一种晶粒偏移检测方法及相关产品与流程

本申请涉及半导体，特别是涉及一种晶粒偏移检测方法及相关产品。

背景技术：

1、目前行业常规检测方式通常预先在检测配方（recipe）中依据晶圆标准版图规划出固定不变的晶粒（die）分布图（diemap），并记录每颗die的理论标准坐标。在实际检测时，设备通过采集晶圆图像识别单颗die的实际位置，将其与diemap内的预设理论坐标进行比对，从而计算出单颗die的绝对偏移距离，并依据该数值判定是否存在切割偏移不良。然而，这种基于固定分布图的比对方式在实际量产中存在明显弊端，难以满足现场高精度判定的需求。

2、一方面，固定的diemap无法有效适配晶圆的实际形变，导致检测误差较大。晶圆在经历贴膜、扩膜及机械切割等工序时，极易产生整体位移、局部翘曲或胶体拉伸形变，致使die的实际排布与预设的理论diemap之间出现整体偏差。若仅依靠理论固定坐标来计算单点偏移，不仅无法真实反映切割后的物理状态，还容易引发误判或漏判。

3、另一方面，现有方案仅以单颗die的绝对偏移量作为判定依据，忽略了die之间的相对位置关系，未对相邻die的实际间距进行核算。这导致现场常出现两类极端情况：一是单颗die偏移数值虽在合格范围内，但相邻裸片间距过小，给后续加工带来损坏风险；二是单点偏移数值虽偏大，但die间距实际仍满足工艺安全要求，却被无故判定报废。这种片面的判定逻辑显然无法全面保障产品质量与良率。

技术实现思路

1、基于上述问题，本申请提供了一种晶粒偏移检测方法及相关产品。

2、本申请实施例公开了如下技术方案：

3、本申请第一方面提供了一种晶粒偏移检测方法，所述方法包括：

4、基于目标晶圆的初始晶圆图，确定目标晶粒的理论参数；所述初始晶圆图包括具有固定分布位置的多个晶粒，且任一晶粒能够被配置为所述目标晶粒；所述目标晶粒的理论参数至少包括理论中心点坐标；

5、对所述初始晶圆图进行动态修正处理，得到目标晶圆的实际晶圆图；

6、基于所述实际晶圆图，确定目标晶粒的实际参数和领域参数；所述实际参数至少包括实际中心点坐标和目标边缘轮廓坐标；所述领域参数至少包括与所述目标晶粒相邻的每个领域晶粒的领域边缘轮廓坐标；

7、基于所述目标晶粒的理论参数、实际参数和领域参数，得到目标晶粒的偏移检测结果。

8、本申请第二方面提供了一种晶粒偏移检测装置，所述晶粒偏移检测装置包括：

9、参数确定模块，用于基于目标晶圆的初始晶圆图，确定目标晶粒的理论参数；所述初始晶圆图包括具有固定分布位置的多个晶粒，且任一晶粒能够被配置为所述目标晶粒；所述目标晶粒的理论参数至少包括理论中心点坐标；

10、修正模块，用于对所述初始晶圆图进行动态修正处理，得到目标晶圆的实际晶圆图；

11、参数确定模块，还用于基于所述实际晶圆图，确定目标晶粒的实际参数和领域参数；所述实际参数至少包括实际中心点坐标和目标边缘轮廓坐标；所述领域参数至少包括与所述目标晶粒相邻的每个领域晶粒的领域边缘轮廓坐标；

12、检测模块，用于基于所述目标晶粒的理论参数、实际参数和领域参数，得到目标晶粒的偏移检测结果。

13、本申请第三方面提供了一种计算机程序产品，包括计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现第一方面提供的晶粒偏移检测方法。

14、相较于现有技术，本申请具有以下有益效果：

15、本申请包括基于目标晶圆的初始晶圆图，确定目标晶粒的理论参数；所述初始晶圆图包括具有固定分布位置的多个晶粒，且任一晶粒能够被配置为所述目标晶粒；所述目标晶粒的理论参数至少包括理论中心点坐标；对所述初始晶圆图进行动态修正处理，得到目标晶圆的实际晶圆图；基于所述实际晶圆图，确定目标晶粒的实际参数和领域参数；所述实际参数至少包括实际中心点坐标和目标边缘轮廓坐标；所述领域参数至少包括与所述目标晶粒相邻的每个领域晶粒的领域边缘轮廓坐标；基于所述目标晶粒的理论参数、实际参数和领域参数，得到目标晶粒的偏移检测结果。

16、本申请通过“对初始晶圆图进行动态修正处理，得到目标晶圆的实际晶圆图”，能够实时追踪并拟合晶圆在贴膜、扩膜及切割过程中产生的整体位移、局部翘曲或胶体拉伸等形变情况。通过将理论参数与动态修正后的实际分布图相结合，本申请能够更真实地反映晶圆切割后的物理状态，有效解决了因固定坐标与实际位置偏差导致的检测误差问题，显著提升了检测的鲁棒性和精度。

17、本申请在检测过程中引入了“领域参数”，具体包括“与目标晶粒相邻的每个领域晶粒的领域边缘轮廓坐标”，并结合目标晶粒的“实际中心点坐标和目标边缘轮廓坐标”进行综合判定。本申请不仅关注单颗晶粒是否偏离理论位置，更核心地核算了目标晶粒与相邻晶粒之间的实际物理间距，避免了现有技术中因判定逻辑片面而导致的后续加工损坏或无故报废问题，有效提升了产品的最终良率。通过融合目标晶粒的理论参数、自身的实际参数（中心点及轮廓）以及周边的领域参数（邻域轮廓），本申请能够全方位地评估切割质量，既修正了全局坐标系偏差，又精细化管控了局部切割风险，满足了现代半导体制造对高精度、高可靠性检测的严苛需求。

1.一种晶粒偏移检测方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的晶粒偏移检测方法，其特征在于，所述基于目标晶圆的初始晶圆图，确定目标晶粒的理论参数，具体包括：

3.根据权利要求1所述的晶粒偏移检测方法，其特征在于，所述对所述初始晶圆图进行动态修正处理，得到目标晶圆的实际晶圆图，具体包括：

4.根据权利要求3所述的晶粒偏移检测方法，其特征在于，所述理论参数还包括理论物理坐标，所述基于所述多张扫描图像和所述初始晶圆图，得到每个晶粒的坐标偏移值，具体包括：

5.根据权利要求4所述的晶粒偏移检测方法，其特征在于，所述对所述初始全域图像进行特征提取处理，得到增强全域图像，具体包括：

6.根据权利要求1所述的晶粒偏移检测方法，其特征在于，所述基于所述目标晶粒的理论参数、实际参数和领域参数，得到目标晶粒的偏移检测结果，具体包括：

7.根据权利要求6所述的晶粒偏移检测方法，其特征在于，所述基于所述目标晶粒的中心偏移值、角度偏移值和边缘相距数据，得到目标晶粒的偏移检测结果，具体包括：

8.根据权利要求7所述的晶粒偏移检测方法，其特征在于，所述方法还包括：

9.一种晶粒偏移检测装置，其特征在于，所述晶粒偏移检测装置包括：

10.根据权利要求9所述的晶粒偏移检测装置，其特征在于，所述修正模块，具体包括：

11.根据权利要求10所述的晶粒偏移检测装置，其特征在于，所述坐标偏移值计算单元，具体包括：

12.一种计算机程序产品，包括计算机程序，其特征在于，该计算机程序被处理器执行时实现权利要求1-8中任一项所述的晶粒偏移检测方法。