一种OLED屏幕制程用低撕膜电压硅胶保护膜及其制备方法与流程

本发明属于电子产品制造领域，具体涉及一种oled屏幕制程用低撕膜电压硅胶保护膜及其制备方法。

背景技术：

1、随着智能手机的快速发展，oled显示屏凭借自发光、高色域、可柔性折叠等优势，已在智能手机领域成为主流，其市场占比超过56%，同时在平板电脑、车载显示等领域的应用也显著增长。在oled显示屏面板制造过程中，oled制程保护膜作为不可或缺的辅材，覆盖于面板表面，在搬运、切割及蒸镀等工序中，起到承载与保护作用。oled屏体中的有机发光二极管和薄膜晶体管对外界静电与扰动极为敏感，在保护膜的贴合与剥离过程中，大于0.2kv的静电电压可能击穿像素点，过大的剥离应力也会导致屏体末端起皱。因此，对oled制程保护膜的剥离力及撕膜电压性能提出了极为严苛的要求。

2、目前，市面上应用的oled制程保护膜主要为聚氨酯胶保护膜和硅胶保护膜，聚氨酯胶在高湿环境下，其中的异氰酸酯基团（-nco）易发生水解，产生白雾，严重影响客户良率。此外，屏体下表面的聚酰亚胺（pi）膜表面能较高，在长时间存放过程中，容易和异氰酸酯胶里面的氨酯、羟基、异氰酸酯、醚等基团产生共价键、氢键，导致保护膜的剥离力显著上升，进而引发剥离时屏体末端起皱。硅胶由于其饱和共价键的结构，整个分子链由重复的硅氧烷（-si(ch3)2-o-）单元构成，不存在自由移动的π电子或未成对电子，且甲基的对称分布，抵消了硅氧键本身的极性，使硅胶成为一种极难导电的非极性聚合物，硅胶保护膜的剥离电压极高达2-3kv。针对该问题，市面上通常采用内添加抗静电剂进行改善，其中聚噻吩类抗静电剂易导致铂金中毒，使胶体固化强度不足，性能不佳；碳纳米管虽能降低硅胶表面的静态电阻值，但在高速剥离过程中，撕膜电压仍然较高。因此，尽管硅胶保护膜具有耐温稳定性好、无白雾等优点，但撕膜电压过高的问题严重限制了其在oled制程保护领域的应用。有鉴于此，实有必要开发一种oled屏幕制程用低撕膜电压硅胶保护膜来满足智能手机、平板电脑和车载显示等市场的新要求。

技术实现思路

1、针对现有技术中存在的不足之处，本发明的目的是提供了一种oled屏幕制程用低撕膜电压硅胶保护膜及其制备方法，以解决现有技术中oled制程硅胶保护膜撕膜电压过高的问题。

2、按照本发明的技术方案，所述一种oled屏幕制程用低撕膜电压硅胶保护膜，包括：基材层、压敏胶层和离型膜层。

3、所述基材层是一种oled屏幕制程用低撕膜电压硅胶保护膜结构的基底，所述基材层选用的材料为pet（聚对苯二甲酸乙二醇酯），所述基材层的两面涂有抗静电底涂。

4、所述抗静电底涂的材料成分为聚噻吩，所述聚噻吩均匀涂覆在基材层的两面，形成抗静电底涂涂层，所述抗静电底涂涂层的表面电阻值为104-107ω。

5、所述压敏胶层设置在所述基材层的上方，所述压敏胶层中的材料成份包括：硅胶胶水组合物、交联剂、锚固剂、催化剂和溶剂，以重量份数计，所述压敏胶层中的材料成份配比为：硅胶胶水组合物80-120份、交联剂0.5-1.5份、锚固剂0.5-3份、催化剂1-2份、溶剂40-80份。

6、所述硅胶胶水组合物的材料成份包括：乙烯基聚二甲基硅油、乙烯基三氟丙基硅油、甲基mq树脂、溶剂、碳纳米管浆料、碳纳米微球、表面活性剂、抑制剂，以重量份数计，所述硅胶胶水组合物的材料成份配比为：乙烯基聚二甲基硅油30-50份、乙烯基三氟丙基硅油2-10份、甲基mq树脂10-20份、溶剂20-40份、碳纳米管浆料0.5-1.5份、碳纳米微球0.05-0.15份、表面活性剂0.1-0.5份、抑制剂0.05-0.1份。

7、所述硅胶胶水组合物的制备方法为，将所述乙烯基聚二甲基硅油30-50份、表面活性剂0.1-0.5份、碳纳米管浆料0.5-1.5份，碳纳米微球0.05-0.15份，依次投入到行星式球磨机中，所述行星式球磨机的转速调整至800r/min，高速混合1-2小时，使用显微镜不断取样观察所述半成品混合胶料的外观，当所述半成品混合胶料没有明显颗粒时，表明所述半成品混合胶料完成分散加工，然后向装有所述半成品混合胶料的行星式球磨机中，继续加入所述乙烯基三氟丙基硅油2-10份、甲基mq树脂10-20份、抑制剂0.05-0.1份、溶剂20-40份，所述行星式球磨机的转速调整至500r/min，继续搅拌0.5小时，制备获得所述硅胶胶水组合物。

