显示装置的制作方法

1.本公开涉及一种显示装置。


背景技术：

2.随着多媒体技术的发展，显示装置变得越来越重要。因此，已经使用了各种显示装置，诸如有机发光二极管(oled)显示装置、液晶显示(lcd)装置等。
3.典型的显示装置包括显示面板，诸如有机发光显示面板或液晶显示(lcd)面板。发光显示面板可以包括发光元件。例如，发光二极管(led)包括使用有机材料作为荧光材料的有机发光二极管(oled)和使用无机材料作为荧光材料的无机led。


技术实现要素：

4.[技术问题]
[0005]
本公开的实施方式的方面提供了一种具有新颖的堆叠结构的显示装置。
[0006]
应注意，本公开的方面不限于以上提及的方面，并且本公开的其它未提及的方面将由本领域技术人员从以下描述清楚地理解。
[0007]
[技术方案]
[0008]
根据本公开的实施方式，显示装置可以包括：第一电极和第二电极，在第一方向上延伸并且在第二方向上彼此间隔开；第一绝缘层，设置在第一电极和第二电极上；堤层，设置在第一绝缘层上，并且包括：外堤部分，在第一方向和第二方向上延伸；以及内堤部分，在由外堤部分围绕的区域中在第一方向上延伸；第二绝缘层，设置在内堤部分和第一绝缘层上；以及发光元件，在内堤部分之间设置在第二绝缘层上，其中，内堤部分中的每个连接到外堤部分的在第二方向上延伸的部分。
[0009]
内堤部分可以包括：第一内堤部分，设置在第一电极上；以及第二内堤部分，设置在第二电极上，并且在第二方向上与第一内堤部分间隔开，以及第二绝缘层可以包括：第一图案部分，设置在第一内堤部分和第二内堤部分之间的第一主区域中，设置在第一内堤部分和外堤部分的在第一方向上延伸的部分之间的第一子区域中，设置在第二内堤部分和外堤部分的在第一方向上延伸的部分之间的第二子区域中，并且设置在内堤部分上。第一图案部分的一部分可以直接设置在围绕第一主区域、第一子区域和第二子区域的外堤部分的侧表面上。
[0010]
显示装置还可以包括穿透第一绝缘层和第二绝缘层的孔。孔可以包括：第一孔，设置在第一子区域中；以及第二孔，设置在第二子区域中。
[0011]
显示装置还可以包括：第三绝缘层，设置在堤层、第二绝缘层和发光元件上，并且暴露发光元件中的每个的端部。第三绝缘层的一部分可以设置在第一孔和第二孔中的每个中。
[0012]
第一内堤部分和第二内堤部分之间的间隙可以大于第一电极和第二电极之间的间隙。
[0013]
发光元件中的每个的端部可以在第一主区域中分别设置在第一电极和第二电极上。
[0014]
显示装置还可以包括：第一电极接触孔，设置在第一电极的与外堤部分的在第二方向上延伸的部分重叠的部分中；以及第二电极接触孔，设置在第二电极的与外堤部分的在第二方向上延伸的部分重叠的部分中。
[0015]
显示装置还可以包括：第三子区域，由外堤部分围绕并且在第一方向上与其中设置有发光元件的区域间隔开，其中，第一绝缘层的一部分可以设置在第三子区域中，以及第二绝缘层可以包括第二图案部分，第二图案部分设置在第三子区域中并且设置在围绕第三子区域的外堤部分的侧表面上。
[0016]
显示装置还可以包括：第一接触部分，设置在第三子区域中，并且穿透第一绝缘层和第二绝缘层以暴露第一电极的一部分；以及第二接触部分，设置在第三子区域中，并且穿透第一绝缘层和第二绝缘层以暴露第二电极的一部分。第一电极的一部分和第二电极的一部分可以设置在第三子区域中。
[0017]
显示装置还可以包括：第一连接电极，设置在第一电极上，在第一方向上延伸，并且在第一接触部分中与第一电极电接触；以及第二连接电极，设置在第二电极上，在第一方向上延伸，并且在第二接触部分中与第二电极电接触。第一连接电极和第二连接电极中的每个可以与发光元件电接触。
[0018]
显示装置还可以包括设置在第三子区域中并且穿透第一绝缘层和第二绝缘层的开口。第一电极和第二电极可以不设置在开口中。
[0019]
外堤部分可以包括设置在不在其上设置第二绝缘层的上表面上的等离子体区域。
[0020]
显示装置还可以包括：第三电极，设置在第一电极和第二电极之间；以及第四电极，在第二方向上与第三电极间隔开，且第二电极设置在第三电极和第四电极之间。内堤部分可以包括：第一内堤部分，设置在第一电极上；第二内堤部分，设置在第四电极上；以及第三内堤部分，在第一内堤部分和第二内堤部分之间设置在第二电极和第三电极上。
[0021]
发光元件可以包括：第一发光元件，在第一内堤部分和第三内堤部分之间的第一主区域中设置在第一电极和第三电极上；以及第二发光元件，在第三内堤部分和第二内堤部分之间的第二主区域中设置在第二电极和第四电极上。
[0022]
根据本公开的实施方式，显示装置可以包括：第一电极和第二电极，设置在第一衬底上；第一绝缘层，设置在第一电极和第二电极上；第一内堤部分和第二内堤部分，设置在第一绝缘层上，并且分别设置在第一电极和第二电极上；外堤部分，设置在第一绝缘层上，并且围绕第一内堤部分和第二内堤部分；第二绝缘层，设置在第一绝缘层、第一内堤部分和第二内堤部分上；发光元件，设置在第一内堤部分和第二内堤部分之间，并且各自包括端部，端部中的至少一个设置在第一电极或第二电极上；第三绝缘层，设置在第二绝缘层和发光元件上，并且暴露发光元件中的每个的端部；第一连接电极，设置在第一电极上，并且与发光元件中的每个的一端电接触；以及第二连接电极，设置在第二电极上，并且与发光元件中的每个的另一端电接触。
[0023]
显示装置还可以包括还可以包括：孔，设置在第一内堤部分和外堤部分之间以及第二内堤部分和外堤部分之间，并且穿透第一绝缘层和第二绝缘层。第二绝缘层可以设置在第一内堤部分和外堤部分之间的区域以及第二内堤部分和外堤部分之间的区域中以及
显示装置。
[0024]
第三绝缘层可以设置在孔中。
[0025]
第二绝缘层的一部分可以直接设置在外堤部分的侧表面上。
[0026]
外堤部分可以包括设置在不在其上设置第二绝缘层的上表面上的等离子体区域。
[0027]
第二绝缘层可以包括：第一层；以及第二层，设置在第一层上，并且包括具有与第一层的材料不同的折射率的材料。
[0028]
其它实施方式的细节包括在详细描述和附图中。
[0029]
[有益效果]
[0030]
根据实施方式的显示装置包括设置在包括有机材料的堤层和电极之间的绝缘层。因此，可以防止电极在形成堤层的工艺中被堤层的显影剂损坏。
[0031]
根据实施方式的效果不受以上例示的内容的限制，并且更多的各种效果包括在本公开中。
附图说明
[0032]
图1是根据实施方式的显示装置的示意性平面图。
[0033]
图2是根据实施方式的显示装置的像素的示意性平面图。
[0034]
图3是示出图2的第一子像素中的电极和第一绝缘层的相对布置的示意性平面图。
[0035]
图4是示出图2的第一子像素中的电极、第一绝缘层和堤层的相对布置的示意性平面图。
[0036]
图5是示出图2的第一子像素中的堤层和第二绝缘层的相对布置的示意性平面图。
[0037]
图6是沿着图2的线q1-q1'、q2-q2'和q3-q3'截取的示意性剖视图。
[0038]
