用于沉积低介电常数介电膜的系统和方法与流程

本技术涉及沉积工艺和腔室。更具体而言，本技术涉及产生低介电常数(low-k)膜的方法，所述方法可不使用uv处理。

背景技术：

1、通过在基板表面上生产错综复杂图案化的材料层的工艺，可制作集成电路。在基板上产生经图案化材料需要用于形成并移除材料的受控方法。材料特性可能影响装置如何操作，且还可影响相对于彼此移除膜的方式。等离子体增强沉积可产生具有某些特性的膜。为了提供合适的性质，许多膜的形成需要额外处理以调节或增强膜的材料特性。

2、因此，需要可用于产生高品质装置和结构的改良的系统和方法。本技术可满足这些和其他需求。

技术实现思路

1、形成含硅和碳材料的示例性方法可包括：将含硅和碳前驱物流入半导体处理腔室的处理区域内。半导体处理腔室的处理区域内容置基板。所述方法可包括：在处理区域内形成含硅和碳前驱物的等离子体。可在高于15 mhz的频率下形成等离子体。所述方法可包括：将含硅和碳材料沉积于基板上。所沉积的含硅和碳材料的特征在于：低于或约3.0的介电常数。

2、在一些实施例中，含硅和碳前驱物可包括氧。含硅和碳前驱物的特征可在于：大于1的碳对硅比率。可在高于或约27 mhz的频率下形成等离子体。所沉积的含硅和碳材料的特征可在于：低于或约2.8的介电常数。所沉积的含硅和碳材料的特征可在于：大于或约1 gpa的硬度。所沉积的含硅和碳材料的特征可在于：大于或约5 gpa的杨氏模数。所沉积的含硅和碳材料的特征可在于：大于或约3%的甲基结合（methyl incorporation）。所沉积的含硅和碳材料的特征可在于：大于或约1.2的甲基结合对非甲基碳结合（non-methyl carbonincorporation）比率。

3、本技术的一些实施例可包括形成含硅和碳材料的方法。所述方法可包括：将沉积前驱物提供至半导体处理腔室的处理区域内，其中半导体处理腔室的处理区域内容置基板，且其中沉积前驱物的特征在于化学式1：

4、

5、其中在化学式1中，r1可包括-ch3或-ch2ch3，

6、r2可包括-ch3或-ch2ch3，

7、r3可包括-ch3、-och3或h，且

8、r4可包括-(ch2)nch3、-o(ch2)nch3、-ch=ch2、-ch2-ch2-(ch2ch3)2、-ch2-ch(ch3)2。所述方法可包括：在处理区域内形成沉积前驱物的等离子体。可在高于27 mhz的频率下形成等离子体。所述方法可包括：将含硅和碳材料沉积于基板上。所沉积的含硅和碳材料的特征可在于：低于或约3.0的介电常数。

9、在一些实施例中，沉积前驱物的特征可在于：大于或约3的碳对硅比率。沉积前驱物的特征可在于：大于或约1.5的氧对硅比率。所沉积的含硅和碳材料的特征可在于：低于或约2.8的介电常数。所沉积的含硅和碳材料的特征可在于：大于或约1 gpa的硬度。所沉积的含硅和碳材料的特征可在于：大于或约5 gpa的杨氏模数。所沉积的含硅和碳材料的特征可在于：大于或约3%的甲基结合。所沉积的含硅和碳材料的特征可在于：大于或约1.2的甲基结合对非甲基碳结合比率。

10、本技术的一些实施例可包括形成含硅和碳材料的方法。所述方法可包括：将含硅和碳和氧前驱物流入半导体处理腔室的处理区域内。半导体处理腔室的处理区域内容置基板。所述方法可包括：在处理区域内形成含硅和碳和氧前驱物的等离子体。可在高于或约27mhz的频率下形成等离子体。所述方法可包括：将含硅和碳材料沉积于基板上。所沉积的含硅和碳材料的特征可在于：低于或约2.9的介电常数。

11、在一些实施例中，所沉积的所述含硅和碳材料的特征在于：大于或约1 gpa的硬度。所沉积的含硅和碳材料的特征可在于：大于或约5 gpa的杨氏模数。所沉积的含硅和碳材料的特征可在于：大于或约3%的甲基结合。

12、这样的技术可相对于常规系统和技术提供许多益处。举例而言，利用更高频率的功率可改善沉积特性。此外，将低介电常数形成减少为单个腔室工艺可减少生产成本、所有权的成本和生产排程时间。结合以下描述和附图更详细地描述这些和其他实施例以及它们的诸多优点和特征。

1.一种形成含硅和碳材料的方法，所述方法包括：

2.如权利要求1所述的形成含硅和碳材料的方法，其中所述含硅和碳前驱物进一步包括氧。

3.如权利要求2所述的形成含硅和碳材料的方法，其中所述含硅和碳前驱物的特征在于：大于1的碳对硅比率。

4.如权利要求1所述的形成含硅和碳材料的方法，其中在高于或约27 mhz的频率下形成所述等离子体。

5.如权利要求1所述的形成含硅和碳材料的方法，其中所沉积的所述含硅和碳材料的特征在于：低于或约2.8的介电常数。

6.如权利要求1所述的形成含硅和碳材料的方法，其中所沉积的所述含硅和碳材料的特征在于：大于或约1 gpa的硬度。

7.如权利要求1所述的形成含硅和碳材料的方法，其中所沉积的所述含硅和碳材料的特征在于：大于或约5 gpa的杨氏模数。

8.如权利要求1所述的形成含硅和碳材料的方法，其中所沉积的所述含硅和碳材料的特征在于：大于或约1.2的甲基结合对非甲基碳结合比率。

9.一种形成含硅和碳材料的方法，所述方法包括：

10.如权利要求9所述的形成含硅和碳材料的方法，其中所述沉积前驱物的特征在于：大于或约3的碳对硅比率。

11.如权利要求9所述的形成含硅和碳材料的方法，其中所述沉积前驱物的特征在于：大于或约1.5的氧对硅比率。

12.如权利要求9所述的形成含硅和碳材料的方法，其中所沉积的所述含硅和碳材料的特征在于：低于或约2.8的介电常数。

13.如权利要求9所述的形成含硅和碳材料的方法，其中所沉积的所述含硅和碳材料的特征在于：大于或约1 gpa的硬度。

14.如权利要求9所述的形成含硅和碳材料的方法，其中所沉积的所述含硅和碳材料的特征在于：大于或约5 gpa的杨氏模数。

15.如权利要求9所述的形成含硅和碳材料的方法，其中所沉积的所述含硅和碳材料的特征在于：大于或约1.2的甲基结合对非甲基碳结合比率。

16.一种形成含硅和碳材料的方法，所述方法包括：

17.如权利要求16所述的形成含硅和碳材料的方法，其中所沉积的所述含硅和碳材料的特征在于：大于或约1 gpa的硬度，并且其中所沉积的所述含硅和碳材料的特征在于：大于或约5 gpa的杨氏模数。