一种低弯曲度砷化镓切割装置的制作方法

本技术涉及砷化镓晶圆加工，更具体地说，本技术涉及一种低弯曲度砷化镓切割装置。

背景技术：

1、砷化镓是一种重要的半导体材料，晶圆则是硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆，在加工的过程中需要对晶圆进行打磨抛光和切割。

2、现有的砷化镓晶圆切割装置在对其进行切割时，所喷出的水会对其进行降温，而所喷出的水无法在切割的过程中来覆盖整个晶圆，一般只对其切割点位置进行喷出进行降温，而因为有热传导的效应再加上材料较薄，这就导致在切割完成后晶圆出现明显的弯曲产生，不能均匀的对整个材料进行降温，以减小晶圆形成的弯曲度。

技术实现思路

1、为了克服现有技术的上述缺陷，本实用新型提供一种低弯曲度砷化镓切割装置，以解决在现有技术中对砷化镓晶圆在切割时进行均匀的降温，以满足砷化镓晶圆弯曲度的降低的问题。

2、为解决上述技术问题，本实用新型提供如下技术方案：一种低弯曲度砷化镓切割装置，包括

3、切割设备、切割轮、砷化镓晶圆，所述切割设备的内壁活动连接有支架，所述支架的四角滑动连接有滑杆，所述滑杆远离所述支架的一端固定连接有底板，所述滑杆的外部套设有弹性件，所述支架的顶部固定连接有挡水罩。

4、所述滑杆的外部固定连接有压板，所述切割设备的外部固定连接有承载板，所述切割设备的外部固定连接有观察护板。

5、所述底板的底部开设有多个导水槽，所述底板的两端设置有弧形切口，所述支架的内壁固定连接有喷嘴，所述压板的外部滑动连接在所述支架的内壁。

6、所述底板远离所述滑杆的一端与所述砷化镓晶圆的外部相接触，所述切割轮的外部转动连接在所述支架的内壁。

7、所述弹性件的一端固定连接在所述压板的外部，所述弹性件远离所述压板的一端固定连接在所述支架的内壁。

8、所述承载板远离所述切割设备的一端与所述砷化镓晶圆的底部相接触，所述砷化镓晶圆远离所述承载板的一端与所述切割轮的外部相接触。

9、所述弧形切口的外部与所述砷化镓晶圆的外部相接触，所述切割设备的外部固定连接有放置盒；

10、与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：

11、上述方案中，通过底板和滑杆中的弹性件进行配合，实现了在对砷化镓晶圆进行切割时保持砷化镓晶圆的稳定性，防止有晃动的情况产生进而影响切割的精度，并且在切割时为了保证对砷化镓晶圆进行整体的降温，通过对水流的扩散来覆盖整个砷化镓晶圆，以达到实现对砷化镓晶圆进行均匀降温的目的，这样便能降低砷化镓晶圆产生较高的弯曲度。

1.一种低弯曲度砷化镓切割装置，其特征在于，包括切割设备（1）、切割轮（8）、砷化镓晶圆（12），所述切割设备（1）的内壁活动连接有支架（2），所述支架（2）的四角滑动连接有滑杆（3），所述滑杆（3）远离所述支架（2）的一端固定连接有底板（6），所述滑杆（3）的外部套设有弹性件（4），所述支架（2）的顶部固定连接有挡水罩（7）。

2.根据权利要求1所述的一种低弯曲度砷化镓切割装置，其特征在于，所述滑杆（3）的外部固定连接有压板（5），所述切割设备（1）的外部固定连接有承载板（11），所述切割设备（1）的外部固定连接有观察护板（13）。

3.根据权利要求2所述的一种低弯曲度砷化镓切割装置，其特征在于，所述底板（6）的底部开设有多个导水槽（9），所述底板（6）的两端设置有弧形切口（10），所述支架（2）的内壁固定连接有喷嘴（15），所述压板（5）的外部滑动连接在所述支架（2）的内壁。

4.根据权利要求1所述的一种低弯曲度砷化镓切割装置，其特征在于，所述底板（6）远离所述滑杆（3）的一端与所述砷化镓晶圆（12）的外部相接触，所述切割轮（8）的外部转动连接在所述支架（2）的内壁。

5.根据权利要求2所述的一种低弯曲度砷化镓切割装置，其特征在于，所述弹性件（4）的一端固定连接在所述压板（5）的外部，所述弹性件（4）远离所述压板（5）的一端固定连接在所述支架（2）的内壁。

6.根据权利要求2所述的一种低弯曲度砷化镓切割装置，其特征在于，所述承载板（11）远离所述切割设备（1）的一端与所述砷化镓晶圆（12）的底部相接触，所述砷化镓晶圆（12）远离所述承载板（11）的一端与所述切割轮（8）的外部相接触。

7.根据权利要求3所述的一种低弯曲度砷化镓切割装置，其特征在于，所述弧形切口（10）的外部与所述砷化镓晶圆（12）的外部相接触，所述切割设备（1）的外部固定连接有放置盒（14）。