图7是沿着图2的线q4-q4'截取的示意性剖视图。
[0039]
图8是沿着图2的线q5-q5'截取的示意性剖视图。
[0040]
图9是根据实施方式的发光元件的示意图。
[0041]
图10是沿着图2的线q6-q6'截取的示意性剖视图。
[0042]
图11是沿着图2的线q7-q7'截取的示意性剖视图。
[0043]
图12是示出根据实施方式的显示装置的第二绝缘层的结构的示意性剖视图。
[0044]
图13是根据实施方式的显示装置的子像素的示意性平面图。
[0045]
图14是根据实施方式的显示装置的像素的示意性平面图。
[0046]
图15是图14的第一子像素的示意性平面图。
[0047]
图16是示出图14的第一子像素中的电极和第一绝缘层的相对布置的示意性平面图。
[0048]
图17是示出图14的第一子像素中的电极、第一绝缘层和堤层的相对布置的示意性平面图。
[0049]
图18是示出图14的第一子像素中的堤层和第二绝缘层的相对布置的示意性平面图。
[0050]
图19是沿着图14的线q8-q8'截取的示意性剖视图。
[0051]
图20和图21是示出根据实施方式的显示装置的孔的示意性剖视图。
具体实施方式
[0052]
现在将参考附图在下文中更全面地描述本公开，在附图中示出了本公开的优选实施方式。然而，本公开可以以不同的形式来实施，并且不应被解释为限于在本文中阐述的实施方式。相反，提供这些实施方式使得本公开将是透彻且完整的，并且将向本领域技术人员充分传达本公开的范围。
[0053]
还将理解，当层被称为在另一层或衬底“上”时，其可以直接在另一层或衬底上，或者也可以存在中间的层。在整个说明书中，相同的附图标记指示相同的部件。
[0054]
将理解的是，虽然本文中可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应受到这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。例如，在不背离本公开的教导的情况下，下面讨论的第一元件可以被称为第二元件。类似地，第二元件也可以被称为第一元件。
[0055]
在下文中，将参考附图描述实施方式。
[0056]
图1是根据实施方式的显示装置10的示意性平面图。
[0057]
参考图1，显示装置10显示运动图像或静止图像。显示装置10可以表示提供显示屏的任何电子装置。显示装置10的示例可以包括电视、膝上型计算机、监视器、广告牌、物联网(iot)装置、移动电话、智能电话、平板个人计算机(pc)、电子手表、智能手表、手表电话、头戴式显示器、移动通信终端、电子笔记本、电子书、便携式多媒体播放器(pmp)、导航装置、游戏机以及数码相机和摄像机，这些全部提供显示屏。
[0058]
显示装置10包括提供显示屏的显示面板。显示面板的示例包括无机发光二极管显示面板、有机发光显示面板、量子点发光显示面板、等离子体显示面板和场发射显示面板。下面将描述应用无机发光二极管显示面板作为显示面板的示例的情况，但是本公开不限于此，并且也可以应用其它显示面板，只要可应用相同的技术精神即可。
[0059]
显示装置10的形状可以被不同地修改。例如，显示装置10可以具有诸如水平长的矩形、竖直长的矩形、正方形、具有圆润拐角(顶点)的四边形、其它多边形和圆形的各种形状。显示装置10的显示区域dpa的形状也可以类似于显示装置10的整体形状。在图1中，显示装置10的形状类似于在第二方向dr2上长的矩形。
[0060]
显示装置10可以包括显示区域dpa和非显示区域nda。显示区域dpa可以是可显示图像的区域，并且非显示区域nda可以是不显示图像的区域。显示区域dpa也可以被称为有效区域，并且非显示区域nda也可以被称为非有效区域。显示区域dpa可以大致占据显示装置10的中央。
[0061]
显示区域dpa可以包括像素px。像素px可以在矩阵方向上布置。像素px中的每个在平面图中可以是矩形或正方形。然而，本公开不限于此，并且像素px中的每个也可以具有菱形形状，其每个侧边相对于一方向倾斜。像素px可以以条纹类型或pentile
tm
类型布置。像素px中的每个可以包括发射特定波长带的光的一个或多个发光元件，以呈现出特定的颜色。
[0062]
非显示区域nda可以设置在显示区域dpa周围。非显示区域nda可以完全或部分地围绕显示区域dpa。显示区域dpa可以是矩形的，并且非显示区域nda可以设置成与显示区域dpa的四个侧边相邻。非显示区域nda可以形成显示装置10的边框。在每个非显示区域nda中，可以设置包括在显示装置10中的布线或电路驱动器，或者可以安装外部装置。
[0063]
图2是根据实施方式的显示装置10的像素px的示意性平面图。
[0064]
参考图2，显示装置10的像素px中的每个可以包括子像素spxn(其中，n是1至3)。例如，像素px可以包括第一子像素spx1、第二子像素spx2和第三子像素spx3。第一子像素spx1可以发射第一颜色的光，第二子像素spx2可以发射第二颜色的光，并且第三子像素spx3可以发射第三颜色的光。例如，第一颜色可以是蓝色，第二颜色可以是绿色，并且第三颜色可以是红色。然而，本公开不限于此，并且子像素spxn也可以发射相同颜色的光。在实施方式中，子像素spxn可以发射蓝光。尽管在附图中一个像素px包括三个子像素spxn，但是本公开不限于此，并且像素px还可以包括更多数量的子像素spxn。
[0065]
显示装置10的每个子像素spxn可以包括发射区域ema和非发射区域。发射区域ema可以是在其中设置发光元件ed以发射特定波长带的光的区域。非发射区域可以是不在其中设置发光元件ed的区域，并且由于从发光元件ed发射的光不到达非发射区域，因此不从该区域输出光。
[0066]
发射区域可以包括在其中设置发光元件ed的区域和与发光元件ed相邻并且向其输出从发光元件ed发射的光的区域。然而，本公开不限于此，并且发射区域ema也可以包括从发光元件ed发射的光在被其它构件反射或折射之后从其输出的区域。发光元件ed可以设置在每个子像素spxn中，并且设置发光元件ed的区域和与该区域相邻的区域可以形成发射区域ema。
[0067]
尽管在附图中子像素spxn的相应的发射区域ema具有基本上相同的面积，但是本公开不限于此。在一些实施方式中，每个子像素spxn的发射区域ema可以根据从设置在相应的子像素spxn中的发光元件ed发射的光的颜色或波长带而具有不同的面积。
[0068]
子像素spxn可以由堤层bnl分离开，并且一子像素spxn可以包括由堤层bnl围绕的区域。堤层bnl可以通过包括在平面图中在第一方向dr1和第二方向dr2上延伸的部分，在整个显示区域dpa中以网格图案设置。堤层bnl可以包括具有在第一方向dr1和第二方向dr2上延伸的部分的外堤部分eb(参见图4)、以及设置在由外堤部分eb围绕的区域中的内堤部分ib(参见图4)。外堤部分eb可以设置在不同的子像素spxn的边界处，以将相邻的子像素spxn分离开。子像素spxn之间的间隙可以根据外堤部分eb的宽度而变化。堤层bnl的外堤部分eb可以将子像素spxn划分成两个区域，并且可以与内堤部分ib一起将子像素spxn划分成多个区域ma1、sa1、sa2和sa3(参见图4)。这将在下面参考其它附图进行描述。