8、所述乙烯基聚二甲基硅油的数均分子量在8000-10000之间，所述乙烯基聚二甲基硅油的乙烯基含量在0.1%-0.14%之间。

9、所述乙烯基三氟丙基硅油的粘度为1000-2000厘泊，所述乙烯基三氟丙基硅油的乙烯基含量在0.15%-0.18%之间。

10、优选的是，所述乙烯基聚二甲基硅油和乙烯基三氟丙基硅油的比例设置为20:3。

11、所述甲基mq树脂的分子量在3000-5000之间，所述甲基mq树脂的mq比在0.6-0.9之间。

12、所述碳纳米管浆料选用市售单壁碳纳米管浆料，所述碳纳米管浆料的直径为1-5纳米。

13、优选的是，所述碳纳米管浆料选用ocsial公司的tuball matrix 602，但不局限于ocsial公司的tuball matrix 602这一种规格型号，其他规格型号均在选用范围内。

14、所述碳纳米微球选用市售单分散碳纳米微球，所述碳纳米微球的直径为10-50纳米。

15、优选的是，所述碳纳米微球选用中科科优的碳纳米球，但不局限于中科科优的碳纳米球，其他规格型号均在选用范围内。

16、所述表面活性剂选用市售十二烷基苯磺酰钠。

17、所述抑制剂选用乙炔基环己醇。

18、所述交联剂选用市售端侧含氢硅油，所述交联剂的含氢量在1.4-1.6%之间。

19、所述锚固剂选用市售缩水甘油氧丙基三甲氧基硅烷。

20、所述催化剂选用市售karstedt催化剂，所述karstedt催化剂的铂金含量为5000ppm。

21、所述溶剂选用甲苯或乙酸乙酯。

22、所述离型膜层设置在所述压敏胶层的上方，所述离型层的材质为非硅离型膜或者氟素离型膜中的一种。

23、所述一种oled屏幕制程用低撕膜电压硅胶保护膜的制备方法，按重量份数计包含以下步骤：

24、s1：将所述硅胶胶水组合物80-120份、溶剂40-80份、交联剂0.5-1.5份、锚固剂0.5-3份、催化剂1-2份，依次投入到搅拌设备中，所述搅拌设备的搅拌速度调节至300r/min，所述搅拌设备的搅拌时间设定为0.5小时，制备获得胶水料液。

25、s2：将所述胶水料液用500目滤网过滤，去除颗粒或者团聚杂质，采用solt die涂布设备，将所述胶水料液均匀涂布到所述基材层上，使用150摄氏度的烘箱对涂覆所述胶水料液的所述基材层进行恒温干燥处理，烘箱干燥时间设定为3分钟，完成所述压敏胶层的制备。

26、s3：采用离型膜复合工艺，将所述离型膜复合至所述压敏胶层的上方，形成所述离型膜层，制备获得所述一种oled屏幕制程用低撕膜电压硅胶保护膜。

27、本发明通过对撕膜电压的产生机理研究，发现不同材料接触或者分离时，分子外围电子获得能量并逃逸，束缚电子能力弱的物质会失去电子，带正电，束缚电子能力强的物质会得到电子，带负电，随着电荷的积累并且无法及时传导消散导致电压越来越大，本发明的技术方案相比现有的技术方案有以下优点：

28、（1）本发明所述硅胶胶水组合物的材料成份中含有一定配比量的所述乙烯基三氟丙基硅油，所述乙烯基三氟丙基硅油中的三氟丙基是吸电子基团，所述三氟丙基作为侧基，能够平衡所述压敏胶层的给电子效应。通过调控所述乙烯基聚二甲基硅油和乙烯基三氟丙基硅油的比例，可以提高所述压敏胶层表面分子极性，增强对电子的束缚能力，优化了所述oled屏幕制程用低撕膜电压硅胶保护膜和oled屏体表面的界面作用，使两界面束缚电子能力接近，从而显著降低撕膜电压。

29、（2）本发明所述乙烯基三氟丙基硅油中含有氟元素，能够进一步降低所述压敏胶层的表面能，使所述oled屏幕制程用低撕膜电压硅胶保护膜的剥离力爬升更低，耐温稳定性更强。

30、（3）本发明利用了所述碳纳米管和所述碳纳米微球的抗静电协同作用，所述碳纳米管的优异导电性起到了导电“高速公路”作用，所述碳纳米微球起到了填充间隙，连接断点的“桥梁”作用，进而形成三维互通的导电网络。

31、综上所述，本发明所述oled屏幕制程用低撕膜电压硅胶保护膜，具备撕膜电压低（小于0.2kv）、老化剥离力稳定、耐高温高湿性能优异的特点，符合oled屏幕制程对硅胶保护膜的性能要求。