一种平板探测器及其制备方法、探测装置与流程

本申请涉及显示，尤其涉及一种平板探测器及其制备方法、探测装置。

背景技术：

1、相关技术中，平板探测器包括衬底基板、多个像素单元、金属走线层、钝化层、电极层。

2、在电极层制备完成后，需要在电极层背离衬底基板的一侧设置闪烁体，由于闪烁体采用碘化铯制成，碘化铯闪烁体容易吸水潮解，对于窄边框的产品，由于贴附工艺的铝膜无法实现产品的需求，因此需要在闪烁体背离衬底基板的一侧设置派瑞林封装膜对闪烁体进行保护，以此实现窄边框产品的功能实现，但在派瑞林制程后(cvd沉积对于整个平板探测器)，需要去掉位于非显示区的绑定电极区的派瑞林，而在去除绑定电极区的派瑞林的过程中，派瑞林封装膜的边缘会出现磨边问题，进而导致铝膜的贴附出现问题，最终增加闪烁体的潮解的风险。相关技术中，需要将派瑞林封装膜的边缘设置在闪烁体的内侧，这导致闪烁体的边缘没有受到派瑞林封装膜的保护，一旦闪烁体的边缘吸水潮解后容易产生游离的碘离子，碘离子通过孔位向下腐蚀位于非显示区的金属走线层，进而影响平板探测器的画质。

技术实现思路

1、本申请实施例提供一种平板探测器及其制备方法、探测装置，以解决或缓解现有技术中的一项或更多项技术问题。

2、作为本申请实施例的一个方面，本申请实施例提供一种平板探测器，具有显示区和非显示区，平板探测器包括：

3、衬底基板；

4、多个像素单元，设置于衬底基板的一侧且位于显示区内；每个像素单元包括电连接的光电转换器和薄膜晶体管；

5、金属走线层，设置于像素单元背离衬底基板的一侧，包括电连接的第一偏置线和第二偏置线，第一偏置线位于非显示区，第二偏置线位于显示区内且与光电转换器电连接；

6、第一钝化层，设置于金属走线层背离衬底基板的一侧，第一钝化层上限定有与多个像素单元对应设置的多个第一过孔，多个第一过孔位于显示区内；

7、第一电极层，设置于第一钝化层背离衬底基板的一侧，第一电极层通过第一过孔与第二偏置线电连接。

8、在一些实施例中，第一电极层位于显示区内。

9、在一些实施例中，第一电极层包括与多个像素单元对应的多个第一电极，多个第一电极之间电连接，每个第一电极通过对应的第一过孔与第二偏置线电连接。

10、在一些实施例中，第一电极在衬底基板上的正投影与对应的光电转换器在衬底基板上的正投影至少部分交叠。

11、在一些实施例中，第一电极至少包括第一导电部、第二导电部、第三导电部以及第四导电部，光电转换器至少包括第一边缘、第二边缘、第三边缘以及第四边缘，第一导电部在衬底基板上的正投影与对应的光电转换器的第一边缘在衬底基板上的正投影至少部分交叠，第二导电部在衬底基板上的正投影与对应的光电转换器的第二边缘在衬底基板上的正投影至少部分交叠，第三导电部在衬底基板上的正投影与对应的光电转换器的第三边缘在衬底基板上的正投影至少部分交叠，第四导电部在衬底基板上的正投影与对应的光电转换器的第四边缘在衬底基板上的正投影至少部分交叠。

12、在一些实施例中，光电转换器包括依次层叠设置在衬底基板一侧的第二电极、光电转换层和第三电极，薄膜晶体管包括栅极、源极和漏极，第二电极与漏极电连接。

13、在一些实施例中，还包括闪烁体层、派瑞林封装膜以及铝膜，闪烁体层设置于第一电极层背离衬底基板的一侧，派瑞林封装膜设置于闪烁体层背离衬底基板的一侧，铝膜设置于派瑞林封装膜背离衬底基板的一侧。

14、在一些实施例中，派瑞林封装膜在衬底基板上的正投影位于闪烁体层在衬底基板上的正投影范围内，闪烁体层在衬底基板上的正投影位于铝膜在衬底基板上的正投影内；派瑞林封装膜、闪烁体层以及铝膜的边缘位于非显示区内。

15、在一些实施例中，还包括读取模块，读取模块与第一偏置线电连接。

16、作为本申请的另一方面，本申请还提供一种平板探测器的制备方法，平板探测器包括显示区和非显示区，制备方法包括：

17、提供衬底基板；

18、在衬底基板的一侧形成多个像素单元，多个像素单元设置于衬底基板的一侧且位于显示区内；像素单元包括光电转换器和薄膜晶体管；薄膜晶体管设置于衬底基板的一侧；光电转换器设置于薄膜晶体管背离衬底基板的一侧；

19、在光电转换层背离衬底基板的一侧形成金属走线层；金属走线层包括电连接的第一偏置线和第二偏置线，第一偏置线位于非显示区，第二偏置线位于显示区内且与光电转换器电连接；