[0069]
图3是示出图2的第一子像素spx1中的电极rme和第一绝缘层pas1的相对布置的示意性平面图。图4是示出图2的第一子像素spx1中的电极rme、第一绝缘层pas1和堤层bnl的相对布置的示意性平面图。图5是示出图2的第一子像素spx1中的堤层bnl和第二绝缘层pas2的相对布置的示意性平面图。图6是沿着图2的线q1-q1'、q2-q2'和q3-q3'截取的示意性剖视图。图7是沿着图2的线q4-q4'截取的示意性剖视图。图8是沿着图2的线q5-q5'截取的示意性剖视图。
[0070]
图3至图5仅示出了设置在第一子像素spx1中的层中的一些。图6示出了跨过设置在第一子像素spx1中的发光元件ed的两端的剖面，并且图7和图8分别示出了跨过设置在第一子像素spx1的第三子区域sa3中的接触部分ct1和ct2以及分离部分rop的剖面。
[0071]
结合图2参考图3至图7，显示装置10可以包括第一衬底sub、以及设置在第一衬底sub上的半导体层、导电层和绝缘层。半导体层、导电层和绝缘层可以形成显示装置10的电路层和显示元件层。
[0072]
具体地，第一衬底sub可以是绝缘衬底。第一衬底sub可以由诸如玻璃、石英或聚合物树脂的绝缘材料制成。第一衬底sub可以是刚性衬底，但也可以是可弯曲、折叠、卷曲等的柔性衬底。
[0073]
第一导电层可以设置在第一衬底sub上。第一导电层包括底部金属层cas，并且底部金属层cas与第一晶体管t1的有源层act1重叠。底部金属层cas可以包括光阻挡材料以防止光进入第一晶体管t1的有源层act1。然而，底部金属层cas可以被省略。
[0074]
缓冲层bl可以设置在底部金属层cas和第一衬底sub上。缓冲层bl可以形成在第一衬底sub上，以保护像素px的晶体管不受通过第一衬底sub(其易被湿气渗透)引入的湿气的影响，并且可以执行表面平坦化功能。
[0075]
半导体层设置在缓冲层bl上。半导体层可以包括第一晶体管t1的有源层act1。有源层act1可以与将在下面描述的第二导电层的栅电极g1重叠。
[0076]
半导体层可以包括多晶硅、单晶硅、氧化物半导体等。在实施方式中，半导体层可以包括多晶硅。氧化物半导体可以是包含铟(in)的氧化物半导体。例如，氧化物半导体可以是铟锡氧化物(ito)、铟锌氧化物(izo)、铟镓氧化物(igo)、铟锌锡氧化物(izto)、铟镓锡氧化物(igto)、铟镓锌氧化物(igzo)和铟镓锌锡氧化物(igzto)中的至少一种。
[0077]
尽管在附图中，在显示装置10的每个子像素spxn中设置一个第一晶体管t1，但是本公开不限于此。显示装置10可以包括更多数量的晶体管。
[0078]
第一栅极绝缘层gi设置在半导体层和缓冲层bl上。第一栅极绝缘层gi可以用作第一晶体管t1的栅极绝缘膜。
[0079]
第二导电层设置在第一栅极绝缘层gi上。第二导电层可以包括第一晶体管t1的栅电极g1。栅电极g1可以在第三方向dr3(其是厚度方向)上与有源层act1的沟道区域重叠。
[0080]
第一层间绝缘层il1设置在第二导电层上。第一层间绝缘层il1可以用作第二导电层和设置在第二导电层上的其它层之间的绝缘膜，并且可以保护第二导电层。
[0081]
第三导电层设置在第一层间绝缘层il1上。第三导电层可以包括第一电压线vl1、第二电压线vl2、以及导电图案cdp1和cdp2(例如，第一导电图案cdp1和第二导电图案cdp2)。
[0082]
提供给第一电极rme1的高电势电压(或第一电源电压)可以被施加到第一电压线vl1，并且提供给第二电极rme2的低电势电压(或第二电源电压)可以被施加到第二电压线vl2。第一电压线vl1的一部分可以通过穿透第一层间绝缘层il1和第一栅极绝缘层gi的接触孔接触第一晶体管t1的有源层act1。第一电压线vl1可以用作第一晶体管t1的第一漏电极d1。第二电压线vl2可以直接连接到将在下面描述的第二电极rme2。
[0083]
第一导电图案cdp1可以通过穿透第一层间绝缘层il1和第一栅极绝缘层gi的接触孔接触第一晶体管t1的有源层act1。第一导电图案cdp1可以通过另一接触孔与底部金属层cas接触。第一导电图案cdp1可以用作第一晶体管t1的第一源电极s1。
[0084]
第二导电图案cdp2可以电连接到将在下面描述的第一电极rme1。第二导电图案cdp2可以通过第一导电图案cdp1电连接到第一晶体管t1。在附图中，第一导电图案cdp1和第二导电图案cdp2彼此分离。然而，在一些实施方式中，第二导电图案cdp2可以与第一导电图案cdp1成一体以形成一图案。第一晶体管t1可以将从第一电压线vl1接收的第一电源电压发送到第一电极rme1。
[0085]
尽管在附图中第一导电图案cdp1和第二导电图案cdp2形成在相同的层上，但是本公开不限于此。在一些实施方式中，第二导电图案cdp2可以与第一导电图案cdp1形成在不同的导电层上，例如，第二导电图案cdp2可以形成在第四导电层上，第四导电层设置在第三导电层上且一些绝缘层插置在第三导电层和第四导电层之间。在这种情况下，第一电压线vl1和第二电压线vl2也可以由第四导电层制成(或包括第四导电层)来代替第三导电层，并且第一电压线vl1可以通过另一导电图案电连接到第一晶体管t1的漏电极d1。
[0086]
以上描述的缓冲层bl、第一栅极绝缘层gi和第一层间绝缘层il1中的每个可以由交替堆叠的无机层组成。例如，缓冲层bl、第一栅极绝缘层gi和第一层间绝缘层il1中的每个可以是包括氧化硅(sio
x
)、氮化硅(sin
x
)和氮氧化硅(sio
x
ny)中的至少一个的无机层在其中堆叠的双层，或者可以是无机层在其中交替堆叠的多层。然而，本公开不限于此，并且缓冲层bl、第一栅极绝缘层gi和第一层间绝缘层il1中的每个也可以是包括以上绝缘材料中的任何一种的一个无机层。在一些实施方式中，第一层间绝缘层il1可以由诸如聚酰亚胺(pi)的有机绝缘材料制成。
[0087]
第二导电层和第三导电层中的每个可以是但不限于由钼(mo)、铝(al)、铬(cr)、金(au)、钛(ti)、镍(ni)、钕(nd)和铜(cu)及其合金中的一种或多种制成的单层或多层。
[0088]
过孔层via设置在第三导电层上。过孔层via可以包括诸如聚酰亚胺(pi)的有机绝缘材料，并且执行表面平坦化功能。
[0089]
电极rme、堤层bnl、发光元件ed和连接电极cne(例如，第一连接电极cne1和第二连接电极cne2)设置在过孔层via上作为显示元件层。绝缘层pas1至pas4(例如，第一绝缘层pas1至第四绝缘层pas4)可以设置在过孔层via上。
[0090]
