集成电路的制作方法

本技术涉及一种半导体装置，尤其涉及一种集成电路。

背景技术：

1、集成电路（integrated circuit，ic）形成在包括数百万或数十亿个晶体管的半导体晶粒上。晶体管被配置为用作开关和/或产生功率增益以启用逻辑功能。ic还包括用于控制增益、时间常数和其他ic特性的被动装置。一种类型的被动装置是三维（3d）金属-绝缘体-金属（metal-insulator-metal，mim）电容器。

技术实现思路

1、本实用新型的一种集成电路，包括：基底；位于基底上方的互连结构，互连结构包括电容器底部导线和覆盖电容器底部导线的电容器底部通孔；以及覆盖电容器底部通孔的电容器，电容器包括朝向基底突出的多个沟槽段，其中多个沟槽段包括第一沟槽段和第二沟槽段；其中电容器底部通孔从电容器底部导线延伸至第一沟槽段，且第二沟槽段与电容器底部通孔及互连结构的剩余部分间隔开。

2、本实用新型的一种集成电路，包括：基底；位于基底上方的互连结构，互连结构包括导电特征；以及包括底部电极、电容介电层和顶部电极的电容器，底部电极、电容介电层和顶部电极共同形成朝向基底突出的多个沟槽段，其中多个沟槽段包括第一沟槽段和第二沟槽段；其中第一沟槽段覆盖并突出至导电特征，且第二沟槽段与导电特征间隔开并具有相对于第一沟槽段的底表面凹陷的底表面。

3、基于上述，本实用新型的实施例的集成电路，其中电容器（例如，3d mim电容器或类似的）具有着陆在电容器底部通孔上的沟槽段。电容器底部通孔从沟槽段延伸到位于电容器下方的电容器底部导线，以将电容器电耦合到电容器底部导线。该沟槽段是电容器的多个沟槽段中的一个，而多个沟槽段中的额外沟槽段与电容器底部通孔和电容器底部导线所在的导线层间隔开。这使得直接位于额外沟槽段下方的导线层部分可用于信号布线。

4、为让本实用新型的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。

1.一种集成电路，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述第二沟槽段具有相对于所述电容器底部通孔的顶表面凹陷且相对于所述电容器底部导线的顶表面隆起的底表面。

3.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述电容器包括形成所述多个沟槽段并且从所述第一沟槽段连续至所述第二沟槽段的底部电极、顶部电极和介电层。

4.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述多个沟槽段包括位于所述第一沟槽段相对侧的第三沟槽段，且其中所述电容器底部导线的宽度小于所述第二沟槽段和所述第三沟槽段之间的间隔。

5.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述电容器底部通孔的顶表面的宽度大于所述第一沟槽段的宽度。

6.一种集成电路，其特征在于，包括：

7.根据权利要求6所述的集成电路，其特征在于，所述底部电极在所述第二沟槽段的一部分仅通过导电路径与所述互连结构电性耦合，所述导电路径通过所述第一沟槽段。

8.根据权利要求6所述的集成电路，其特征在于，所述第一沟槽段位于所述电容器的宽度方向中心，且其中所述第二沟槽段位于所述电容器的周边。

9.根据权利要求6所述的集成电路，其特征在于，所述第一沟槽段的高度小于所述第二沟槽段的高度。

10.根据权利要求6所述的集成电路，其特征在于，所述第二沟槽段的底表面相对于所述导电特征的底表面升高。