滤波器、滤波器的形成方法以及电子设备与流程

本发明实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种滤波器、滤波器的形成方法以及电子设备。

背景技术：

1、无线通信设备的射频（radio frequency，rf）前端芯片包括功率放大器、天线开关、射频滤波器、多工器和低噪声放大器等。其中，射频滤波器包括压电声表面波(surfaceacoustic wave，saw)滤波器、压电体声波（bulk acoustic wave，baw）滤波器、微机电系统（micro-electro-mechanical system，mems）滤波器、集成无源装置（integrated passivedevices，ipd）滤波器等。

2、saw滤波器的品质因数值（q值）较高，由saw滤波器制作成低插入损耗、高带外抑制的射频滤波器。saw滤波器作为目前无线通信设备中使用较为广泛的滤波器，高可靠性的saw滤波器可以延长电子设备的使用寿命，扩大使用范围。

3、目前，saw滤波器的性能仍有待提高。

技术实现思路

1、本发明实施例解决的问题是提供一种滤波器、滤波器的形成方法以及电子设备，有利于改善滤波器的可靠性。

2、为解决上述问题，本发明实施例提供一种滤波器的形成方法，包括：提供基底，所述基底上形成有叉指换能器，所述叉指换能器包括连接部；在所述基底上形成具有第一开口的调频层，所述调频层覆盖所述叉指换能器，且所述第一开口暴露出所述连接部的至少部分表面；在所述第一开口中形成焊盘，且所述焊盘与所述连接部电连接；形成所述焊盘之后，对所述调频层的预定区域进行减薄处理；对所述调频层的预定区域进行减薄处理之后，形成覆盖所述调频层和焊盘的钝化层。

3、可选的，在所述第一开口中形成焊盘的步骤包括：在所述调频层上形成具有第一掩膜开口的第一掩膜层；其中，所述第一掩膜开口与形成在所述调频层中的所述第一开口相连通，所述第一掩膜开口经由所述第一开口露出所述连接部；在所述第一开口中形成焊盘材料层，所述焊盘材料层还位于所述第一掩膜层上；去除所述第一掩膜层以及位于所述第一掩膜层上的焊盘材料层，位于所述第一开口中的剩余所述焊盘材料层作为焊盘。

4、可选的，在所述基底上形成具有第一开口的调频层的步骤包括：形成覆盖所述基底和所述叉指换能器的所述调频层；图形化所述调频层，在所述调频层中形成第一开口；图形化所述调频层之前，在所述调频层上形成具有第一掩膜开口的第一掩膜层，所述第一掩膜开口露出覆盖所述连接部的调频层；图形化所述调频层的步骤中，去除所述第一掩膜开口底部的调频层，在所述调频层中形成与所述第一掩膜开口相连通的第一开口。

5、可选的，形成覆盖所述基底和所述叉指换能器的所述调频层的工艺包括物理气相沉积工艺、化学气相沉积工艺或原子层沉积工艺。

6、可选的，对所述调频层的预定区域进行减薄处理的工艺包括修整工艺。

7、可选的，形成覆盖所述调频层和焊盘的钝化层之后，还包括：在所述钝化层中形成第二开口，所述第二开口露出所述焊盘的至少部分表面；在所述第二开口中形成焊球，且所述焊球电连接所述焊盘。

8、可选的，在所述第二开口中形成焊球的步骤包括：在所述钝化层上形成具有第二掩膜开口的第二掩膜层；其中，所述第二掩膜开口与形成在所述钝化层中的所述第二开口相连通，所述第二掩膜开口经由所述第二开口露出所述焊盘；在所述第二掩膜开口和所述第二开口中形成所述焊球；形成所述焊球之后，所述形成方法还包括：去除所述第二掩膜层。

9、可选的，在所述钝化层中形成第二开口的步骤包括：在所述钝化层上形成具有第二掩膜开口的第二掩膜层，所述第二掩膜开口露出覆盖所述焊盘的钝化层；以所述第二掩膜层为掩膜，去除所述第二掩膜开口底部的钝化层，在所述钝化层中形成与所述第二掩膜开口相连通的第二开口。

10、可选的，形成覆盖所述调频层和焊盘的钝化层的工艺包括物理气相沉积工艺、化学气相沉积工艺或者原子层沉积工艺。

11、相应的，本发明实施例还提供一种滤波器，包括：基底；叉指换能器，位于所述基底上，所述叉指换能器包括连接部；调频层，覆盖所述基底和所述叉指换能器，且所述调频层露出所述连接部的至少部分表面，被所述调频层暴露的所述连接部表面作为所述连接部的第一互连区，所述调频层包括调频区和非调频区，位于所述调频区的所述调频层厚度小于位于所述非调频区的所述调频层厚度；焊盘，位于所述调频层的侧部且覆盖所述连接部的第一互连区，所述焊盘与所述连接部电连接；钝化层，覆盖所述调频层和所述焊盘。