电极rme在一方向上延伸并且设置在每个子像素spxn中。电极rme可以在第一方向dr1上延伸，可以设置在每个子像素spxn的发射区域ema中，并且可以在第二方向dr2上彼此间隔开。电极rme可以电连接到发光元件ed。电极rme中的每个可以通过将在下面描述的连接电极cne(cne1或cne2)电连接到发光元件ed，并且可以向发光元件ed发送从设置在其下方的导电层接收的电信号。
[0091]
显示装置10包括设置在每个子像素spxn中的第一电极rme1和第二电极rme2。第一电极rme1设置在发射区域ema的中央的左侧上，并且第二电极rme2在第二方向dr2上与第一电极rme1间隔开，并且设置在发射区域ema的中央的右侧上。
[0092]
如上所述，可以通过堤层bnl将子像素spxn划分成多个区域。在实施方式中，每个子像素spxn可以包括发射区域ema和第三子区域sa3作为由外堤部分eb围绕的区域。第三子区域sa3可以设置在发射区域ema下方，例如，在发射区域ema的在第一方向dr1上的另一侧上，并且第三子区域sa3可以设置于在第一方向dr1上相邻的子像素spxn的发射区域ema之间。例如，发射区域ema和第三子区域sa3可以在第二方向dr2上重复地布置，并且可以在第一方向dr1上交替地布置。然而，本公开不限于此，并且像素px中的发射区域ema和第三子区域sa3的布置也可以不同于图2中的布置。由于发光元件ed不设置在第三子区域sa3中，因而光不从第三子区域sa3输出，但设置在每个子像素spxn中的电极rme中的每个的一部分可以设置在第三子区域sa3中。第一电极rme1和第二电极rme2可以在第一方向dr1上延伸跨过发射区域ema和第三子区域sa3。在第三子区域sa3的分离部分rop中，电极rme中的每个可以与在第一方向dr1上相邻的子像素spxn的另一电极rme分离开。
[0093]
第一电极rme1和第二电极rme2可以设置在过孔层via上。在实施方式中，第一电极rme1和第二电极rme2可以直接设置在过孔层via上，并且可以通过穿透过孔层via的接触孔电连接到第三导电层。例如，可以在第一电极rme1在其中与设置在发射区域ema上方的外堤部分eb重叠的部分中形成穿透过孔层via的第一电极接触孔ctd。第一电极rme1可以通过第一电极接触孔ctd接触第三导电层的第二导电图案cdp2。类似地，可以在第二电极rme2在其中与设置在发射区域ema上方的外堤部分eb重叠的部分中形成穿透过孔层via的第二电极接触孔cts。第二电极rme2可以通过第二电极接触孔cts接触第三导电层的第二电压线vl2。第一电极rme1可以通过第二导电图案cdp2电连接到第一晶体管t1以接收第一电源电压，并且第二电极rme2可以电连接到第二电压线vl2以接收第二电源电压。尽管在附图中第一电极接触孔ctd和第二电极接触孔cts设置在外堤部分eb下方，但是本公开不限于此。电极接触孔ctd和cts中的每个也可以设置在发射区域ema或第三子区域sa3中。
[0094]
电极rme中的每个可以包括具有高反射率的导电材料。例如，电极rme中的每个可以包括为具有高反射率的材料的诸如银(ag)、铜(cu)或铝(al)的金属，或者可以是包括铝(al)、镍(ni)或镧(la)的合金。电极rme中的每个可以将在从发光元件ed发射之后朝向堤层bnl的侧表面行进的光反射在每个子像素spxn的向上方向上。
[0095]
然而，本公开不限于此，并且每个电极rme还可以包括透明导电材料。例如，每个电极rme可以包括诸如ito、izo或itzo的材料。在一些实施方式中，每个电极rme可以具有由透明导电材料形成的至少一个层和由具有高反射率的金属层形成的至少一个层各自堆叠的结构，或者可以形成为包括它们的单个层。例如，每个电极rme可以具有ito/ag/ito、ito/ag/izo或ito/ag/itzo/izo的堆叠结构。
[0096]
第一绝缘层pas1设置在过孔层via和电极rme上。第一绝缘层pas1可以保护电极rme，同时使它们彼此绝缘。具体地，第一绝缘层pas1可以设置成在形成堤层bnl之前覆盖电极rme(或与电极rme重叠)，从而防止电极rme在形成堤层bnl的工艺中被损坏。第一绝缘层pas1可以防止设置在第一绝缘层pas1上的发光元件ed直接接触其它构件并因此被损坏。
[0097]
在实施方式中，第一绝缘层pas1可以是台阶状的，使得第一绝缘层pas1的上表面的一部分在沿第二方向dr2彼此间隔开的电极rme之间被凹陷。发光元件ed可以设置在第一绝缘层pas1的台阶状的上表面上，并且可以在发光元件ed中的每个和第一绝缘层pas1之间形成空间。
[0098]
在实施方式中，第一绝缘层pas1可以整体地设置在过孔层via上，但是可以包括部分地暴露在第一绝缘层pas1下方的多个层的开口。例如，第一绝缘层pas1可以包括分别部分地暴露电极rme的上表面的接触部分ct1和ct2。接触部分ct1和ct2可以穿透第一绝缘层pas1以部分地暴露电极rme的上表面，并且将在下面描述的连接电极cne可以接触通过接触部分ct1和ct2暴露的电极rme。第一绝缘层pas1可以在分离部分rop中暴露过孔层via的上表面，在分离部分rop中不同的子像素spxn的电极rme彼此分离开。第一绝缘层pas1的接触部分ct1和ct2以及分离部分rop的开口可以设置在第三子区域sa3中。在实施方式中，第一绝缘层pas1可以包括在发射区域ema中暴露过孔层via的上表面的孔h1和h2(例如，第一孔h1和第二孔h2)。孔h1和h2可以在由外堤部分eb围绕的发射区域ema中设置或形成在内堤部分ib和外堤部分eb之间的区域中。
[0099]
如将在下面描述的，形成在第一绝缘层pas1中的开口可以通过将第一绝缘层pas1
与设置在第一绝缘层pas1上的第二绝缘层pas2一起图案化来形成。在制造显示装置10的工艺期间，在形成第一绝缘层pas1、堤层bnl和第二绝缘层pas2之后，可以部分地图案化第一绝缘层pas1和第二绝缘层pas2在其中重叠的区域，以形成接触部分ct1和ct2、孔h1和h2以及分离部分rop的开口。这将在下面详细地描述。
[0100]
堤层bnl可以设置在第一绝缘层pas1上。堤层bnl可以包括在第一方向dr1和第二方向dr2上延伸的部分，并且可以基于由每个子像素spxn占据的区域被划分成外堤部分eb和内堤部分ib。
[0101]
堤层bnl的外堤部分eb可以在平面图中包括在第二方向dr2上延伸的第一外堤部分eb1和第二外堤部分eb2、以及在第一方向dr1上延伸的第三外堤部分eb3和第四外堤部分eb4。外堤部分eb可以在整个显示区域dpa中形成为网格图案，并且可以将子像素spxn分隔开，并且可以将每个子像素spxn的发射区域ema和第三子区域sa3分隔开。
[0102]
