一种半导体结构及其形成方法与流程

本申请涉及半导体制造，特别涉及一种半导体结构及其形成方法。

背景技术：

1、锗硅源漏技术是提高集成器件运行速度的主要工艺技术，其通过在沟道中提供载流子压应力来提升p型晶体管的载流子迁移率，从而提升半导体器件的电流驱动能力。但是，在工艺生产过程中通常会出现锗硅源漏结构形貌的尺寸不稳定的问题。

技术实现思路

1、本申请提供一种半导体结构的形成方法，包括以下步骤：

2、提供硅衬底，所述硅衬底上设置有掩模层，所述掩模层包括开口，在所述开口处的所述硅衬底上设置氧化硅层；

3、对所述氧化硅层进行饱和处理；

4、依次对所述开口处的氧化硅层和所述硅衬底进行刻蚀处理，以形成锗硅凹槽。

5、可选的，对所述氧化硅层进行饱和处理进一步包括：

6、通过采用含氧的等离子体对所述开口处的所述硅衬底进行等离子体轰击，产生化学反应形成硅氧化合物，以调整所述开口处的氧化硅层的厚度。

7、进一步的，所述开口处的氧化硅层的厚度趋于固定取值。

8、进一步的，所述开口处的氧化硅层厚度由所述等离子体的含氧浓度、所述等离子体轰击的轰击时间或所述饱和处理的工作压力中的至少一个决定。

9、可选的，形成锗硅凹槽进一步包括：

10、在所述开口处，通过各项异性刻蚀工艺刻蚀去除所述开口处的氧化硅层，所述刻蚀停止在所述硅衬底中以形成第一凹槽，所述第一凹槽位于所述硅衬底中；

11、在所述开口处，通过各项同性刻蚀工艺刻蚀所述第一凹槽，以形成第二凹槽；

12、通过各项异性刻蚀工艺刻蚀所述第二凹槽，以形成锗硅凹槽。

13、进一步的，形成所述第一凹槽和所述锗硅凹槽时，采用包含氧气、溴化氢和氦气的混合气体作为刻蚀气体。

14、进一步的，形成所述第二凹槽时，采用包含三氟化氮、氯气和氦气的混合气体作为刻蚀气体。

15、可选的，在形成所述锗硅凹槽之后还包括：

16、经过外延工艺在所述锗硅凹槽中形成锗硅外延层。

17、另一方面，本申请还提供一种半导体结构，采用所述的半导体结构的形成方法制备而成，所述半导体结构包括硅衬底，所述硅衬底上设置有掩模层，所述掩模层包括开口，在所述开口处的硅衬底中形成锗硅凹槽。

18、可选的，还包括锗硅外延层，所述锗硅外延层填充在所述锗硅凹槽中。

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，对所述氧化硅层进行饱和处理进一步包括：

3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述开口处的氧化硅层的厚度趋于固定取值。

4.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述开口处的氧化硅层厚度由所述等离子体的含氧浓度、所述等离子体轰击的轰击时间或所述饱和处理的工作压力中的至少一个决定。

5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成锗硅凹槽进一步包括：

6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第一凹槽和所述锗硅凹槽时，采用包含氧气、溴化氢和氦气的混合气体作为刻蚀气体。

7.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第二凹槽时，采用包含三氟化氮、氯气和氦气的混合气体作为刻蚀气体。

8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在形成所述锗硅凹槽之后还包括：

9.一种半导体结构，其特征在于，采用如权利要求1～8中任一项所述的半导体结构的形成方法制备而成，所述半导体结构包括硅衬底，所述硅衬底上设置有掩模层，所述掩模层包括开口，在所述开口处的硅衬底中形成锗硅凹槽。

10.如权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，还包括锗硅外延层，所述锗硅外延层填充在所述锗硅凹槽中。