一种LED芯片的制备方法和LED芯片与流程

本技术涉及led芯片，尤其涉及一种led芯片的制备方法和led芯片。

背景技术：

1、led芯片由于其高效节能、使用寿命长、绿色环保、色彩丰富等优点，得到迅猛的发展，已广泛替代了传统的照明光源。常规的led芯片由于电极的挡光和吸光效应，会使得芯片发光效率降低，提升电极的光反射率可以有效提升芯片的发光效率。

2、传统正装led芯片的电极结构中最下面一层（也即最接近外延结构的一层）一般是低反射率的粘附金属层（例如cr、ni或ti等），通常来说电极中金属粘附层的厚度越薄，电极的反射率越高，led芯片的亮度也就越高。然而该层金属粘附层却不能太薄，否则会出现打线掉电极异常。因此，导致电极反射率受限，无法达到接近高反射金属层（例如al）的理想反射率值。

技术实现思路

1、有鉴于此，本技术提供了一种led芯片的制备方法和led芯片，方案如下：

2、本技术提供了一种led芯片的制备方法，包括：

3、提供一衬底；

4、在所述衬底一侧形成外延结构，形成所述外延结构包括沿远离所述衬底方向依次形成层叠排布的n型层、量子阱层和p型层，其中，所述量子阱层和所述p型层裸露部分所述n型层；

5、在所述外延结构远离所述衬底一侧形成电流控制层，形成所述电流控制层包括形成第一部分，所述第一部分位于所述p型层远离所述衬底的一侧，所述第一部分包括图形化区域，所述图形化区域裸露所述p型层与其相对应的部分；

6、对所述p型层被所述图形化区域裸露的部分进行钝化处理，形成高阻的钝化区域；

7、对所述p型层被所述图形化区域裸露的部分进行钝化处理之后，对所述电流控制层和所述外延结构进行预处理，将金属电极设置于预处理之后的所述电流控制层远离所述外延结构的一侧，以增强所述电流控制层以及所述外延结构与所述金属电极之间的粘附力；

8、其中，位于所述第一部分远离所述外延结构一侧的所述金属电极通过所述图形化区域与所述p型层中高阻的所述钝化区域相接。

9、可选地，形成所述电流控制层还包括形成第二部分，所述第二部分位于所述n型层的裸露部分远离所述衬底的一侧。

10、可选地，形成所述电流控制层包括：

11、在所述外延结构远离所述衬底一侧形成电流阻挡层，所述电流阻挡层包括位于所述p型层远离所述衬底一侧的第一电流阻挡层部分，以及位于所述n型层的裸露部分远离所述衬底一侧的第二电流阻挡层部分；

12、在所述第一电流阻挡层部分远离所述外延结构一侧形成透明导电层；

13、所述第一电流阻挡层部分包括第一图形化区域，所述第一图形化区域裸露所述p型层与其相对的部分；所述透明导电层包括第二图形化区域，所述第二图形化区域裸露所述第一图形化区域。

14、可选地，所述对所述p型层被所述图形化区域裸露的部分进行钝化处理包括：

15、形成所述透明导电层之后，利用预设等离子体对所述p型层被所述第一图形化区域裸露的部分进行钝化处理，形成高阻的所述钝化区域；

16、其中，所述预设等离子体包括对所述p型层被所述第一图形化区域裸露的部分进行钝化处理的至少一种等离子体。

17、可选地，所述钝化区域沿所述p型层远离所述衬底一侧向所述p型层内部延伸，所述钝化区域位于所述p型层的内部，或，所述钝化区域贯穿所述p型层。

18、可选地，所述金属电极包括p金属电极和n金属电极，所述将金属电极设置于预处理之后的所述电流控制层远离所述外延结构的一侧包括：

19、在所述第一部分远离所述外延结构一侧形成所述p金属电极，且所述p金属电极通过所述图形化区域与所述p型层中高阻的所述钝化区域相接；

20、在所述第二部分远离所述外延结构一侧形成所述n金属电极；

21、其中，沿远离所述外延结构的方向，所述p金属电极和所述n金属电极依次包括粘接层、反射层、阻挡层和键合层，所述粘接层的厚度不大于预设值；或，沿远离所述外延结构的方向，所述p金属电极和所述n金属电极依次包括反射层、阻挡层和键合层。

