显示装置、其制造方法和包括显示装置的电子装置与流程
本公开涉及显示装置、制造显示装置的方法和包括显示装置的电子装置。
背景技术:
1、最近,由于对信息显示的兴趣增加,因此已经持续进行了对显示装置的研究和开发。
2、显示装置包括诸如晶体管的电路元件。如果在这些电路元件中生成泄漏电流,则显示装置的显示质量可能受到负面影响。
3、例如,当在晶体管中的一些中发生泄漏电流时,电路元件之间的信号干扰(例如,串扰)可能增加,对显示在显示装置上的图像起到非预期的影响。例如,可能显示灰阶或劣化的图像,这可能降低显示可靠性。
技术实现思路
1、本公开方面提供显示装置、制造显示装置的方法和包括显示装置的电子装置,其中,可以降低发生泄漏电流的可能性,并且可以降低由于泄漏电流而导致显示质量受损的风险。
2、本公开方面提供能够改善显示质量的显示装置、制造显示装置的方法和包括显示装置的电子装置。
3、根据本公开的一个或多个实施方式,显示装置可以包括:有源层,在基础层上,该有源层包括源极区域、漏极区域和沟道区域;覆盖层,在有源层上方;栅极层,在沟道区域上方,其中,漏极区域包括在平面图中与覆盖层重叠的第一区域和与覆盖层不重叠的第二区域,并且其中,第一区域具有比第二区域低的掺杂剂浓度。
4、覆盖层可以包括由掺杂到漏极区域中的掺杂剂可渗透的材料。
5、覆盖层可以包括非晶硅材料。
6、覆盖层可以在平面图中跨第一区域和沟道区域形成。
7、覆盖层可以在平面图中与第一区域的整体重叠。
8、覆盖层可以具有浮置状态。
9、覆盖层可以具有孤立的形状。
10、覆盖层可以具有多边形形状或具有曲率的形状。
11、覆盖层还可以包括:第一栅极绝缘层,在有源层上;以及第二栅极绝缘层,在覆盖层和第一栅极绝缘层上,其中,覆盖层可以具有比第一栅极绝缘层和第二栅极绝缘层小的厚度,并且可以具有10å至1000å的厚度。
12、第二区域可以形成在第一区域的一侧处,并且沟道区域可以形成在第一区域的另一侧处。
13、覆盖层可以在平面图中与源极区域不重叠。
14、覆盖层可以在平面图中跨漏极区域、沟道区域和源极区域设置,并且源极区可以包括在平面图中与覆盖层重叠的第三区域和与覆盖层不重叠的第四区域。
15、覆盖层可以包括在平面图中与第一区域重叠的第一覆盖层和与源极区域重叠的第二覆盖层。
16、源极区域可以包括在平面图中与第二覆盖层重叠的第三区域和与第二覆盖层不重叠的第四区域,并且第三区域可以具有比第四区域低的掺杂剂浓度。
17、根据本公开的一个或多个实施方式,制造显示装置的方法可以包括:在基础层上图案化基础有源层;在基础有源层上方图案化覆盖层;在基础有源层和覆盖层上方图案化栅极层;以及通过在基础有源层上形成源极区域、漏极区域和沟道区域来获得有源层,其中,覆盖层包括非晶硅材料。
18、获得有源层可以包括对基础有源层执行掺杂工艺,并且执行掺杂工艺可以包括在与覆盖层重叠的漏极区域中形成第一区域。
19、图案化覆盖层可以包括在第一区域形成在其下方的位置处图案化覆盖层。
20、图案化覆盖层可以包括在平面图中跨源极区域、沟道区域和漏极区域形成在其下方的区域图案化覆盖层。
21、图案化覆盖层可以包括图案化在平面图中与漏极区域重叠的第一覆盖层和与源极区域重叠的第二覆盖层。
22、根据本公开的一个或多个实施方式,电子装置可以包括:处理器;电连接到处理器的显示模块,该显示模块包括以上显示装置;以及电力模块,向显示模块提供电力。
1.一种显示装置,包括:
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述覆盖层包括由掺杂到所述漏极区域中的掺杂剂可渗透的材料。
3.根据权利要求2所述的显示装置,其中,所述覆盖层包括非晶硅材料。
4.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述覆盖层在平面图中跨所述第一区域和所述沟道区域形成。
5.根据权利要求4所述的显示装置,其中,所述覆盖层在平面图中与所述第一区域的整体重叠。
6.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述覆盖层具有浮置状态。
7.根据权利要求1所述的显示装置,还包括至少一个栅极绝缘层,
8.根据权利要求1所述的显示装置,还包括:
9.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第二区域形成在所述第一区域的一侧处,并且所述沟道区域形成在所述第一区域的另一侧处。
10.根据权利要求9所述的显示装置,其中,所述覆盖层在平面图中与所述源极区域不重叠。
11.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述覆盖层在平面图中跨所述漏极区域、所述沟道区域和所述源极区域设置,以及
12.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述覆盖层包括在平面图中与所述第一区域重叠的第一覆盖层和与所述源极区域重叠的第二覆盖层。
13.根据权利要求12所述的显示装置,其中,所述源极区域包括在平面图中与所述第二覆盖层重叠的第三区域和与所述第二覆盖层不重叠的第四区域,以及
14.一种显示装置,包括:
15.一种制造显示装置的方法,所述方法包括:
16.根据权利要求15所述的方法,其中,所述获得所述有源层包括对所述基础有源层执行掺杂工艺,以及
17.根据权利要求16所述的方法,其中,所述图案化所述覆盖层包括在所述第一区域形成在其下方的位置处图案化所述覆盖层。
18.根据权利要求16所述的方法,其中,所述图案化所述覆盖层包括在平面图中跨所述源极区域、所述沟道区域和所述漏极区域形成在其下方的区域图案化所述覆盖层。
19.根据权利要求16所述的方法,其中,所述图案化所述覆盖层包括图案化在平面图中与所述漏极区域重叠的第一覆盖层和与所述源极区域重叠的第二覆盖层。
20.一种电子装置,包括:
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