在子像素spxn中，第一外堤部分eb1设置在发射区域ema上方，并且第二外堤部分eb2设置在发射区域ema下方和第三子区域sa3上方。第一外堤部分eb1和第二外堤部分eb2可以在第一方向dr1上彼此间隔开，并且可以交替且重复地布置。第一外堤部分eb1的在第一方向dr1上测量的宽度可以大于第二外堤部分eb2的宽度，但本公开不限于此。第三外堤部分eb3可以设置发射区域ema的在第二方向dr2上的两侧上，并且第四外堤部分eb4可以设置在第三子区域sa3的在第二方向dr2上的两侧上。第三外堤部分eb3和第四外堤部分eb4中的每个可以在第二方向dr2上重复地布置。第三外堤部分eb3的在第二方向dr2上测量的宽度可以大于第四外堤部分eb4的宽度，但是本公开不限于此。
[0103]
第一外堤部分eb1、第三外堤部分eb3和第四外堤部分eb4可以将不同的子像素spxn分离开，并且可以设置在不同的子像素spxn的边界处。由第一外堤部分eb1、第三外堤部分eb3和第二外堤部分eb2围绕的区域可以是子像素spxn的发射区域ema，并且发光元件ed可以设置在所述区域中。由第二外堤部分eb2、第四外堤部分eb4和第一外堤部分eb1围绕的区域可以是子像素spxn的第三子区域sa3，并且可以是不在其中设置发光元件ed的非发射区域。
[0104]
内堤部分ib可以在发射区域ema中在第一方向dr1上延伸，并且可以连接到第一外堤部分eb1和第二外堤部分eb2。内堤部分ib可以包括位于发射区域ema的中央的左侧上的第一内堤部分ib1和在第二方向dr2上与第一内堤部分ib1间隔开的第二内堤部分ib2。第一内堤部分ib1和第二内堤部分ib2可以在第一方向dr1上跨越发射区域ema，并且可以分别连接到第一外堤部分eb1和第二外堤部分eb2的内部。第一内堤部分ib1可以与第一电极rme1部分地重叠，并且第二内堤部分ib2可以与第二电极rme2部分地重叠。在实施方式中，第一内堤部分ib1和第二内堤部分ib2之间的间隙可以大于第一电极rme1和第二电极rme2之间的间隙，并且发光元件ed可以设置在内堤部分ib之间。内堤部分ib可以具有相同的宽度。然而，本公开不限于此，并且一些内堤部分也可以具有与其它内堤部分的宽度不同的宽度。
[0105]
堤层bnl的外堤部分eb和内堤部分ib可以彼此成一体，以形成一层，并且可以通过它们的相对位置进行区分。由子像素spxn占据的区域可以根据电极rme的布置被限定为特定区域，并且堤层bnl可以以与由子像素spxn占据的区域对应的特定图案来设置。在堤层bnl之中，设置在不同的子像素spxn的边界处或围绕其中设置有发光元件ed的区域的部分可以是外堤部分eb，并且设置在子像素spxn内部的部分可以是内堤部分ib。
[0106]
由于堤层bnl的内堤部分ib和外堤部分eb彼此成一体，所以可以在子像素spxn中形成由内堤部分ib和外堤部分eb围绕的开口区域。在实施方式中，子像素spxn可以包括在内堤部分ib之间的第一主区域ma1、在内堤部分ib和外堤部分eb之间的第一子区域sa1和第二子区域sa2、以及在外堤部分eb之间的第三子区域sa3。
[0107]
第一主区域ma1可以是在发射区域ema中设置在第一内堤部分ib1和第二内堤部分ib之间的区域，并且可以是由内堤部分ib、第一外堤部分eb1和第二外堤部分eb2围绕的区域。每个电极rme的一部分和发光元件ed可以设置在第一主区域ma1中。
[0108]
第一子区域sa1可以是在发射区域ema中设置在第一内堤部分ib1和第三外堤部分eb3之间的区域，并且第二子区域sa2可以是在发射区域ema中设置在第二内堤部分ib2和第三外堤部分eb3之间的区域。第一子区域sa1和第二子区域sa2可以各自是被内堤部分ib、第一外堤部分eb1、第二外堤部分eb2和第三外堤部分eb3中的任意一个围绕的区域，并且可以在第二方向dr2上彼此间隔开。在第一子区域sa1和第二子区域sa2中不设置发光元件ed，并且可以设置孔h1和h2。
[0109]
第三子区域sa3可以是由第二外堤部分eb2、第四外堤部分eb4和第一外堤部分eb1围绕的区域，并且可以在第一方向dr1上与发射区域ema或第一主区域ma1间隔开。接触部分ct1和ct2以及分离部分rop可以设置在第三子区域sa3中。显示装置10在每个子像素spxn中包括由堤层bnl围绕的开口区域，并且可以在每个开口区域中设置形成子像素spxn的特定构件。
[0110]
堤层bnl从第一绝缘层pas1起可以具有预定高度(或厚度)，并且堤层bnl的至少一部分可以从过孔层via的上表面突出。堤层bnl的突出部分可以具有倾斜的或弯曲的侧表面。与附图不同，堤层bnl的每个元件在剖视图中可以呈具有弯曲的外表面的半圆形或椭圆形形状。在制造显示装置10的工艺期间，在喷墨印刷工艺中，堤层bnl的外堤部分eb可以防止油墨溢出到相邻的子像素spxn中。外堤部分eb可以防止喷射到不同的子像素spxn并且包括不同类型的发光元件ed的油墨彼此混合。堤层bnl可以包括但不限于诸如聚酰亚胺(pi)的有机绝缘材料。
[0111]
第二绝缘层pas2可以设置在第一绝缘层pas1和堤层bnl的一部分上。在实施方式中，第二绝缘层pas2可以设置成与每个子像素spxn的发射区域ema和第三子区域sa3对应。例如，第二绝缘层pas2可以包括设置在发射区域ema中的第一图案部分ip1和设置在第三子区域sa3中的第二图案部分ip2。第一图案部分ip1和第二图案部分ip2可以通过第二外堤部分eb2在第一方向dr1上彼此间隔开。第一图案部分ip1和第二图案部分ip2可以在第二方向dr2上重复地布置，并且可以在第一方向dr1上交替地布置。
[0112]
第一图案部分ip1可以设置在每个子像素spxn的发射区域ema中，并且第二图案部分ip2可以设置在每个子像素spxn的第三子区域sa3中。第一图案部分ip1可以覆盖第一主区域ma1、第一子区域sa1和第二子区域sa2(或与之重叠)，并且也可以直接设置在内堤部分ib上。由于第二绝缘层pas2不设置在外堤部分eb上，而是设置在每个子像素spxn的发射区域ema和第三子区域sa3中，因此它可以在整个显示区域dpa中形成岛状图案。
[0113]
然而，第二绝缘层pas2的每个图案部分ip1或ip2可以设置在由外堤部分eb围绕的开口区域中，并且图案部分ip1或ip2的一部分可以直接设置在外堤部分eb的侧表面上。在实施方式中，第二绝缘层pas2的一部分可以接触外堤部分eb的侧表面。第二绝缘层pas2可
以设置在外堤部分eb之中的在其下方设置电极rme的第一外堤部分eb1和第二外堤部分eb2的侧表面上。因此，设置在第一外堤部分eb1和第二外堤部分eb2下方的电极rme可以被第二绝缘层pas2完全覆盖。在附图中，第二绝缘层pas2设置在每个外堤部分eb的侧表面上。然而，本公开不限于此。在一些实施方式中，第二绝缘层pas2可以不设置在外堤部分eb之中的不在其下方设置电极rme的第三外堤部分eb3的侧表面上，并且可以仅设置在其它的外堤部分eb的侧表面上。
[0114]
与第一绝缘层pas1类似，第二绝缘层pas2可以包括暴露在第二绝缘层pas2下方的层的开口。在实施方式中，第二绝缘层pas2的第一图案部分ip1可以包括设置在第一子区域sa1和第二子区域sa2中的孔h1和h2，并且第二图案部分ip2可以包括形成在第三子区域sa3中的接触部分ct1和ct2以及分离部分rop的开口。
