用于形成异物去除用涂膜的组合物和半导体基板的制作方法

本发明涉及能够以简便的方法防止在基板上残留异物的用于形成异物去除用涂膜的组合物、异物去除用涂膜、半导体基板，和被加工了的半导体基板的制造方法。半导体装置的制造中，特别是在所谓的后工序中，已经研究了将半导体基板(例如晶圆)贴附于支撑基板后，进行背面研磨(研削)、布线制成工序等，之后剥离支撑基板而得到所期望的半导体基板的工序。在这样的工序中有时会产生异物，要求将其去除。因而，例如专利文献1和专利文献2中，公开了通过在半导体基板的表面形成基板处理膜，来去除该基板表面的异物的工艺中，用于可效率良好地去除基板表面的微小粒子，且将形成的基板处理膜从基板表面容易地去除的基板处理膜形成用组合物和基板的处理方法。现有技术文献专利文献专利文献1：国际公开第2017/056746号公报专利文献2：国际公开第2020/008965号公报

背景技术：

技术实现思路

1、发明所要解决的课题

2、另一方面，在将半导体基板贴附于支撑基材时，通过对之后的工序(例如加热工序、药液处理工序等)具有耐性的粘接剂层(例如含有聚合物的液状组合物、背面研磨胶带、划片胶带等)来贴附半导体基板。或者使用具有粘合剂层（压敏胶层）的支撑基材。而之后，进行剥离半导体基板的工序。此时粘接剂层或支撑基材的粘着剂层，有时在基板上作为异物(残渣)而残留。这种现象在于基板上预先形成有布线等的半导体基板表面上直接形成粘接剂层的情况、或者直接贴附具有粘着剂层的支撑基材的情况下特别显著地发生。该异物有时即使以公知的有机溶剂、液状药品等进行清洗等，也无法完全去除。

3、因而，要求以简便的方法来防止从粘接剂层、粘着剂层等所发生的剥离残渣残留于半导体基板上。

4、另一方面在为此而使用膜(异物去除涂膜)时，该膜要求在进行剥离半导体基板的工序后，可容易地从半导体基板去除(易去除性)。

5、因而，本发明的目的为提供可得到“具有易去除性的异物去除用涂膜”的用于形成异物去除用涂膜的组合物，以及使用该组合物的异物去除用涂膜、半导体基板，和被加工了的半导体基板的制造方法。

