包括接触插塞结构的半导体器件的制作方法

本公开的示例实施例涉及一种半导体器件。

背景技术：

1、dram器件包括位于衬底上的有源图案、沿第一方向延伸的栅极结构、沿第二方向延伸的位线结构、以及在第一方向和第二方向的每一者上设置的电容器，并且接触插塞结构设置在有源图案端部与电容器之间。因此，若该接触插塞结构具有低电阻，dram器件的电特性可能增强。

技术实现思路

1、示例实施例提供一种具有改进特性的半导体器件。

2、根据本发明构思的示例实施例，提供一种半导体器件。所述半导体器件可以包括位于衬底上的有源图案、位于所述有源图案的上部部分中的栅极结构、位于所述有源图案的中心部分上的位线结构、位于所述有源图案的相对端部中的每一者上的接触插塞结构。所述接触插塞结构包括：第一下接触插塞；第二下接触插塞，所述第二下接触插塞设置在所述第一下接触插塞上且在所述半导体器件的垂直截面中具有比所述第一下接触插塞的宽度更大的宽度；欧姆接触图案，所述欧姆接触图案位于所述第二下接触插塞上；以及，上接触插塞，所述上接触插塞位于所述欧姆接触图案上；间隔物，所述间隔物分别位于所述第一下接触插塞的相对侧壁上；以及电容器，所述电容器位于所述接触插塞结构上。所述间隔物中的每一者可以具有最下表面，所述最下表面低于所述第一下接触插塞的最下表面或基本上与所述第一下接触插塞的最下表面共面。

3、根据本发明构思的示例实施例，提供一种半导体器件。所述半导体器件可以包括：有源图案，所述有源图案位于衬底上；栅极结构，所述栅极结构位于所述有源图案的上部部分中；位线结构，所述位线结构位于所述有源图案的中心部分上；第一下接触插塞，所述第一下接触插塞位于所述有源图案的相对端部中的每一者上；间隔物，所述间隔物分别位于所述第一下接触插塞的相对侧壁上；第二下接触插塞，所述第二下接触插塞与所述第一下接触插塞的上表面及所述间隔物的上表面接触；欧姆接触图案，所述欧姆接触图案位于所述第二下接触插塞上；上接触插塞，所述上接触插塞位于所述欧姆接触图案上；以及电容器，所述电容器位于所述上接触插塞上。所述间隔物中的每一者在与所述衬底的上表面基本上垂直的垂直方向上可以与所述第一下接触插塞不交叠。

4、根据本发明构思的示例实施例，提供一种半导体器件。所述半导体器件可以包括：有源图案，所述有源图案位于衬底上；栅极结构，所述栅极结构位于所述有源图案的上部部分中；位线结构，所述位线结构设置在所述有源图案的中心部分上且沿与所述衬底的上表面基本上平行的第一方向延伸；第一下接触插塞，所述第一下接触插塞位于所述有源图案的相对端部中的每一者上；间隔物，所述间隔物位于所述第一下接触插塞在所述第一方向上的侧壁上；第二下接触插塞，所述第二下接触插塞位于所述第一下接触插塞和所述间隔物上；欧姆接触图案，所述欧姆接触图案位于所述第二下接触插塞上；上接触插塞，所述上接触插塞位于所述欧姆接触图案上；围栏图案，所述围栏图案设置在所述衬底上并与在所述间隔物的在所述第一方向上的侧壁接触；覆盖图案，所述覆盖图案分别位于所述位线结构的上表面和所述围栏图案的上表面上；电容器，所述电容器位于所述上接触插塞上。

5、根据示例实施例的半导体器件中所包括的接触插塞结构可以具有减小的电阻，因此所述半导体器件可以具有增强的电特性。

1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述间隔物中的每一者在与所述衬底的上表面基本上垂直的垂直方向上与所述第一下接触插塞不交叠。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二下接触插塞与所述第一下接触插塞的上表面和所述间隔物的上表面接触。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，在所述半导体器件的所述垂直截面中，所述第二下接触插塞的宽度基本上等于所述第一下接触插塞的宽度和所述间隔物的宽度的总和。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述位线结构沿与所述衬底的上表面基本上平行的第一方向延伸，并且

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述间隔物分别设置在所述第一下接触插塞在所述第一方向上的相对侧壁上。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，所述半导体器件还包括位于所述衬底上的围栏图案，所述围栏图案分别与所述间隔物在所述第一方向上的侧壁接触。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述第二下接触插塞在所述第一方向上的相对侧壁分别与所述围栏图案接触。

9.根据权利要求7所述的半导体器件，所述半导体器件还包括钝化图案，所述钝化图案与所述围栏图案中的每一者在所述第一方向上的侧壁的上部部分以及所述欧姆接触图案在所述第一方向上的侧壁接触。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述钝化图案的至少一部分在与所述衬底的所述上表面基本上垂直的垂直方向上与所述间隔物中的对应间隔物交叠。

11.根据权利要求7所述的半导体器件，所述半导体器件还包括覆盖图案，所述覆盖图案位于所述位线结构的上表面和所述围栏图案中的每一者的上表面上。

12.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括位于所述位线结构的侧壁上的间隔物结构，

13.一种半导体器件，所述半导体器件包括：

14.根据权利要求13所述的半导体器件，其中，在所述半导体器件的垂直截面中，所述第二下接触插塞的宽度基本上等于所述第一下接触插塞的宽度和所述间隔物的宽度的总和。

15.根据权利要求13所述的半导体器件，其中，所述位线结构沿与所述衬底的所述上表面基本上平行的第一方向延伸，并且

16.根据权利要求15所述的半导体器件，其中，所述间隔物分别设置在所述第一下接触插塞在所述第一方向上的相对侧壁上，并且

17.一种半导体器件，所述半导体器件包括：

18.根据权利要求17所述的半导体器件，其中，所述覆盖图案中的每一者的上表面是倒圆的。

19.根据权利要求17所述的半导体器件，其中，所述覆盖图案中的设置在所述位线结构的所述上表面上的第一覆盖图案在与所述衬底的所述上表面基本上垂直的垂直方向上的厚度基本上等于所述覆盖图案中的设置在所述围栏图案的所述上表面上的第二覆盖图案在所述垂直方向上的厚度。

20.根据权利要求17所述的半导体器件，所述半导体器件还包括钝化图案，所述钝化图案位于所述围栏图案在所述第一方向上的侧壁上，