[0115]
穿透第二绝缘层pas2的第一图案部分ip1和第一绝缘层pas1的第一孔h1可以设置在第一子区域sa1中，并且穿透第二绝缘层pas2的第一图案部分ip1和第一绝缘层pas1的第二孔h2可以设置在第二子区域sa2中。第一孔h1和第二孔h2中的每个可以沿着第三外堤部分eb3在第一方向dr1上延伸。第一绝缘层pas1和第二绝缘层pas2可以不设置在第一孔h1和第二孔h2中，过孔层via的上表面可以被第一孔h1和第二孔h2部分地暴露，并且将在下面描述的第三绝缘层pas3可以直接设置在过孔层via的暴露的上表面上。第一孔h1和第二孔h2可以在制造显示装置10的工艺期间用作从由有机绝缘材料制成的过孔层via或过孔层via下方的有机绝缘材料层生成的气体通过其逸出的通道。在实施方式中，第一孔h1和第二孔h2中的每个的在第二方向dr2上测量的宽度wh可以小于每个发光元件ed的长度。例如，第一孔h1和第二孔h2中的每个的在第二方向dr2上测量的宽度wh可以在0.1μm至5μm或约2μm的范围内。由于由过孔层via或过孔层via下方的有机绝缘材料层生成的气体可以在第一绝缘层pas1和第二绝缘层pas2上形成绝缘层的工艺之前充分逸出，因此第三绝缘层pas3和第四绝缘层pas4可以设置在孔h1和h2中。然而，本公开不限于此，并且第三绝缘层pas3和第四绝缘层pas4中的至少一个可以不设置在孔h1和h2中。
[0116]
在第三子区域sa3中设置分别与电极rme重叠的第一接触部分ct1和第二接触部分ct2。第一接触部分ct1可以穿透第一绝缘层pas1和第二绝缘层pas2以暴露第一电极rme1的一部分，并且第二接触部分ct2可以穿透第一绝缘层pas1和第二绝缘层pas2以暴露第二电极rme2的一部分。穿透第一绝缘层pas1和第二绝缘层pas2的开口可以设置在第三子区域sa3的分离部分rop中，并且电极rme可以不设置在所述开口中以部分地暴露过孔层via的上表面。将在下面描述的第四绝缘层pas4可以直接设置在过孔层via的在分离部分rop的开口中暴露的上表面上。
[0117]
发光元件ed可以设置在第二绝缘层pas2上。发光元件ed中的每个可以在一方向上延伸，并且可以设置成使得发光元件ed的延伸方向平行于第一衬底sub。如将在下面描述的，每个发光元件ed可以包括在延伸方向上设置的多个半导体层，并且这些半导体层可以在与第一衬底sub的上表面平行的方向上顺序地设置。然而，本公开不限于此。在发光元件ed具有不同结构的情况下，这些层可以在与第一衬底sub垂直的方向上设置。
[0118]
发光元件ed可以设置在内堤部分ib之间，并且设置于在第二方向dr2上间隔开的电极rme上。每个发光元件ed的长度可以大于在第二方向dr2上间隔开的电极rme之间的间隙。每个发光元件ed可以设置成使得至少一端设置在不同的电极rme中的任何一个上，或者
两端分别位于不同的电极rme上。每个电极rme沿其延伸的方向和发光元件ed沿其延伸的方向可以基本上彼此垂直。发光元件ed可以在每个电极rme沿其延伸的第一方向dr1上彼此间隔开，并且可以基本上彼此平行地对准。然而，本公开不限于此，并且发光元件ed也可以相对于每个电极rme沿其延伸的方向倾斜地设置。
[0119]
根据形成以上描述的半导体层的材料，设置在每个子像素spxn中的发光元件ed可以发射不同波长带的光。然而，本公开不限于此，并且设置在每个子像素spxn中的发光元件ed也可以通过包括由相同的材料制成的半导体层来发射相同颜色的光。发光元件ed可以通过接触连接电极cne(cne1和cne2)而电连接到电极rme和过孔层via下方的导电层，并且可以响应于电信号而发射特定波长带的光。
[0120]
第三绝缘层pas3可以设置在发光元件ed、第二绝缘层pas2和堤层bnl上。第三绝缘层pas3可以包括在内堤部分ib之间在第一方向dr1上延伸并设置在发光元件ed上的图案部分。图案部分可以部分地围绕发光元件ed的外表面，并且可以不覆盖发光元件ed的两侧或两端。图案部分可以在平面图中在每个子像素spxn中形成线性或岛状图案。第三绝缘层pas3的图案部分可以在制造显示装置10的工艺期间在固定发光元件ed的同时保护发光元件ed。第三绝缘层pas3可以填充发光元件ed中的每个和在发光元件ed下方的第二绝缘层pas2之间的空间。第三绝缘层pas3的一部分可以设置在堤层bnl上，并且设置在子区域sa1至sa3中。
[0121]
在实施方式中，第三绝缘层pas3可以覆盖穿透第一绝缘层pas1和第二绝缘层pas2的第一孔h1和第二孔h2(或与之重叠)，并且可以在第一孔h1和第二孔h2中直接接触过孔层via的上表面。第三绝缘层pas3可以在形成穿透第一绝缘层pas1和第二绝缘层pas2的开口之后执行的工艺中形成，并且可以在发射区域ema内设置在第一孔h1和第二孔h2中。另一方面，第三绝缘层pas3可以不设置在第三子区域sa3的接触部分ct1和ct2以及分离部分rop的开口中。第三绝缘层pas3的暴露分离部分rop的开口的部分可以在分离电极rme的工艺中用作掩模。第三绝缘层pas3可以整体地设置在第二绝缘层pas2和堤层bnl上，但是可以被图案化以暴露每个发光元件ed的两端、接触部分ct1和ct2、以及分离部分rop的开口。
[0122]
连接电极cne(cne1和cne2)可以设置在电极rme和发光元件ed上并且可以接触它们。例如，连接电极cne可以接触每个发光元件ed的一端，并且通过穿透第一绝缘层pas1和第二绝缘层pas2的接触部分ct1或ct2接触电极rme中的至少一个。
[0123]
第一连接电极cne1可以在第一方向dr1上延伸，并且可以设置在第一电极rme1上。第一连接电极cne1的设置在第一内堤部分ib1上的部分可以与第一电极rme1重叠，并且第一连接电极cne1可以在第一方向dr1上从所述部分超出第二外堤部分eb2延伸到第三子区域sa3。第一连接电极cne1可以在第三子区域sa3中通过暴露第一电极rme1的上表面的第一接触部分ct1接触第一电极rme1。第一连接电极cne1可以接触发光元件ed和第一电极rme1，以向发光元件ed发送从第一晶体管t1接收的电信号。
[0124]
第二连接电极cne2可以在第一方向dr1上延伸并且可以设置在第二电极rme2上。第二连接电极cne2的设置在第二内堤部分ib2上的部分可以与第二电极rme2重叠，并且第二连接电极cne2可以在第一方向dr1上从所述部分超出第二外堤部分eb2延伸到第三子区域sa3。第二连接电极cne2可以在第三子区域sa3中通过暴露第二电极rme2的上表面的第二接触部分ct2接触第二电极rme2。第二连接电极cne2可以接触发光元件ed和第二电极rme2，
以向发光元件ed发送从第二电压线vl2接收的电信号。
[0125]