6、用于解决课题的手段

7、本发明者们为了解决上述课题进行深入研究，结果发现可解决上述课题，而完成具有以下的核心要点的本发明。

8、也即本发明包括以下方案。

9、[1]. 一种组合物，其是用于形成异物去除用涂膜的组合物，由该组合物可形成能够被去除液去除的涂膜，该组合物含有膜构成成分和溶剂，

10、所述膜构成成分含有配位性化合物。

11、[2]. 如[1]所述的组合物，所述配位性化合物是能够与铜配位的化合物。

12、[3]. 如[1]或[2]所述的组合物，所述配位性化合物是下述(i)~(iv)中的至少一者，

13、(i)具有2个以上羟基的化合物、

14、(ii)具有2个以上羧基的化合物、

15、(iii)具有杂环的化合物、和

16、(iv)炔二醇化合物。

17、[4]. 如[1]~[3]的任一项所述的化合物，所述膜构成成分中含有作为所述配位性化合物以外的成分的化合物或聚合物。

18、[5]. 如[4]所述的组合物，所述化合物或聚合物具有羟基、羧基和杂环中的至少一者。

19、[6]. 如[1]~[5]的任一项所述的组合物，相对于所述膜构成成分，所述配位性化合物的含量为1质量%~10质量%。

20、[7]. 如[4]~[6]的任一项所述的组合物，相对于所述膜构成成分，所述化合物或聚合物的含量为90质量%~99质量%。

21、[8]. 如[1]~[7]的任一项所述的组合物，所述去除液为碱性去除液。

22、[9]. 如[1]~[8]的任一项所述的组合物，所述涂膜与铜接触。

23、[10]. 一种异物去除用涂膜，其由[1]~[9]中任一项所述的组合物形成。

24、[11]. 一种半导体基板，其具有[10]所述的异物去除用涂膜。

25、[12]. 如[11]所述的半导体基板，所述异物去除用涂膜与铜接触。

26、[13]. 一种被加工了的半导体基板的制造方法，其包含以下工序：

27、第1工序：将[11]所述的半导体基板与支撑基材经由所述异物去除用涂膜贴合而制造层叠体；

28、第2工序：对该层叠体进行加工；

29、第3工序：从该层叠体剥离所述支撑基材；以及

30、第4工序：用去除液清洗所述半导体基板或所述支撑基材，从而去除所述异物去除用涂膜。

31、[14]. 如[13]所述的被加工了的半导体基板的制造方法，在所述层叠体中，所述异物去除用涂膜与铜接触。

32、[15]. 如[13]或[14]所述的被加工了的半导体基板的制造方法，在所述第4工序中，将异物与所述异物去除用涂膜一起去除。

33、[16]. 如[13]~[15]的任一项所述的被加工了的半导体基板的制造方法，所述第1工序是将所述半导体基板与所述支撑基材经由所述异物去除用涂膜和粘接剂层贴合从而制造层叠体的工序。

34、[17]. 如[16]所述的半导体基板的制造方法，在所述第4工序中，将作为所述粘接剂层的剥离残渣的异物与所述异物去除用涂膜一起去除。

35、[18]. 如[13]~[17]的任一项所述的被加工了的半导体基板的制造方法，所述加工包含连接所述半导体基板与第2半导体基板的步骤。

36、发明效果

37、此外，依据本发明，可提供可得到具有易去除性的异物去除用涂膜的用于形成异物去除用涂膜的组合物，以及使用该组合物的异物去除用涂膜、半导体基板和被加工了的半导体基板的制造方法。

1.一种组合物，其是用于形成异物去除用涂膜的组合物，由该组合物可形成能够被去除液去除的涂膜，该组合物含有膜构成成分和溶剂，

2.如权利要求1所述的组合物，所述配位性化合物是能够与铜配位的化合物。

3.如权利要求1所述的组合物，所述配位性化合物是下述(i)~(iv)中的至少一者，

4.如权利要求1所述的化合物，所述膜构成成分中含有作为所述配位性化合物以外的成分的化合物或聚合物。

5.如权利要求4所述的组合物，所述化合物或聚合物具有羟基、羧基和杂环中的至少一者。

6.如权利要求1所述的组合物，相对于所述膜构成成分，所述配位性化合物的含量为1质量%~10质量%。

7.如权利要求4所述的组合物，相对于所述膜构成成分，所述化合物或聚合物的含量为90质量%~99质量%。

8.如权利要求1所述的组合物，所述去除液为碱性去除液。

9.如权利要求1所述的组合物，所述涂膜与铜接触。

10.一种异物去除用涂膜，其由权利要求1~9中任一项所述的组合物形成。

11.一种半导体基板，其具有权利要求10所述的异物去除用涂膜。

12.如权利要求11所述的半导体基板，所述异物去除用涂膜与铜接触。

13.一种被加工了的半导体基板的制造方法，其包含以下工序：

14.如权利要求13所述的被加工了的半导体基板的制造方法，在所述层叠体中，所述异物去除用涂膜与铜接触。

15.如权利要求13所述的被加工了的半导体基板的制造方法，在所述第4工序中，将异物与所述异物去除用涂膜一起去除。

16.如权利要求13所述的被加工了的半导体基板的制造方法，所述第1工序是将所述半导体基板与所述支撑基材经由所述异物去除用涂膜和粘接剂层贴合从而制造层叠体的工序。

17.如权利要求16所述的半导体基板的制造方法，在所述第4工序中，将作为所述粘接剂层的剥离残渣的异物与所述异物去除用涂膜一起去除。

18.如权利要求13所述的被加工了的半导体基板的制造方法，所述加工包含连接所述半导体基板与第2半导体基板的步骤。