12、可选的，所述钝化层露出所述焊盘的至少部分表面，被所述钝化层暴露的所述焊盘表面作为所述焊盘的第二互连区；所述滤波器还包括：焊球，位于所述钝化层的侧部且覆盖所述焊盘的第二互连区，所述焊球与所述焊盘电连接。

13、可选的，所述叉指换能器包括叉指电极，所述叉指电极包括所述连接部和位于所述连接部侧部的电极指，且所述连接部电连接所述电极指。

14、相应的，本发明还提供一种电子设备，包括本发明任一实施例所述的滤波器

15、与现有技术相比，本发明实施例的技术方案具有以下优点：

16、本发明实施例提供一种滤波器的形成方法中，在叉指换能器上形成具有第一开口的调频层后，在第一开口中形成焊盘，随后对所述预定区域的调频层进行减薄处理后形成覆盖调频层和焊盘的钝化层，从而避免了钝化层的损伤，使得钝化层的膜层质量较高，相应使得钝化层对焊盘和调频层的保护作用得到保障，从而改善了滤波器的可靠性。

17、本发明实施例提供一种滤波器中，所述调频层暴露的所述连接部表面作为所述连接部的第一互连区，所述调频区的所述调频层厚度小于非调频区的所述调频层厚度，焊盘位于第一互连区，且钝化层覆盖所述调频层和所述焊盘，即钝化层是在调频层减薄处理之后形成，从而避免了钝化层的损伤，使得钝化层的膜层质量较高，相应使得钝化层对焊盘和调频层的保护作用得到保障，从而改善了滤波器的可靠性。

1.一种滤波器的形成方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的滤波器的形成方法，其特征在于，在所述第一开口中形成焊盘的步骤包括：在所述调频层上形成具有第一掩膜开口的第一掩膜层；其中，所述第一掩膜开口与形成在所述调频层中的所述第一开口相连通，所述第一掩膜开口经由所述第一开口露出所述连接部；

3.如权利要求2所述的滤波器的形成方法，其特征在于，在所述基底上形成具有第一开口的调频层的步骤包括：形成覆盖所述基底和所述叉指换能器的所述调频层；图形化所述调频层，在所述调频层中形成第一开口；

4.如权利要求1~3中任一项所述的滤波器的形成方法，其特征在于，形成所述调频层的工艺包括物理气相沉积工艺、化学气相沉积工艺或原子层沉积工艺。

5.如权利要求1所述的滤波器的形成方法，其特征在于，对所述调频层的预定区域进行减薄处理的工艺包括修整工艺。

6.如权利要求1所述的滤波器的形成方法，其特征在于，形成覆盖所述调频层和焊盘的钝化层之后，还包括：在所述钝化层中形成第二开口，所述第二开口露出所述焊盘的至少部分表面；

7.如权利要求6所述的滤波器的形成方法，其特征在于，在所述第二开口中形成焊球的步骤包括：在所述钝化层上形成具有第二掩膜开口的第二掩膜层；其中，所述第二掩膜开口与形成在所述钝化层中的所述第二开口相连通，所述第二掩膜开口经由所述第二开口露出所述焊盘；

8.如权利要求7所述的滤波器的形成方法，其特征在于，在所述钝化层中形成第二开口的步骤包括：在所述钝化层上形成具有第二掩膜开口的第二掩膜层，所述第二掩膜开口露出覆盖所述焊盘的钝化层；

9.如权利要求1所述的滤波器的形成方法，其特征在于，形成覆盖所述调频层和焊盘的钝化层的工艺包括物理气相沉积工艺、化学气相沉积工艺或者原子层沉积工艺。

10.一种滤波器，其特征在于，包括：

11.如权利要求10所述的滤波器，其特征在于，所述钝化层露出所述焊盘的至少部分表面，被所述钝化层暴露的所述焊盘表面作为所述焊盘的第二互连区；

12.如权利要求10所述的滤波器，其特征在于，所述叉指换能器包括叉指电极，所述叉指电极包括所述连接部和位于所述连接部侧部的电极指，且所述连接部电连接所述电极指。

13.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求10～12任一项所述的滤波器。