发光二极管及发光装置的制作方法

本发明涉及半导体制造，特别涉及一种发光二极管及发光装置。

背景技术：

1、发光二极管(light emitting diode，简称led)为半导体发光元件，通常是由如gan、gaas、gap、gaasp等半导体制成，其核心是具有发光特性的pn结。led具有发光强度大、效率高、体积小、使用寿命长等优点，被认为是当前最具有潜力的光源之一。led已经广泛应用于照明、监控指挥、高清演播、高端影院、办公显示、会议交互、虚拟现实等领域。

2、近些年来，随着gan材料制备技术的提升，gan基led逐渐应用于生活的各个领域。然而在一些中高端应用领域中，需求端对led的性能要求越来越严苛，高光效、低能耗、高可靠性成为了所有led产品开发人员共同的奋斗目标。目前的led在大电流应用下普遍会出现电流扩展不均的现象，这会导致芯片的结温升高，光效严重衰退。因此，如何改善led的电流扩展能力已然成为本领域技术人员亟待解决的难题与挑战。

3、需要说明的是，公开于该背景技术部分的信息仅仅旨在增加对本发明的总体背景的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域一般技术人员所公知的现有技术。

技术实现思路

1、本发明提供一种发光二极管，其包括半导体叠层和第一电极。半导体叠层包括依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层，第一半导体层的表面具有粗化结构。第一电极设置在第一半导体层的表面。其中，部分的所述第一电极覆盖所述粗化结构，其余部分的所述第一电极未覆盖所述粗化结构。

2、本发明还提供一种发光装置，其包括电路板和发光二极管，发光二极管设置在电路板上，发光二极管采用上述任一实施例提供的发光二极管。

3、本发明一实施例提供的一种发光二极管及发光装置，通过第一电极覆盖粗化结构的设置，使得第一电极在蒸镀的过程中有部分区域直接蒸镀在粗化结构上，从而使该区域形成了相对较低的接触势垒，因此在空间上第一电极和第一半导体层的接触区域就形成了高接触势垒区与低接触势垒区，而电流更倾向经由低接触势垒区向发光区传输的扩散路径，因此可以有效改善发光二极管的电流扩展性能，提升发光二极管的品质。

4、本发明的其它特征和有益效果将在随后的说明书中阐述，并且，部分的技术特征和有益效果可以从说明书中显而易见地得出，或者是通过实施本发明而了解。

1.一种发光二极管，其特征在于：所述发光二极管包括：

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：相较于覆盖所述粗化结构的部分第一电极，未覆盖所述粗化结构的其余部分第一电极更接近于所述第一电极的几何中心。

3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第一电极包括侧边区域和中心区域，所述侧边区域连接所述中心区域，覆盖所述粗化结构的部分第一电极位于所述侧边区域，未覆盖所述粗化结构的其余部分第一电极位于所述中心区域。

4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：覆盖所述粗化结构的部分第一电极的面积大于等于未覆盖所述粗化结构的其余部分第一电极的面积。

5.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：覆盖所述粗化结构的部分第一电极和未覆盖所述粗化结构的其余部分第一电极的面积比值范围不大于2。

6.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：覆盖所述粗化结构的部分第一电极和未覆盖所述粗化结构的其余部分第一电极的面积比值范围不大于2/3。

7.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述发光二极管还包括第二电极、绝缘层、电流阻挡层、键合层、基板和背面金属层，所述第二电极设置在所述第二半导体层的下表面，所述绝缘层覆盖所述半导体叠层，所述电流阻挡层设置在所述第二半导体层的下表面并连接所述第二电极，所述键合层设置在所述第二电极的下表面，所述基板设置在所述键合层的下表面，所述背面金属层设置在所述基板的下表面。

8.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述粗化结构的粗糙度为0 .2 ~ 1μm。

9.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述发光二极管的电流密度≥1a/mm2。

10.一种发光装置，其特征在于：所述发光装置包括电路板和发光二极管，所述发光二极管设置在所述电路板上，所述发光二极管采用如权利要求1~9中任一项所述的发光二极管。