施例中，m为大于1的整数；所述从获取的所述m个目标行地址中提取n个所述目标行地址，包括：基于所述最大计数数据小于或等于预设阈值，随机提取所述m个目标行地址中的一个所述目标行地址。

24、在一些实施例中，所述从获取的所述m个目标行地址中提取n个所述目标行地址，还包括：基于所述最大计数数据大于所述预设阈值，提取所述m个目标行地址。

25、在一些实施例中，所述从获取的所述m个目标行地址中提取n个所述目标行地址，还包括：比较所述最大计数数据和所述预设阈值，生成比较结果；基于所述比较结果，提取一个所述目标行地址或者所述m个目标行地址。

26、在一些实施例中，m和n均为1。

27、在一些实施例中，所述确定与已缓存的各个行地址对应的计数数据中的最大计数数据，包括：比较已缓存的所述各个行地址对应的所述计数数据，以确定所述最大计数数据。

28、在一些实施例中，所述操作方法还包括：在提取所述目标行地址之后，删除已缓存的所述行地址；重置已缓存的所述行地址对应的所述计数数据。

29、在一些实施例中，所述操作方法还包括：生成与所述侵略行地址相邻的受害行地址；其中，所述受害行地址指向的目标存储单元行与所述侵略行地址指向的存储单元行相邻；发送包括所述受害行地址的行锤刷新操作命令至所述存储器装置；其中，所述行锤刷新操作命令用于指示对所述目标存储单元行执行行锤刷新操作。

30、在一些实施例中，所述行锤刷新操作命令包括行锤激活命令和预充电命令；其中，所述行锤激活命令用于指示对所述目标存储单元行对应的所述行地址执行激活操作，所述预充电命令用于指示对所述目标存储单元行内的多个所述存储单元中选中的所述存储单元对应的列地址执行预充电操作。

31、本公开实施例中，控制器基于发送刷新命令至存储器装置，确定与已缓存的各个行地址对应的计数数据中的最大计数数据，并从已缓存的各个行地址中获取与最大计数数据对应的m个目标行地址，接着从获取的m个目标行地址中提取n个目标行地址，并将提取的n个目标行地址作为侵略行地址。如此，第一方面，控制器可以提前获取可能造成dram设备发生行锤问题的目标行地址，并从获取的目标行地址中提取一个或者多个目标行地址作为侵略行地址，以此来协助dram设备缓解甚至规避行锤问题的发生，从而提高数据的可靠性；第二方面，由控制器来主动规避行锤问题，可从传统的dram内部被动的预防转为由控制器主动的预防，即可提前主动预防dram发生行锤错误的潜在可能，有利于降低存储器装置发生行锤问题的可能性。