带磁性膜的部件、热电转换元件、磁器件、及带磁性膜的部件的制造方法与流程

本发明涉及带磁性膜的部件、热电转换元件、磁器件、及带磁性膜的部件的制造方法。

背景技术：

1、一直以来，对使用磁性体的元件及器件进行了各种研究。

2、例如，专利文献1中记载了具有包含沿规定方向磁化的铁磁体的的发电体的热电发电器件。发电体构成为通过反常能斯特效应、利用与磁化方向垂直的方向的温度差来发电。发电体以薄膜的形式设置在至少表层由mgo形成的基板上。发电体包含具有高磁各向异性的l10型有序合金。

3、非专利文献1中记载了d03型的fe3ga或fe3al的铁磁体显示巨大的反常能斯特效应，该巨大的反常能斯特效应来自被称为节点网（nodal web）的拓扑能带结构。该文献中，也记载了在mgo基板上形成该铁磁体的薄膜，显示较大的反常能斯特效应。

4、现有技术文献

5、专利文献

6、专利文献1：日本特开2012-72256号公报

7、非专利文献

8、非专利文献1：nature, （英国）, 2020, 581,53-57

技术实现思路

1、发明所要解决的课题

2、伴随物联网（internet of things）（iot）社会的发展，针对磁及热等的感测等的需求持续高涨。另外，伴随信息处理速度的增加，也存在针对随机存取存储器等信息处理器件的高速化的需求。

3、具备磁性膜的元件或器件作为应对这样的需求的技术而备受期待。根据专利文献1及非专利文献1，为了形成规定的磁性膜，使用至少表层由mgo形成的基板或mgo基板。另外，也可设想用于得到规定的磁性膜的工艺的条件伴有限制。例如，非专利文献1中，在底压（base pressure）为1×10-8pa的超高真空的条件下形成了铁磁体的薄膜。

4、鉴于这样的情况，本发明提供从减少为了得到规定磁性膜所受的限制的观点考虑有利的带磁性膜的部件。

5、用于解决课题的手段

6、本发明提供带磁性膜的部件，其具备：

7、磁性膜；和

8、第一部位，其与前述磁性膜相接，

9、前述磁性膜中的氧含量以原子数基准计为1%以下，

10、从第一元素的氧化物的标准吉布斯生成能减去第二元素的氧化物的标准吉布斯生成能而得到的差为0kj/mol以下，

11、前述第一元素是以单质形式存在的元素、或在前述第一部位中以能与氧键合的方式存在的元素之中氧化物的标准吉布斯生成能最低的元素，

12、前述第二元素是前述磁性膜中包含的元素之中氧化物的标准吉布斯生成能最低的元素。

13、另外，本发明提供热电转换元件，其具备上述的带磁性膜的部件，

14、前述磁性膜包含显示反常能斯特效应的磁性体。

15、另外，本发明提供磁器件，其具备上述的带磁性膜的部件，

16、前述磁性膜包含显示反常霍尔效应的磁性体。

17、另外，本发明提供带磁性膜的部件的制造方法，其包括将作为磁性膜的前体的膜在与第一部位接触的状态下进行加热从而得到前述磁性膜，

18、前述磁性膜中的氧含量以原子数基准计为1%以下，

19、从第一元素的氧化物的标准吉布斯生成能减去第二元素的氧化物的标准吉布斯生成能而得到的差为0kj/mol以下，

20、前述第一元素是在前述第一部位中以单质形式存在的元素、或在前述第一部位中以能与氧键合的方式存在的元素之中氧化物的标准吉布斯生成能最低的元素，

21、前述第二元素是前述磁性膜中包含的元素之中氧化物的标准吉布斯生成能最低的元素。

22、发明效果

23、上述的带磁性膜的部件从减少为了得到规定磁性膜所受的限制的观点考虑是有利的。

1.带磁性膜的部件，其具备：

2.如权利要求1所述的带磁性膜的部件，其还具备基材，

3.如权利要求1所述的带磁性膜的部件，其中，所述第一部位包含具有所述第一元素的合金。

4.如权利要求1所述的带磁性膜的部件，其中，所述第一部位包含第一有序合金，

5.如权利要求1所述的带磁性膜的部件，其中，所述磁性膜具有多晶结构。

6.热电转换元件，其具备权利要求1~5中任一项所述的带磁性膜的部件，

7.磁器件，其具备权利要求1~5中任一项所述的带磁性膜的部件，

8.带磁性膜的部件的制造方法，其包括将作为磁性膜的前体的膜在与第一部位接触的状态下进行加热从而得到所述磁性膜，