第四绝缘层pas4设置在第二连接电极cne2和第三绝缘层pas3上。第四绝缘层pas4可以整体地设置在第三绝缘层pas3上以覆盖第二连接电极cne2，并且第一连接电极cne1可以设置在第四绝缘层pas4上。除了在其中设置第一连接电极cne1的区域之外，第四绝缘层pas4可以在过孔层via上整体地设置。例如，除了第三绝缘层pas3之外，第四绝缘层pas4也可以设置在堤层bnl和子区域sa1至sa3上。第四绝缘层pas4可以使第一连接电极cne1和第二连接电极cne2彼此绝缘，使得第一连接电极cne1不直接接触第二连接电极cne2。
[0126]
在实施方式中，第四绝缘层pas4可以在发射区域ema中覆盖第一孔h1和第二孔h2，并且可以在第三子区域sa3中设置在分离部分rop的开口中。第四绝缘层pas4可以在第三子区域sa3的分离部分rop中直接接触过孔层via的上表面的一部分。然而，类似于第三绝缘层pas3，第四绝缘层pas4也可以设置成暴露接触部分ct1和ct2。
[0127]
尽管在附图中未示出，但是可以在第四绝缘层pas4和第一连接电极cne1上进一步设置另一绝缘层。所述绝缘层可以用于保护设置在第一衬底sub上的构件免受外部环境影响。
[0128]
以上描述的第一绝缘层pas1、第二绝缘层pas2、第三绝缘层pas3和第四绝缘层pas4可以包括无机绝缘材料或有机绝缘材料。
[0129]
图9是根据实施方式的发光元件ed的示意图。
[0130]
参考图9，发光元件ed可以是发光二极管。具体地，发光元件ed可以是具有纳米至微米的尺寸的无机发光二极管，并且可以由无机材料制成。在彼此面对的两个电极之间在特定方向上形成电场的情况下，发光元件ed可以在其中形成极性的两个电极之间对准。
[0131]
根据实施方式的发光元件ed可以在一方向上延伸。发光元件ed可以具有圆柱体、杆、线、管等的形状。然而，发光元件ed的形状不限于此，并且发光元件ed也可以具有各种形状，所述各种形状包括多边形棱柱(诸如，立方体、矩形平行六面体和六边形棱柱)以及在一方向上延伸并具有部分地倾斜的外表面的形状。
[0132]
发光元件ed可以包括掺杂有任何导电类型(例如，p型或n型)的杂质的半导体层。半导体层可以从外部电源接收电信号并且发射特定波长带的光。发光元件ed可以包括第一半导体层31、第二半导体层32、发光层36、电极层37和绝缘膜38。
[0133]
第一半导体层31可以是n型半导体。第一半导体层31可以包括具有为al
x
gayin
1-x-y
n(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x y≤1)的化学式的半导体材料。例如，第一半导体层31可以是n型掺杂的algainn、gan、algan、ingan、aln和inn中的一种或多种。用于掺杂第一半导体层31的n型掺杂剂可以是si、ge、sn等。
[0134]
第二半导体层32设置在第一半导体层31上，且发光层36插置在它们之间。第二半导体层32可以是p型半导体。第二半导体层32可以包括具有为al
x
gayin
1-x-y
n(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x y≤1)的化学式的半导体材料。例如，第二半导体层32可以是p型掺杂的algainn、gan、algan、ingan、aln和inn中的一种或多种。用于掺杂第二半导体层32的p型掺杂剂可以是mg、zn、ca、se、ba等。
[0135]
尽管在附图中第一半导体层31和第二半导体层32中的每个由一个层组成，但是本公开不限于此。第一半导体层31和第二半导体层32中的每个还可以包括更多数量的层，例如，取决于发光层36的材料，可以进一步包括包层或拉伸应变势垒减小(tsbr)层。
[0136]
发光层36设置在第一半导体层31和第二半导体层32之间。发光层36可以包括具有单量子阱结构或多量子阱结构的材料。在发光层36包括具有多量子阱结构的材料的情况下，它可以具有量子层和阱层交替堆叠的结构。发光层36可以根据通过第一半导体层31和第二半导体层32接收的电信号通过电子-空穴对的结合而发射光。发光层36可以包括诸如algan或algainn的材料。在发光层36具有量子层和阱层交替堆叠的多量子阱结构的情况下，量子层可以包括诸如algan或algainn的材料，并且阱层可以包括诸如gan或alinn的材料。
[0137]
发光层36也可以呈具有大带隙能量的半导体材料和具有小带隙能量的半导体材料交替堆叠的结构，或者可以根据其发射的光的波长带包括不同的iii族至v族半导体材料。从发光层36发射的光不限于蓝色波长带中的光。在一些实施方式中，发光层36可以发射红波长带或绿波长带的光。
[0138]
电极层37可以是欧姆连接电极。然而，本公开不限于此，并且电极层37也可以是肖特基连接电极。发光元件ed可以包括至少一个电极层37。发光元件ed可以包括一个或多个电极层37。然而，本公开不限于此，并且也可以省略电极层37。
[0139]
在发光元件ed电连接到显示装置10中的电极或连接电极的情况下，电极层37可以减小发光元件ed与电极或连接电极之间的电阻。电极层37可以包括导电金属。例如，电极层37可以包括铝(al)、钛(ti)、铟(in)、金(au)、银(ag)、铟锡氧化物(ito)、铟锌氧化物(izo)和铟锡锌氧化物(itzo)中的至少一种。
[0140]
绝缘膜38围绕以上描述的半导体层和电极层的外表面。例如，绝缘膜38可以至少围绕发光层36的外表面，但是可以暴露发光元件ed的在纵向方向上的两端。绝缘膜38的上表面在剖视图中在与发光元件ed的至少一端相邻的区域中可以被圆化。
[0141]
绝缘膜38可以包括具有绝缘特性的材料，诸如氧化硅(sio
x
)、氮化硅(sin
x
)、氮氧化硅(sio
x
ny)、氮化铝(aln
x
)或氧化铝(alo
x
)。尽管在附图中绝缘膜38被示出为单层，但是本公开不限于此。在一些实施方式中，绝缘膜38可以形成为多个层在其中堆叠的多层结构。
[0142]
绝缘膜38可以保护以上构件。在发光层36直接接触通过其向发光元件ed传输电信号的电极的情况下，绝缘膜38可以防止可能在发光层36中发生的电短路。绝缘膜38可以防止发光元件ed的发光效率的降低。
[0143]
绝缘膜38的外表面可以被处理。发光元件ed可以以其被分散在油墨中的状态被喷射到电极上，并且然后可以被对准。这里，绝缘膜38的表面可以被疏水或亲水处理，使得每个发光元件ed与油墨中的其它相邻的发光元件ed保持分离，而不与它们聚集。
[0144]
显示装置10可以包括发光元件ed，并且发光元件ed可以通过喷墨印刷工艺被放置在每个子像素spxn中。包括发光元件ed的油墨可以被放置在由外堤部分eb围绕的区域之中的发射区域ema中，并且外堤部分eb可以防止油墨溢出到其它子像素spxn中。在实施方式中，堤层bnl的每个外堤部分eb可以在其上表面的一部分中包括等离子体处理区域，以便防止油墨的溢出。
[0145]
图10是沿着图2的线q6-q6'截取的示意性剖视图。图10是在第一方向dr1上跨过第一电极rme1的一部分的剖面，并且是从发射区域ema截取到第一外堤部分eb1的一部分的剖面。
[0146]
