滤波器、滤波器的形成方法以及电子设备与流程

本发明实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种滤波器、滤波器的形成方法以及电子设备。

背景技术：

1、体声波滤波器因其具有高q值、低插入损耗以及优良的频率响应特性，已被广泛应用于无线通信系统的射频前端模块中。体声波谐振器是构成体声波滤波器的基本单元，其核心结构通常包括上电极、压电层和下电极，通过压电效应实现电信号与声波信号的相互转换。

2、目前，baw滤波器仍存在良率较低的问题。

技术实现思路

1、本发明实施例解决的问题是提供一种滤波器、滤波器的形成方法以及电子设备，有利于提高滤波器的良率。

2、为解决上述问题，本发明实施例提供一种滤波器，包括：基底；介质层，位于所述基底的顶部，所述介质层包括封装边缘区；压电层，位于所述介质层的顶部，且露出所述封装边缘区的介质层的表面；黏附层，位于所述压电层的顶部，且所述黏附层还覆盖所述压电层朝向所述封装边缘区的侧壁、以及所述封装边缘区的介质层顶部；第一支撑部，位于所述封装边缘区的黏附层的部分顶面上，且还延伸覆盖所述压电层朝向所述封装边缘区的侧壁的黏附层、以及所述压电层顶部中与所述侧壁相连的区域上的黏附层的部分顶面。

3、可选的，所述滤波器还包括：第二支撑部，位于所述黏附层的部分顶面上，且位于所述第一支撑部背离所述封装边缘区的一侧。

4、可选的，所述滤波器还包括：盖帽层，横跨所述第一支撑部和第二支撑部的顶部，且所述盖帽层、第一支撑部、第二支撑部和黏附层围成空腔。

5、可选的，在平行于所述基底顶面的投影面上，所述盖帽层和所述第一支撑部交叠的区域的宽度为30微米至35微米。

6、可选的，在平行于所述基底顶面的投影面上，所述第一支撑部和所述压电层的顶部交叠的区域的宽度为10微米至15微米。

7、可选的，在平行于所述基底顶面的投影面上，所述第一支撑部和所述介质层的顶部交叠的区域的宽度为10微米至15微米。

8、可选的，所述黏附层的材料包括氮化硅或者氮氧化硅。

9、可选的，所述压电层朝向所述封装边缘区的侧壁与所述封装边缘区的介质层顶面的夹角呈钝角。

10、相应的，本发明还提供一种电子设备，包括：本发明任一实施例所述的滤波器。

11、相应的，本发明实施例还提供一种滤波器的形成方法，包括：提供基底，所述基底上形成有介质层，所述介质层包括封装边缘区；在所述介质层上形成压电层，所述压电层覆盖所述封装边缘区；在所述压电层的顶部形成保护层；去除所述封装边缘区的压电层和保护层，以露出所述封装边缘区的介质层顶部；去除所述封装边缘区的压电层和保护层之后，去除剩余的所述保护层；去除剩余的所述保护层之后，在所述压电层的顶部形成黏附层，且所述黏附层还覆盖所述压电层朝向所述封装边缘区的侧壁、以及所述封装边缘区的介质层顶部；在所述封装边缘区的黏附层的部分顶面上形成第一支撑部，所述第一支撑部还延伸覆盖所述压电层朝向所述封装边缘区的侧壁的黏附层、以及所述压电层顶部中与所述侧壁相连的区域上的黏附层的部分顶面。

12、可选的，去除所述封装边缘区的压电层和保护层的步骤包括：在所述保护层顶部形成掩膜层，所述掩膜层露出所述封装边缘区的保护层；以所述掩膜层为掩膜，去除所述封装边缘区的保护层，露出所述封装边缘区的压电层；以所述掩膜层和剩余的所述保护层为掩膜，去除所述封装边缘区的压电层。

13、可选的，去除所述封装边缘区的保护层的工艺包括湿法刻蚀工艺。

14、可选的，在所述封装边缘区的黏附层的部分顶面上形成第一支撑部的步骤中，还包括：在所述黏附层的部分顶面上形成第二支撑部，且所述第二支撑部位于所述第一支撑部背离所述封装边缘区的一侧。

15、可选的，在所述封装边缘区的黏附层的部分顶面上形成第一支撑部、以及在所述黏附层的部分顶面上形成第二支撑部之后，还包括：形成横跨所述第一支撑部和第二支撑部的盖帽层，所述盖帽层、第一支撑部、第二支撑部和黏附层围成空腔；形成横跨所述第一支撑部和第二支撑部的盖帽层之后，还包括：对所述盖帽层、第一支撑部和第二支撑部进行烘烤。

