具有栅极覆盖的场释放层的半导体装置和其制造方法与流程

本公开涉及半导体装置领域，并且更具体地但非排他地，涉及漏极扩展金属氧化物半导体(demos)晶体管和其它漏极扩展晶体管。

背景技术：

1、demos晶体管是用于高功率应用中的场效应晶体管(fet)。demos晶体管是横向扩散金属氧化物半导体(ldmos)晶体管的实例，或者更一般地，是漏极扩展晶体管的实例。在漏极扩展晶体管中，相较于用于其它应用(例如，逻辑应用)的mos晶体管，漏极与源极之间具有相对大的间距，且横向扩散用以在栅极下方产生控制良好的沟道区。漏极扩展晶体管的操作性能通常受包含例如比导通电阻(rsp)和击穿电压(bv)的参数影响。用于漏极扩展晶体管的期望方法是减小rsp并增大bv，或至少改进一个参数而不会以显著方式对另一参数造成不利影响。

技术实现思路

1、本公开描述具有场释放层的半导体装置和其制造方法。此概述并非本公开的详尽综述。实际上，此概述的目的是以简化形式呈现本公开的一些实例，作为稍后呈现的更详细描述的序言。

2、在一个实例中，一种半导体装置包含半导体层、漏极区和源极区，所述漏极区和所述源极区安置在所述半导体层中。所述半导体装置另外包含第一场释放层，其部分地安置在所述半导体层中处于所述漏极区与所述源极区之间。所述半导体装置另外包含栅电极，其安置在所述漏极区与所述源极区之间，所述栅电极部分地安置在所述第一场释放层上。所述半导体装置另外包含第二场释放层，其至少部分地安置在所述第一场释放层上并被所述栅电极覆盖。

3、在另一实例中，一种半导体装置包含半导体层、漏极区和源极区，所述漏极区和所述源极区安置在所述半导体层中。所述半导体装置另外包含氧化硅层，其部分地安置在所述半导体层中处于所述漏极区与所述源极区之间。所述半导体装置另外包含栅极堆叠，其安置在所述漏极区与所述源极区之间，所述栅极堆叠包含栅电极和栅极氧化物层，所述栅电极部分地安置在所述氧化硅层上且部分地安置在所述栅极氧化物层上。所述半导体装置另外包含氮化物层，其部分地安置在所述氧化硅层上，部分地安置在所述栅极氧化物层上，并且被所述栅电极覆盖。

4、在另一实例中，一种制造半导体装置的方法包含部分地在半导体层中形成第一场释放层，所述第一场释放层经由硅局部氧化(locos)工艺而形成。所述方法另外包含至少部分地在所述第一场释放层上形成第二场释放层，所述第二场释放层包含氮化物。所述方法另外包含形成栅电极，所述栅电极部分地安置在所述第一场释放层上并覆盖所述第二场释放层。所述方法另外包含形成漏极区和源极区，所述漏极区靠近所述第一场释放层的第一末端，且所述源极区靠近所述第一场释放层的第二末端。

1.一种半导体装置，其包括：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第二场释放层包含氮化物。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第二场释放层安置在所述第一场释放层的第一末端部分上，所述第一末端部分靠近所述源极区。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中所述第一末端部分包含鸟喙轮廓。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第二场释放层安置在所述半导体层中的漂移区上方，所述漂移区从所述漏极区朝向所述源极区延伸。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其另外包括：

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中所述第二场释放层部分地安置在所述栅极电介质层上。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中所述栅极电介质层具有在所述第二场释放层下方的第一厚度和在所述栅电极下方的第二厚度，所述第一厚度不同于所述第二厚度。

9.一种半导体装置，其包括：

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中所述氮化物层安置在所述氧化硅层的靠近所述源极区的部分上，所述氧化硅层的所述部分包含鸟喙轮廓。

11.根据权利要求9所述的半导体装置，其中所述氮化物层安置在所述半导体层中的漂移区上方，所述漏极区从所述漏极区朝向所述源极区延伸。

12.根据权利要求9所述的半导体装置，其中所述栅极氧化物层具有在所述氮化物层下方的第一厚度和在所述栅电极下方的第二厚度，所述第一厚度小于所述第二厚度。

13.一种制造半导体装置的方法，其包括：

14.根据权利要求13所述的方法，其另外包括：

15.根据权利要求14所述的方法，其中所述栅极电介质层包含经由使用第一温度的第一工艺形成的第一层和经由使用第二温度的第二工艺形成在所述第一层上的第二层，所述第一温度大于所述第二温度。

16.根据权利要求15所述的方法，其中在所述形成所述栅极电介质层的所述第一层和所述形成所述栅极电介质层的所述第二层之后形成所述第二场释放层。

17.根据权利要求15所述的方法，其中在所述形成所述栅极电介质层的所述第一层与所述形成所述栅极电介质层的所述第二层之间形成所述第二场释放层。

18.根据权利要求15所述的方法，其中在所述形成所述栅极电介质层的所述第一层和所述形成所述栅极电介质层的所述第二层之前形成所述第二场释放层。

19.根据权利要求18所述的方法，其另外包括：

20.根据权利要求14所述的方法，其中所述栅极电介质层具有在所述第二场释放层下方的第一厚度和在所述栅电极下方的第二厚度，所述第一厚度不同于所述第二厚度。

21.根据权利要求13所述的方法，其另外包括：