一种半导体器件的制作方法

本发明属于半导体，特别涉及一种半导体器件。

背景技术：

1、随着电力电子技术的快速发展，对高效率、高功率密度、高工作温度的功率器件的需求日益迫切。第三代半导体材料具有禁带宽度大、击穿电场高、电子饱和漂移速度快、热导率高等优点，被认为是下一代高性能功率器件的理想材料。但是当使用第三代半导体材料作为半导体器件的材料时，半导体器件会存在电场不均的问题，使得半导体器件易被击穿。

技术实现思路

1、本发明的目的在于提供一种半导体器件，能解决半导体器件存在电场不均的，使得半导体器件易被击穿的问题。

2、为解决上述技术问题，本发明是通过以下技术方案实现的：

3、本发明提供一种半导体器件，至少包括：

4、衬底；

5、沟道层，设置在所述衬底上；

6、第一势垒层，设置在所述沟道层上，且所述第一势垒层覆盖所述沟道层；

7、p型半导体层，设置在所述第一势垒层上；

8、栅极，设置在所述半导体层上；

9、源极，设置在所述第一势垒层上；

10、漏极，设置在所述第一势垒层上；

11、其中，所述第一势垒层具有柱状晶体结构。

12、在一实施例中，半导体器件还包括第二势垒层，形成于该第一势垒层上。

13、在一实施例中，部分所述第二势垒层延伸至所述p型半导体层及栅极之间。

14、在一实施例中，部分所述第二势垒层形成于所述p型半导体层及栅极之间。

15、在一实施例中，半导体器件还包括至少一介质层，形成于该第二势垒层及栅极之间。

16、在一实施例中，部分所述第二势垒层形成于所述p型半导体层及栅极上。

17、在一实施例中，半导体器件还包括：

18、再生长半导体层，形成于所述源极及第一势垒层之间；

19、另一再生长半导体层，形成于所述漏极及第一势垒层之间。

20、在一实施例中，所述再生长半导体层嵌入所述第一势垒层中。

21、在一实施例中，在所述栅极和所述p型半导体层之间，还包括多层栅极介质层。

22、在一实施例中，栅极介质层包括第一氮化钛层、第一氮化硅层、高介电常数层、第二氮化钛层、氧化层和第二氮化硅层中的一层或几层。

23、在本发明一实施例中，所述沟道层的为氮化镓层，所述第一势垒层和所述第二势垒层为氮化铝镓层。

24、在本发明一实施例中，所述第一势垒层和所述第二势垒层的材料为al0.2ga0.8n。

25、在本发明一实施例中，所述第二势垒层的厚度大于所述第一势垒层的厚度。

26、在本发明一实施例中，所述半导体器件还包括n型氮化镓层，所述n型氮化镓层设置在所述源极和所述第一势垒层之间，以及所述漏极和所述第一势垒层之间。

27、在本发明一实施例中，所述n型氮化镓层为重掺杂氮化镓层。

28、在本发明一实施例中，在所述栅极和所述p型氮化镓层之间，还包括多层栅极介质层。

29、在本发明一实施例中，栅极介质层包括第一氮化钛层、第一氮化硅层、高介电常数层、第二氮化钛层、氧化层和第二氮化硅层中的一层或几层。

30、本发明还提供一种电子设备，包括如上任意一项所述半导体器件。

31、本发明还提供一种射频装置，包括如上任意一项所述半导体器件。

32、综上所述，本发明提供的一种半导体器件可使使电场分布更平滑，提升击穿电压。

1.一种半导体器件，其特征在于，至少包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括第二势垒层，形成于该第一势垒层上。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，部分所述第二势垒层延伸至所述p型半导体层及栅极之间。

4.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，部分所述第二势垒层形成于所述p型半导体层及栅极之间。

5.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，还包括至少一介质层，形成于该第二势垒层及栅极之间。

6.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，部分所述第二势垒层形成于所述p型半导体层及栅极上。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括:

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，所述再生长半导体层嵌入所述第一势垒层中。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，在所述栅极和所述p型半导体层之间，还包括多层栅极介质层。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件是功率器件或射频器件。