20、在金属走线层背离衬底基板的一侧形成第一钝化层，第一钝化层上限定有与多个像素单元对应设置的多个第一过孔，多个第一过孔位于显示区内；

21、在第一钝化层背离衬底基板的一侧形成第一电极层，第一电极层通过第一过孔与第二偏置线电连接。

22、在一些实施例中，第一电极层包括与多个像素单元对应的多个第一电极，多个第一电极之间电连接，每个第一电极通过对应的第一过孔与第二偏置线电连接。

23、作为本申请的又一方面，还提供一种探测装置，探测装置包括如上任一项的平板探测器或如上任一项的制备方法制成的平板探测器。

24、本申请实施例具有以下有益效果：

25、根据本申请的技术，通过取消相关技术中钝化层位于非显示区的孔位，在第一钝化层上且位于显示区内的位置设置多个第一过孔，以使第一电极层和第二偏置线能够在显示区内通过第一过孔进行接触连接，以此实现第一电极层和第二偏置线之间的电连接。如此设置，一方面能够使第一过孔与闪烁体层容易发生吸水潮解且位于非显示区的边缘错开设置，从而避免闪烁体层的边缘发生吸水潮解进而通过第一电极层和金属走线层连接的过孔腐蚀金属走线层，使金属走线层产生腐蚀的现象。另一方面，相关技术中的金属走线层和电极层出现断线后会导致金属走线层出现无法加载信号的情况，而本申请的第一过孔的数量与像素单元的数量一一对应，金属走线层穿过各个像素单元对应的第一过孔与第一电极层接触连接，因此像素单元之间能够通过金属走线层和第一电极层进行连接，当其中一个第一过孔内的金属走线层和第一电极层出现断线从而导致该处的第一电极层和金属走线层断开连接后，失效位置的金属走线层可通过周边的第一电极层进行信号加载，以此解决相关技术中的金属走线层和电极层出现断线后会导致金属走线层无法加载信号的技术问题。

26、上述概述仅仅是为了说明书的目的，并不意图以任何方式进行限制。除上述描述的示意性的方面、实施方式和特征之外，通过参考附图和以下的详细描述，本申请进一步的方面、实施方式和特征将会是容易明白的。

1.一种平板探测器，其特征在于，具有显示区和非显示区，所述平板探测器包括：

2.根据权利要求1所述的平板探测器，其特征在于，所述第一电极层位于所述显示区内。

3.根据权利要求1所述的平板探测器，其特征在于，所述第一电极层包括与所述多个像素单元对应的多个第一电极，多个所述第一电极之间电连接，每个所述第一电极通过对应的第一过孔与所述第二偏置线电连接。

4.根据权利要求1所述的平板探测器，其特征在于，所述第一电极在所述衬底基板上的正投影与对应的所述光电转换器在所述衬底基板上的正投影至少部分交叠。

5.根据权利要求4所述的平板探测器，其特征在于，所述第一电极至少包括第一导电部、第二导电部、第三导电部以及第四导电部，所述光电转换器至少包括第一边缘、第二边缘、第三边缘以及第四边缘，所述第一导电部在所述衬底基板上的正投影与对应的所述光电转换器的第一边缘在所述衬底基板上的正投影至少部分交叠，所述第二导电部在所述衬底基板上的正投影与对应的所述光电转换器的第二边缘在所述衬底基板上的正投影至少部分交叠，所述第三导电部在所述衬底基板上的正投影与对应的所述光电转换器的第三边缘在所述衬底基板上的正投影至少部分交叠，所述第四导电部在所述衬底基板上的正投影与对应的所述光电转换器的第四边缘在所述衬底基板上的正投影至少部分交叠。

6.根据权利要求1所述的平板探测器，其特征在于，所述光电转换器包括依次层叠设置在所述衬底基板一侧的第二电极、光电转换层和第三电极，所述薄膜晶体管包括栅极、源极和漏极，所述第二电极与所述漏极电连接。

7.根据权利要求1所述的平板探测器，其特征在于，还包括闪烁体层、派瑞林封装膜以及铝膜，所述闪烁体层设置于第一电极层背离所述衬底基板的一侧，所述派瑞林封装膜设置于所述闪烁体层背离所述衬底基板的一侧，所述铝膜设置于所述派瑞林封装膜背离所述衬底基板的一侧。

8.根据权利要求7所述的平板探测器，其特征在于，所述派瑞林封装膜在所述衬底基板上的正投影位于所述闪烁体层在所述衬底基板上的正投影范围内，所述闪烁体层在所述衬底基板上的正投影位于所述铝膜在所述衬底基板上的正投影内；所述派瑞林封装膜、所述闪烁体层以及所述铝膜的边缘位于所述非显示区内。

9.根据权利要求1所述的平板探测器，其特征在于，还包括读取模块，所述读取模块与所述第一偏置线电连接。

10.一种平板探测器的制备方法，其特征在于，所述平板探测器包括显示区和非显示区，所述制备方法包括：

11.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，所述第一电极层包括与所述多个像素单元对应的多个第一电极，多个所述第一电极之间电连接，每个所述第一电极通过对应的第一过孔与所述第二偏置线电连接。

12.一种探测装置，其特征在于，包括如权利要求1至9任一项所述的平板探测器或如权利要求10或11所述的制备方法制成的平板探测器。