具有阻光图案的显示设备的制作方法

本发明涉及一种显示设备，其中在每个像素区中设置阻光图案。

背景技术：

1、通常，显示设备向用户提供图像。例如，显示设备可包括多个像素区。在每个像素区中可设置发光器件。发光器件可发射显示具体颜色的光。例如，发光器件可包括在第一电极和第二电极之间的发光层。

2、电连接至发光器件的驱动电路可设置在每个像素区中。驱动电路可根据栅极信号向发光器件施加对应于数据信号的驱动电流。例如，驱动电路可包括开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管。

3、驱动薄膜晶体管可产生对应于数据信号的驱动电流。施加给发光器件的驱动电流可受到入射在驱动薄膜晶体管的半导体图案上的外部光的影响。例如，在每个像素区中可设置阻光图案（light-blocking pattern），用于阻挡外部光朝向驱动薄膜晶体管的半导体图案传播。

4、可向阻光图案施加具体电压。但是，在显示设备中，可采用附加掩模来形成将阻光图案连接到信号配线之一的接触孔。因此，在显示设备中，可使工艺效率退化。

技术实现思路

1、因此，本发明旨在提供一种基本上克服了由于相关技术的限制和缺点导致的一个或多个问题的显示设备。

2、本发明的一个目的是提供一种显示设备，能够在不使工艺效率退化的条件下有效防止由于外部光导致的驱动薄膜晶体管的特性变化。

3、本发明的另一目的是提供一种显示设备，能够在不采用附加掩模的条件下将每个像素区的阻光图案连接至信号配线之一。

4、在下面的描述中将部分列出本发明的附加优点、目的和特征，这些优点、目的和特征的一部分在研究下文之后对于所属领域普通技术人员将变得显而易见或者可通过本发明的实施领会到。通过说明书、权利要求书以及附图中具体指出的结构可实现和获得本发明的这些目的和其它优点。

5、为了实现这些目的和其他优点，根据本发明的意图，如在此具体化和广义描述的，提供一种显示设备，包括：在器件基板的像素区上的阻光图案；在所述阻光图案上的上缓冲层，所述上缓冲层在所述器件基板的弯曲区上延伸；在所述像素区的上缓冲层上的开关薄膜晶体管，所述开关薄膜晶体管包括与所述阻光图案分隔开的第一半导体图案；在所述第一半导体图案上的分隔绝缘层，所述分隔绝缘层在所述弯曲区的上缓冲层上延伸；在所述像素区的分隔绝缘层上的驱动薄膜晶体管，所述驱动薄膜晶体管包括与所述阻光图案的一部分交叠的第二半导体图案；在所述器件基板的弯曲区上的弯曲开孔，所述弯曲开孔包括暴露所述上缓冲层的一部分的第一弯曲孔和在所述第一弯曲孔中的暴露一部分所述器件基板的第二弯曲孔；以及在所述像素区的分隔绝缘层上的中间电极，所述中间电极经由中间接触孔连接至所述阻光图案，其中所述中间接触孔包括部分地暴露所述像素区的上缓冲层的第一中间孔和部分地暴露与所述第一中间孔交叠的一部分所述阻光图案的第二中间孔，其中所述第一中间孔的垂直深度与所述第一弯曲孔的垂直深度相同。

6、所述第一半导体图案可包含硅。所述第二半导体图案可包含氧化物半导体。

7、所述第二中间孔的垂直深度可小于所述第二弯曲孔的垂直深度。

8、所述器件基板的弯曲区可包括与所述第二弯曲孔交叠的基板凹陷区。

9、所述第一中间孔的底表面相比所述上缓冲层的上表面可被设置为更靠近所述器件基板。所述弯曲区的上缓冲层可包括与所述第一弯曲孔交叠的上凹陷区。

10、所述上凹陷区的垂直深度可等于在所述第一中间孔的底表面与所述上缓冲层的上表面之间的距离。

11、所述开关薄膜晶体管的源极可经由源极接触孔连接至所述第一半导体图案的源极区。所述开关薄膜晶体管的漏极可经由漏极接触孔连接至所述第一半导体图案的漏极区。所述源极接触孔和所述漏极接触孔可穿透所述第一半导体图案。