16、可选的，对所述盖帽层、第一支撑部和第二支撑部进行烘烤的温度为260摄氏度至280摄氏度。

17、可选的，在所述封装边缘区的黏附层的部分顶面上形成第一支撑部以及在所述黏附层的部分顶面上形成第二支撑部的工艺均包括层压工艺。

18、可选的，所述层压工艺的层压速度为1毫米每秒至3毫米每秒。

19、可选的，在所述压电层的顶部形成保护层的工艺包括等离子体增强化学气相沉积工艺。

20、可选的，所述保护层的材料包括氧化硅或者氮化硅。

21、可选的，在所述压电层的顶部形成黏附层的工艺包括化学气相沉积工艺。

22、现有技术相比，本发明实施例的技术方案具有以下优点：

23、本发明实施例提供一种滤波器的形成方法中，采用先形成保护层，再去除封装边缘区的保护层和压电层，随后去除剩余的保护层，最后沉积黏附层的技术方案，与先形成黏附层，然后再去除封装边缘区的黏附层和压电层的技术方案相比，本申请中的黏附层能够连续覆盖封装边缘区的介质层顶部、压电层朝向所述封装边缘区的侧壁以及压电层顶部，相应增加了黏附层的总面积；此外，在封装边缘区的黏附层的部分顶面上形成了第一支撑部，且第一支撑部还延伸覆盖在所述压电层朝向所述封装边缘区的侧壁的黏附层、以及所述压电层顶部中与所述侧壁相连的区域上的黏附层的部分顶面，避免了第一支撑部同时与黏附层和介质层接触，相应增加了黏附层与第一支撑部之间的接触面积，从而使第一支撑部与黏附层之间形成单一的接触界面，提高了第一支撑部和黏附层之间界面的结合强度，进而提高了滤波器的良率。

24、本发明实施例提供一种滤波器，由于黏附层覆盖压电层的顶部、所述压电层朝向所述封装边缘区的侧壁、以及所述封装边缘区的介质层顶部，且在封装边缘区的黏附层的部分顶面上形成了第一支撑部，第一支撑部还延伸覆盖在所述压电层朝向所述封装边缘区的侧壁的黏附层、以及所述压电层顶部中与所述侧壁相连的区域上的黏附层的部分顶面，与黏附层仅覆盖压电层顶部的方案相比，避免了第一支撑部同时与黏附层和介质层接触，相应增加了黏附层与第一支撑部之间的接触面积，从而使第一支撑部与黏附层之间形成单一的接触界面，提高了第一支撑部和黏附层之间界面的结合强度，进而提高了滤波器的良率。

1.一种滤波器，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的滤波器，其特征在于，所述滤波器还包括：第二支撑部，位于所述黏附层的部分顶面上，且位于所述第一支撑部背离所述封装边缘区的一侧。

3.如权利要求1所述的滤波器，其特征在于，所述滤波器还包括：盖帽层，横跨所述第一支撑部和第二支撑部的顶部，且所述盖帽层、第一支撑部、第二支撑部和黏附层围成空腔。

4.如权利要求3所述的滤波器，其特征在于，在平行于所述基底顶面的投影面上，所述盖帽层和所述第一支撑部交叠的区域的宽度为30微米至35微米。

5.如权利要求1所述的滤波器，其特征在于，在平行于所述基底顶面的投影面上，所述第一支撑部和所述压电层的顶部交叠的区域的宽度为10微米至15微米。

6.如权利要求1所述的滤波器，其特征在于，在平行于所述基底顶面的投影面上，所述第一支撑部和所述介质层的顶部交叠的区域的宽度为10微米至15微米。

7.如权利要求1所述的滤波器，其特征在于，所述黏附层的材料包括氮化硅或者氮氧化硅。

8.如权利要求1所述的滤波器，其特征在于，所述压电层朝向所述封装边缘区的侧壁与所述封装边缘区的介质层顶面的夹角呈钝角。

9.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求1～8任一项所述的滤波器。

10.一种滤波器的形成方法，其特征在于，包括：

11.如权利要求10所述的滤波器的形成方法，其特征在于，去除所述封装边缘区的压电层和保护层的步骤包括：

12.如权利要求11所述的滤波器的形成方法，其特征在于，去除所述封装边缘区的保护层的工艺包括湿法刻蚀工艺。

13.如权利要求10所述的滤波器的形成方法，其特征在于，在所述封装边缘区的黏附层的部分顶面上形成第一支撑部的步骤中，还包括：在所述黏附层的部分顶面上形成第二支撑部，且所述第二支撑部位于所述第一支撑部背离所述封装边缘区的一侧。

14.如权利要求13所述的滤波器的形成方法，其特征在于，在所述封装边缘区的黏附层的部分顶面上形成第一支撑部、以及在所述黏附层的部分顶面上形成第二支撑部之后，还包括：形成横跨所述第一支撑部和第二支撑部的盖帽层，所述盖帽层、第一支撑部、第二支撑部和黏附层围成空腔；

15.如权利要求14所述的滤波器的形成方法，其特征在于，对所述盖帽层、第一支撑部和第二支撑部进行烘烤的温度为260摄氏度至280摄氏度。

16.如权利要求14所述的滤波器的形成方法，其特征在于，在所述封装边缘区的黏附层的部分顶面上形成第一支撑部以及在所述黏附层的部分顶面上形成第二支撑部的工艺包括层压工艺。

17.如权利要求16所述的滤波器的形成方法，其特征在于，所述层压工艺的层压速度为1毫米每秒至3毫米每秒。

18.如权利要求10所述的滤波器的形成方法，其特征在于，在所述压电层的顶部形成保护层的工艺包括等离子体增强化学气相沉积工艺。

19.如权利要求10所述的滤波器的形成方法，其特征在于，所述保护层的材料包括氧化硅或者氮化硅。

20.如权利要求10所述的滤波器的形成方法，其特征在于，在所述压电层的顶部形成黏附层的工艺包括化学气相沉积工艺。