LTCC陷波高通滤波器的制作方法

本申请属于滤波器，更具体地说，是涉及一种ltcc陷波高通滤波器。

背景技术：

1、在现代电子系统中，滤波器是信号处理的关键组件，广泛应用于无线通信、音频处理和传感器接口等场景。然而，传统滤波器通常采用分立元件(如电感、电容和电阻)或基于pcb的分布式结构实现，导致器件体积较大，难以满足现代电子设备小型化和集成化的需求。

技术实现思路

1、本申请实施例的目的在于提供一种ltcc陷波高通滤波器，以解决现有技术中存在的滤波器集成度较低，体积较大的技术问题。

2、为实现上述目的，本申请采用的技术方案是：

3、提供一种ltcc陷波高通滤波器，包括：

4、陶瓷基体；

5、滤波结构，封装于所述陶瓷基体内，

6、输入电极，一端连接于所述滤波结构的输入端，另一端伸出至所述陶瓷基体外侧；

7、输出电极，一端连接于所述滤波结构的输出端，另一端伸出至所述陶瓷基体外侧；

8、接地电极，一端连接于所述滤波结构的接地端，另一端伸出至所述陶瓷基体外侧；

9、所述滤波结构包括依次串联的第一电容、第二电容以及第三电容，所述输入端至所述第一电容之间，以及第三电容至输出端之间连接有第一串联谐振单元，所述第一电容至第二电容之间，以及所述第二电容至第三电容之间连接有第二串联谐振单元。

10、作为上述技术方案的进一步改进：

11、可选的，所述第一串联谐振单元包括依次串联的第一电感和串并联模块，所述第一电感的输入端连接于所述输出端至所述第一电容之间或第三电容至输出端之间，所述串并联模块的输出端接地；

12、所述串并联模块包括第二电感、第三电感和第四电容，所述第三电感和第四电容形成串联谐振，所述第二电感与所述第三电感和第四电容的串联谐振并联。

13、可选的，所述第二串联谐振单元包括形成串联谐振的第四电感和第五电容，所述电感的输入端连接于所述第一电容至第二电容之间或所述第二电容至第三电容之间，所述电容的输出端接地。

14、可选的，所述第一电容和第三电容相对于所述陶瓷基体的中轴面镜像对称，且第一电容、第二电容以及第三电容位于所述陶瓷基体的第一层级；

15、所述第一电感、第二电感、第三电感以及第四电感位于所述陶瓷基体的第二层级；

16、成对设置的所述第一串联谐振单元相对于所述陶瓷基体的中轴面镜像对称，成对设置的所述第二串联谐振单元相对于所述陶瓷基体的中轴面镜像对称；所述第四电容和第五电容位于所述陶瓷基体的第三层级；

17、所述第一层级、第二层级以及第三层级从上至下依次设置。

18、可选的，所述第一电感、第二电感、第三电感以及第四电感均为矩形螺旋电感。

19、可选的，所述第一电感、第二电感、第三电感以及第四电感均为双介质层矩形螺旋电感。

20、可选的，所述第一电容、第二电容以及第三电容均为平面mim电容。

21、可选的，还包括平面金属板，平面金属板与接地电极连接，第三电容和第四电容分别与所述平面金属板形成平面mim电容。

22、本申请提供的ltcc陷波高通滤波器的有益效果在于：

23、本申请的ltcc陷波高通滤波器，包括陶瓷基体、滤波结构、输入电极、输出电极以及接地电极。滤波结构通过低温共烧工艺完全嵌入陶瓷基体内部，形成三维立体集成结构；输入电极的一端与滤波结构的输入端实现电气连接，其另一端延伸至陶瓷基体外表面形成外部可焊端；输出电极的一端与滤波结构的输出端电气连接，其另一端同样延伸至陶瓷基体外表面；接地电极的一端与滤波结构的接地端相连，另一端延伸至陶瓷基体外表面形成共地连接端。滤波结构采用多级电容-谐振单元复合拓扑，具体包括第一电容、第二电容和第三电容三个容性元件依次串联构成主信号通路，在输入端与第一电容之间以及第三电容与输出端之间分别接入第一串联谐振单元，在第一电容与第二电容之间以及第二电容与第三电容之间分别接入第二串联谐振单元，通过上述特定连接方式形成具有带通特性的多阶滤波网络。该结构设计使得各功能元件在三维空间内实现优化排布，既保证了良好的滤波性能，又实现了器件的高度集成化。

1.一种ltcc陷波高通滤波器，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的ltcc陷波高通滤波器，其特征在于，所述第一串联谐振单元(24)包括依次串联的第一电感(241)和串并联模块(242)，所述第一电感(241)的输入端连接于所述输出端至所述第一电容(21)之间或第三电容(23)至输出端之间，所述串并联模块(242)的输出端接地；

3.如权利要求2所述的ltcc陷波高通滤波器，其特征在于，所述第二串联谐振单元(25)包括形成串联谐振的第四电感(251)和第五电容(252)，所述电感的输入端连接于所述第一电容(21)至第二电容(22)之间或所述第二电容(22)至第三电容(23)之间，所述电容的输出端接地。

4.如权利要求3所述的ltcc陷波高通滤波器，其特征在于，所述第一电容(21)和第三电容(23)相对于所述陶瓷基体(1)的中轴面镜像对称，且第一电容(21)、第二电容(22)以及第三电容(23)位于所述陶瓷基体(1)的第一层级；

5.如权利要求3所述的ltcc陷波高通滤波器，其特征在于，所述第一电感(241)、第二电感(2421)、第三电感(2422)以及第四电感(251)均为矩形螺旋电感。

6.如权利要求3所述的ltcc陷波高通滤波器，其特征在于，所述第一电感(241)、第二电感(2421)、第三电感(2422)以及第四电感(251)均为双介质层矩形螺旋电感。

7.如权利要求3所述的ltcc陷波高通滤波器，其特征在于，所述第一电容(21)、第二电容(22)以及第三电容(23)均为平面mim电容。

8.如权利要求3所述的ltcc陷波高通滤波器，其特征在于，还包括平面金属板(26)，平面金属板(26)与接地电极(5)连接，第三电容(23)和第四电容(2423)分别与所述平面金属板(26)形成平面mim电容。