12、所述源极接触孔的垂直深度可等于所述第一中间孔的垂直深度。所述漏极接触孔的垂直深度可等于所述源极接触孔的垂直深度。

13、在所述器件基板和所述上缓冲层之间可设置下缓冲层。所述下缓冲层可在所述器件基板和所述阻光图案之间延伸。

14、所述阻光图案可包括与所述第二中间孔交叠的阻挡凹陷区。

15、在另一实施方式中，提供一种显示设备，包括：包括像素区和弯曲区的器件基板；在所述器件基板上的缓冲绝缘层，所述缓冲绝缘层包括下缓冲层和上缓冲层的堆叠结构；在所述像素区的下缓冲层和上缓冲层之间的阻光图案；在所述像素区的上缓冲层上的第一开关薄膜晶体管，所述第一开关薄膜晶体管包括设置在所述阻光图案的外部的第一半导体图案；覆盖所述第一半导体图案的分隔绝缘层，所述分隔绝缘层在所述弯曲区的上缓冲层上延伸；在所述像素区的分隔绝缘层上的驱动薄膜晶体管，所述驱动薄膜晶体管包括与所述阻光图案的一部分交叠的第二半导体图案；设置在所述器件基板的弯曲区上的弯曲开孔，所述弯曲开孔包括暴露所述下缓冲层的一部分的第一弯曲孔和在所述第一弯曲孔中的暴露一部分所述器件基板的第二弯曲孔；以及在所述像素区的分隔绝缘层上的中间电极，所述中间电极经由中间接触孔连接至所述阻光图案，其中所述第一弯曲孔的垂直深度大于或等于所述中间接触孔的垂直深度。

16、在所述像素区的分隔绝缘层上可设置第二开关薄膜晶体管。所述第二开关薄膜晶体管可包括由与所述第二半导体图案相同的材料制成的第三半导体图案。所述第三半导体图案可与所述中间电极和所述第二半导体图案分隔开。

17、所述弯曲区的下缓冲层可包括与所述第一弯曲孔交叠的下凹陷区。

18、所述第一开关薄膜晶体管的源极可经由源极接触孔连接至所述第一半导体图案的源极区。所述第一开关薄膜晶体管的漏极可经由漏极接触孔连接至所述第一半导体图案的漏极区。所述源极接触孔的底表面和所述漏极接触孔的底表面相比所述下缓冲层的上表面可被设置为更靠近所述器件基板。

19、在所述阻光图案和所述第二半导体图案之间可设置电容器上电极。

20、所述电容器上电极可包括与所述第一开关薄膜晶体管的栅极不同的材料。

21、在所述器件基板的孔区域中可设置基板孔。在所述像素区和所述孔区域之间可设置分隔区域。在所述分隔区域中可设置分隔部。所述分隔部可包括至少一个底切部。所述分隔部的垂直距离可大于所述弯曲开孔的垂直深度。

1.一种显示设备，包括：

2.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述弯曲区具有第一部分，所述第一部分中的所述第一缓冲层和所述第二缓冲层的总厚度小于与所述第二晶体管重叠的所述第一缓冲层和所述第二缓冲层的总厚度。

3.根据权利要求2所述的显示设备，其中，所述第二缓冲层的侧面和所述第一缓冲层的平坦表面在所述第一部分中暴露。

4.根据权利要求2所述的显示设备，其中，所述第一缓冲层具有与所述第一部分重叠的凹陷区。

5.根据权利要求2所述的显示设备，其中，所述第一缓冲层在所述第一部分的厚度小于所述第一缓冲层在与所述第二晶体管重叠的区域的厚度。

6.根据权利要求2所述的显示设备，其中，所述弯曲区包括至少与所述第一部分重叠的弯曲开孔。

7.根据权利要求6所述的显示设备，其中，所述弯曲开孔包括至少贯穿所述绝缘层和所述第二缓冲层的第一弯曲孔以及贯穿所述第一缓冲层的第二弯曲孔。

8.根据权利要求7所述的显示设备，其中，所述弯曲开孔具有位于所述第一弯曲孔与所述第二弯曲孔之间的所述第一部分，所述第一缓冲层在所述第一部分具有小于所述第一缓冲层的整个厚度的凹陷区。

9.根据权利要求7所述的显示设备，其中，所述器件基板在所述第二弯曲孔具有凹陷部分。

10.根据权利要求7所述的显示设备，其中，所述第一弯曲孔的宽度大于所述第二弯曲孔的宽度。

11.根据权利要求7所述的显示设备，其中，所述第一弯曲孔的垂直深度大于所述第二弯曲孔的垂直深度。

12.根据权利要求6所述的显示设备，其中，所述弯曲开孔由平坦化层填充。

13.根据权利要求12所述的显示设备，其中，所述平坦化层在所述弯曲开孔具有不平坦表面。

14.根据权利要求6所述的显示设备，

15.根据权利要求14所述的显示设备，还包括通过中间接触孔电连接到所述阻光图案的中间电极。

16.根据权利要求15所述的显示设备，其中，所述中间接触孔包括第一中间孔和设置在所述第一中间孔中的所述第二中间孔，

17.根据权利要求16所述的显示设备，其中，所述阻光图案包括与所述第二中间孔重叠的阻挡凹陷区。

18.根据权利要求7所述的显示设备，还包括通过中间接触孔连接到所述阻光图案的中间电极，

19.根据权利要求1所述的显示设备，还包括在所述显示区域中的所述阻光图案和所述氧化物半导体图案之间的电容器上电极。

20.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述阻光图案设置在所述第一缓冲层与所述第二缓冲层之间。