一种横向激励的薄膜体声波装置及滤波器的制作方法

本发明涉及射频，尤其涉及一种横向激励的薄膜体声波装置及滤波器。

背景技术：

1、随着5g/6g通信、物联网及射频前端系统对更高频段和更宽带宽的需求激增，横向激励的薄膜体声波装置因具备高工作频率（可达10ghz以上）、较大的带宽及与cmos工艺的兼容性，已具备成为射频滤波器核心器件的巨大潜质。然而，现有技术中的横向激励的薄膜体声波装置带外抑制能力较低，插入损耗较高。

技术实现思路

1、本发明提供了一种横向激励的薄膜体声波装置及滤波器，以提高横向激励的薄膜体声波装置的带外抑制能力并降低插入损耗。

2、根据本发明的一方面，提供了一种横向激励的薄膜体声波装置，其特征在于，包括：

3、支承基板，所述支承基板包括声波反射结构；

4、压电层，所述压电层设置在所述支承基板的第一表面上；

5、叉指换能器，所述叉指换能器包括电极指；

6、所述叉指换能器设置在所述压电层远离所述支承基板的表面上；

7、所述支承基板的第一表面上设置有第一凹槽阵列，和/或，所述压电层远离所述支承基板的表面上设置有第二凹槽阵列；

8、沿声波传播方向，所述第一凹槽阵列设置在所述叉指换能器在所述支承基板的第一表面的垂直投影的两侧；

9、沿声波传播方向，第二凹槽阵列设置在所述叉指换能器两侧。

10、可选的，所述第一凹槽阵列中的凹槽的数量与所述电极指的数量的比值大于或等于第一预设值，所述第一预设值大于或等于15%；

11、所述第二凹槽阵列中的凹槽的数量与所述电极指的数量的比值大于或等于第一预设值。

12、可选的，所述叉指换能器包括第一汇流条和第二汇流条，所述电极指包括第一电极指和第二电极指；

13、所述第一电极指和所述第二电极指沿声波传播方向交替排列，所述第一汇流条和第二汇流条沿电极指延伸方向相对设置；

14、所述第一电极指与所述第一汇流条连接，所述第二电极指与所述第二汇流条连接。

15、可选的，所述声波反射结构为空气腔，沿垂直于所述第一表面的方向，所述空气腔贯穿所述支承基板。

16、可选的，所述第一凹槽阵列的凹槽沿电极指延伸方向的长度大于或等于所述第一汇流条和所述第二汇流条之间的间距；

17、所述第二凹槽阵列的凹槽沿电极指延伸方向的长度大于或等于所述第一汇流条和所述第二汇流条之间的间距。

18、可选的，所述第二凹槽阵列中包括导电材料，所述导电材料与所述压电层远离所述支承基板的表面齐平。

19、可选的，所述导电材料与所述电极指的材料相同。

20、可选的，所述压电层的材料为铌酸锂，所述支承基板的材料为硅。

21、可选的，所述支承基板包括基底以及设置于所述基底邻近所述压电层一侧的布拉格反射结构，所述布拉格反射结构为所述声波反射结构。

22、根据本发明的另一方面，提供了一种横向激励的薄膜体声波滤波器，横向激励的薄膜体声波滤波器包括任意实施例所述的横向激励的薄膜体声波装置。

23、本发明实施例的横向激励的薄膜体声波装置包括支承基板，支承基板包括声波反射结构；压电层，压电层设置在支承基板的第一表面上；叉指换能器，叉指换能器包括电极指；叉指换能器设置在压电层远离支承基板的表面上；通过在支承基板的第一表面上设置第一凹槽阵列，沿声波传播方向，第一凹槽阵列设置在叉指换能器在支承基板的第一表面的垂直投影的两侧；可以将泄漏的声波反射到有效谐振区域，从而抑制谐振点附近杂模并提升反谐振点处的品质因数，进一步提高横向激励的薄膜体声波装置的带外抑制能力和降低插入损耗。通过在压电层远离支承基板的表面上设置第二凹槽阵列，沿声波传播方向，第二凹槽阵列设置在叉指换能器两侧，使得第二凹槽阵列可以有效反射传播至支承基板的弹性波，可以抑制谐振点附近杂模并提升反谐振点处的品质因数，提高横向激励的薄膜体声波装置的带外抑制能力并降低插入损耗。

24、应当理解，本部分所描述的内容并非旨在标识本发明的实施例的关键或重要特征，也不用于限制本发明的范围。本发明的其它特征将通过以下的说明书而变得容易理解。

1.一种横向激励的薄膜体声波装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的横向激励的薄膜体声波装置，其特征在于：

3.根据权利要求1所述的横向激励的薄膜体声波装置，其特征在于：

4.根据权利要求1所述的横向激励的薄膜体声波装置，其特征在于：

5.根据权利要求3所述的横向激励的薄膜体声波装置，其特征在于：

6.根据权利要求1所述的横向激励的薄膜体声波装置，其特征在于：

7.根据权利要求6所述的横向激励的薄膜体声波装置，其特征在于：

8.根据权利要求1所述的横向激励的薄膜体声波装置，其特征在于：

9.根据权利要求1所述的横向激励的薄膜体声波装置，其特征在于：

10.一种横向激励的薄膜体声波滤波器，其特征在于，包括权利要求1-9任一项所述的横向激励的薄膜体声波装置。