一种PMOS晶体管驱动电路的制作方法

本发明涉及集成电路，具体涉及一种pmos晶体管驱动电路。

背景技术：

1、目前，随着功率器件在电源控制、电机驱动等领域的广泛应用，晶体管驱动电路的设计面临诸多技术挑战。现有技术中，基于晶体管的驱动电路在实现高速开关控制时，栅极电压信号经常无法形成理想的脉冲波形。例如，如图1所示，当驱动频率较高时，由于栅极寄生电容的充放电回路设计不合理，晶体管难以快速完成导通或关断动作，导致器件长期处于线性放大区，而非理想的开关状态。这种非理想驱动状态不仅会显著增加开关损耗，还可能引发整个电路系统发生故障，为此，现有技术多采用推挽电路、图腾柱驱动或分立器件组合(如三极管)，然而，此类方案易导致电路拓扑复杂化，且分立元件的匹配性要求高，显著增加制造成本与调试难度。

技术实现思路

1、本发明实施例的目的在于提出一种pmos晶体管驱动电路，以解决上述问题。本发明实施例通过以下技术方案来实现上述目的。

2、本发明实施例提供了一种pmos晶体管驱动电路，包括第一电阻、第二电阻、第一电容和第一mos管；第一电阻的第一端、第一mos管的第一端与第一电压端连接，第一电阻的第二端、第一mos管的第二端、第二电阻的第一端与第一电容的第一端连接，第一电容的第二端与第二电压端连接，第一mos管的第三端、第二电阻的第二端与晶体管控制端连接，第一电压端用于与外部的pmos晶体管的第三端连接，晶体管控制端用于与pmos晶体管的第二端连接；pmos晶体管的通断状态受控于第二电压端的电压大小。

3、在一些实施例中，pmos晶体管与nmos晶体管组成半桥电路，在pmos晶体管导通时，nmos晶体管关断，在nmos晶体管导通时，pmos晶体管关断。

4、在一些实施例中，在电流流向依次为第一电容的第一端、第二电阻、第一mos管的体二极管、第一电压端条件下，晶体管关断；在pmos晶体管栅源之间的寄生电容通过第二电阻放电条件下，晶体管导通。

5、在一些实施例中，还包括第一二极管，第一二极管的阳极与第二电阻的第二端连接，第一二极管的阴极与第二电阻的第一端连接。

6、在一些实施例中，在电流流向依次为第一电容的第一端、第二电阻、第一mos管的体二极管、第一电压端条件下，晶体管关断；在pmos晶体管栅源之间的寄生电容通过第一二极管放电条件下，晶体管导通。

7、在一些实施例中，第一mos管为nmos管。

8、在一些实施例中，nmos管为耗尽型。

9、在一些实施例中，半桥电路的数量大于等于二，pmos晶体管驱动电路与半桥电路搭配应用于无线充电电路。

10、在一些实施例中，半桥电路的数量大于等于二，pmos晶体管驱动电路与半桥电路搭配应用于电机驱动电路。

11、在一些实施例中，pmos晶体管驱动电路与半桥电路搭配应用于电源管理电路

12、相较于现有技术，通过采用本实施例提供的包括通过采用包括第一电阻、第二电阻、第一mos管和第一电容的pmos晶体管驱动电路，在控制pmos晶体管关断时，即使第一电压端电压出现极端波动的情形，确保第一mos管的第二端仍存在较大余量，有效限制第一mos管的第二端电压，防止pmos晶体管误导通，尤其适应于大电压驱动需求，电路结构简单，并且也可以通过调整第二电阻的阻值大小，调整pmos晶体管的通断切换速度。

1.一种pmos晶体管驱动电路，其特征在于，包括第一电阻、第二电阻、第一电容和第一mos管；所述第一电阻的第一端、所述第一mos管的第一端与第一电压端连接，所述第一电阻的第二端、所述第一mos管的第二端、所述第二电阻的第一端与所述第一电容的第一端连接，所述第一电容的第二端与第二电压端连接，所述第一mos管的第三端、所述第二电阻的第二端与晶体管控制端连接，所述第一电压端用于与外部的pmos晶体管的第三端连接，所述晶体管控制端用于与所述pmos晶体管的第二端连接；所述pmos晶体管的通断状态受控于所述第二电压端的电压大小。

2.根据权利要求1所述的pmos晶体管驱动电路，其特征在于，所述pmos晶体管与nmos晶体管组成半桥电路，在所述pmos晶体管导通时，所述nmos晶体管关断，在所述nmos晶体管导通时，所述pmos晶体管关断。

3.根据权利要求1所述的pmos晶体管驱动电路，其特征在于，在电流流向依次为所述第一电容的第一端、所述第二电阻、所述第一mos管的体二极管、所述第一电压端条件下，所述晶体管关断；在所述pmos晶体管栅源之间的寄生电容通过所述第二电阻放电条件下，所述晶体管导通。

4.根据权利要求1所述的pmos晶体管驱动电路，其特征在于，还包括第一二极管，所述第一二极管的阳极与所述第二电阻的第二端连接，所述第一二极管的阴极与所述第二电阻的第一端连接。

5.根据权利要求4所述的pmos晶体管驱动电路，其特征在于，在电流流向依次为所述第一电容的第一端、所述第二电阻、所述第一mos管的体二极管、所述第一电压端条件下，所述晶体管关断；在所述pmos晶体管栅源之间的寄生电容通过所述第一二极管放电条件下，所述晶体管导通。

6.根据权利要求1所述的pmos晶体管驱动电路，其特征在于，所述第一mos管为nmos管。

7.根据权利要求6所述的pmos晶体管驱动电路，其特征在于，所述nmos管为耗尽型。

8.根据权利要求2所述的pmos晶体管驱动电路，其特征在于，所述半桥电路的数量大于等于二，所述pmos晶体管驱动电路与所述半桥电路搭配应用于无线充电电路。

9.根据权利要求2所述的pmos晶体管驱动电路，其特征在于，所述半桥电路的数量大于等于二，所述pmos晶体管驱动电路与所述半桥电路搭配应用于电机驱动电路。

10.根据权利要求2所述的pmos晶体管驱动电路，其特征在于，所述pmos晶体管驱动电路与所述半桥电路搭配应用于电源管理电路。