22、本技术还提供了一种led芯片，所述led芯片为利用上述任一项所述的led芯片的制备方法所制得的led芯片，包括：

23、衬底；

24、位于所述衬底一侧的外延结构，所述外延结构包括沿远离所述衬底方向依次层叠排布的n型层、量子阱层和p型层，其中，所述量子阱层和所述p型层裸露部分所述n型层；

25、位于所述外延结构远离所述衬底一侧的电流控制层，所述电流控制层包括第一部分，所述第一部分位于所述p型层远离所述衬底的一侧；

26、所述第一部分包括图形化区域，所述图形化区域裸露所述p型层与其对应的部分，且所述p型层被所述图形化区域裸露的部分包括高阻的钝化区域；

27、位于所述电流控制层远离所述外延结构一侧的金属电极，其中，位于所述第一部分远离所述外延结构一侧的所述金属电极通过所述图形化区域与所述p型层中高阻的所述钝化区域相接。

28、可选地，所述电流控制层还包括第二部分，所述第二部分位于所述n型层的裸露部分远离所述衬底的一侧。

29、可选地，所述电流控制层包括电流阻挡层和透明导电层；

30、所述电流阻挡层位于所述外延结构远离所述衬底的一侧，所述电流阻挡层包括位于所述p型层远离所述衬底一侧的第一电流阻挡层部分，以及位于所述n型层的裸露部分远离所述衬底一侧的第二电流阻挡层部分；

31、所述透明导电层位于所述第一电流阻挡层部分远离所述外延结构的一侧；

32、所述第一电流阻挡层部分包括第一图形化区域，所述第一图形化区域裸露所述p型层与其相对的部分；所述透明导电层包括第二图形化区域，所述第二图形化区域裸露所述第一图形化区域。

33、可选地，所述钝化区域沿所述p型层远离所述衬底一侧向所述p型层内部延伸，所述钝化区域位于所述p型层的内部，或，所述钝化区域贯穿所述p型层。

34、可选地，所述金属电极包括p金属电极和n金属电极；所述p金属电极位于所述第一部分远离所述衬底的一侧，且所述p金属电极通过所述图形化区域与所述p型层中高阻的所述钝化区域相接；所述n金属电极位于所述第二部分远离所述衬底的一侧；

35、其中，沿远离所述外延结构的方向，所述p金属电极和所述n金属电极依次包括粘接层、反射层、阻挡层和键合层，所述粘接层的厚度不大于预设值；或，沿远离所述外延结构的方向，所述p金属电极和所述n金属电极依次包括反射层、阻挡层和键合层。

36、可选地，所述预设值的取值为15埃。

37、与已有技术相比较，本技术的技术方案的有益效果如下：

38、该制备方法进行离子源预处理之前，对p型层被第一部分的图形化区域所裸露的裸露区域进行钝化处理，进而在p型层的裸露区域远离衬底的一侧形成高阻的钝化区域，并且该钝化区域用于与位于第一部分远离外延结构一侧的金属电极相接。基于此，切断了外延结构中与上述p型层裸露区域相对应的部分在离子源预处理过程中的漏电通道，也即从根本上杜绝了外延结构中与上述p型层裸露区域相对应的部分，由于在离子源预处理过程中受到损伤而产生漏电通道。因此，该制备方法中可以采用离子源预处理对由电流控制层和外延结构所构成的片源进行预处理，增强电流控制层以及外延结构与金属电极中金属粘接层之间的粘附力，且外延结构中与上述p型层裸露区域相对应的部分也不会由于离子源预处理而产生漏电通道，可以减薄甚至去除金属电极中的粘结金属层，进而提高金属电极的反射率，以使得led芯片的亮度得到提升。与此同时，离子源预处理还有助于金属电极与片源表面形成更佳的欧姆接触，达到降低led芯片电压的目的。