结合图2至图8参考图10，根据实施方式，显示装置10可以包括等离子体区域pa，其
形成在堤层bnl的外堤部分eb的不在其上设置第二绝缘层pas2的上表面上。等离子体区域pa是通过将等离子体照射到包括有机绝缘材料的堤层bnl的上表面而形成的区域，并且与其它部分相比可以具有液体排斥性。
[0147]
在将其中分散有发光元件ed的油墨喷射到由外堤部分eb围绕的区域的情况下，由于等离子体区域pa的斥液特性(或液体排斥性)，油墨可以在不流动超出外堤部分eb的情况下安置在所述区域中。在不同类型的发光元件ed设置在每个子像素spxn中的实施方式中，形成在外堤部分eb的上表面上的等离子体区域pa可以防止喷射到不同区域的油墨流动超出外堤部分eb并与彼此混合。
[0148]
在形成第二绝缘层pas2之后，可以执行将等离子体照射到堤层bnl的上表面。由于第二绝缘层pas2直接设置在外堤部分eb的侧表面上，同时覆盖内堤部分ib(或与之重叠)，因此它可以不设置在堤层bnl的外堤部分eb的上表面上。在形成第二绝缘层pas2之后照射等离子体的情况下，可以仅在堤层bnl的外堤部分eb的上表面上选择性地形成等离子体区域pa，并且可以不在内堤部分ib的上表面上形成等离子体区域pa。由于等离子体区域pa仅形成在围绕其中设置发光元件ed的发射区域ema的外堤部分eb上，因此可以防止包括发光元件ed的油墨与落在其它子像素spxn中的油墨混合，并且可以防止包括发光元件ed的油墨超出第一外堤部分eb1和第二外堤部分eb2流到第三子区域sa3。
[0149]
图11是沿着图2的线q7-q7'截取的示意性剖视图。图11示出了在第二方向dr2上穿过第一孔h1截取的剖面。
[0150]
结合图2至图8参考图11，可以在形成第二绝缘层pas2之后并且在放置发光元件ed的工艺之前形成穿透第一绝缘层pas1和第二绝缘层pas2的孔h1和h2。例如，第一绝缘层pas1可以通过在过孔层via上整体地沉积绝缘材料来形成，并且然后可以在形成第二绝缘层pas2的工艺中将其部分地图案化以形成孔h1和h2。类似地，穿透第一绝缘层pas1和第二绝缘层pas2的接触部分ct1和ct2以及分离部分rop的开口也可以通过在形成第二绝缘层pas2的工艺中部分地图案化第一绝缘层pas1来形成。
[0151]
在形成第一绝缘层pas1以覆盖电极rme(或与之重叠)之后，可以在堤层bnl上形成第二绝缘层pas2的工艺中形成开口。第一孔h1和第二孔h2可以是从过孔层via生成的气体通过其排放的路径，并且接触部分ct1和ct2可以是连接电极cne和电极rme的接触部分。在放置发光元件ed之后，可以在分离部分rop的开口中执行分离电极rme的工艺。在实施方式中，第一绝缘层pas1和第二绝缘层pas2可以由相同的材料制成，并且可以通过同时图案化第一绝缘层pas1和第二绝缘层pas2的工艺形成开口。因此，第一绝缘层pas1和第二绝缘层pas2的内侧壁可以在开口中彼此对准。
[0152]
堤层bnl可以包括有机绝缘材料，并且在形成堤层bnl的工艺中使用的显影剂可能会损坏电极rme。然而，由于根据实施方式的显示装置10包括用于保护电极rme的第一绝缘层pas1，因而即使在堤层bnl之前形成电极rme，也可以防止电极rme被显影剂损坏。
[0153]
现在将进一步参考其它附图来描述显示装置10的各种实施方式。
[0154]
图12是示出根据实施方式的显示装置10_1的第二绝缘层pas2_1的结构的示意性剖视图。图12示出了在发光元件ed的一侧上的第二绝缘层pas2_1(例如，第二绝缘层pas2_1的接触第二连接电极cne2的一侧)的堆叠结构。
[0155]
参考图12，在根据实施方式的显示装置10_1中，第二绝缘层pas2_1可以具有多个
层ipl1至ipl4堆叠的结构。第二绝缘层pas2_1可以包括第一层ipl1、以及设置在第一层ipl1上且由与第一层ipl1的材料不同的材料制成的第二层ipl2。第三层ipl3可以设置在第二层ipl2上并且由与第二层ipl2的材料不同的材料制成，并且第四层ipl4可以设置在第三层ipl3上并且由与第三层ipl3的材料不同的材料制成。形成第二绝缘层pas2_1的多个层ipl1至ipl4中的至少一些可以由具有不同折射率的材料制成。例如，第一层ipl1可以由具有与第二层ipl2的材料的折射率不同的折射率的材料制成，并且第三层ipl3可以由具有与第四层ipl4的材料的折射率不同的折射率的材料制成。在实施方式中，第一层ipl1和第三层ipl3可以由相同的材料制成，第二层ipl2和第四层ipl4可以由相同的材料制成，并且第一层ipl1和第三层ipl3可以由具有与第二层ipl2和第四层ipl4的材料的折射率不同的折射率的材料制成。例如，第一层ipl1和第三层ipl3可以由氮化硅(sin
x
)制成，并且第二层ipl2和第四层ipl4可以由氧化硅(sio
x
)制成。
[0156]
在沿一方向延伸的每个发光元件ed中，从发光层36生成的光可以在延伸方向上发射到发光元件ed的两端。发光元件ed可以设置成使得其两端大致面对内堤部分ib的侧表面。如果在内堤部分ib的侧表面上设置一结构，则可以改善从发光元件ed生成的光的输出效率。第二绝缘层pas2_1是直接设置在内堤部分ib上的层，并且可以用作将从发光元件ed发射的光引导在向上方向上的结构。由于在根据实施方式的第二绝缘层pas2_1中堆叠有具有不同折射率的多个层，因此从发光元件ed发射的光可以在其被第二绝缘层pas2_1折射时被向上引导。由于第二绝缘层pas2_1也设置在外堤部分eb的侧表面上，所以从发光元件ed发射的光的一部分可以被设置在外堤部分eb的侧表面上的第二绝缘层pas2_1向上折射。根据实施方式的显示装置10_1可以通过选择第二绝缘层pas2_1的堆叠结构和材料，将第二绝缘层pas2_1用作将从发光元件ed发射的光引导在向上方向上的结构。
[0157]
图13是根据实施方式的显示装置10_2的子像素的示意性平面图。
[0158]
参考图13，在根据实施方式的显示装置10_2中，孔h1_2和h2_2可以不在一方向上延伸，而是可以成形为类似于在所述一方向上间隔开的图案。如上所述，第一子区域sa1和第二子区域sa2的孔h1_2和h2_2可以用作(或充当)通过其排放从过孔层via的有机绝缘材料生成的气体的路径，并且孔h1_2和h2_2的平面形状和尺寸可以不同地改变，只要孔h1_2和h2_2穿透第一绝缘层pas1和第二绝缘层pas2即可。第一孔h1_2可以在第一子区域sa1中在第一方向dr1上彼此间隔开，并且第二孔h2_2可以在第二子区域sa2中沿着第一方向dr1彼此间隔开。在实施方式中，在通过图案化第一绝缘层pas1和第二绝缘层pas2来形成孔h1_2和h2_2的工艺中，可以执行图案化工艺，使得每个孔不在一方向上延伸，而是形成为岛状图案。
[0159]
图14是根据实施方式的显示装置10_3的像素的示意性平面图。图15是图14的第一子像素的示意性平面图。图16是示出图14的第一子像素中的电极rme和第一绝缘层pas1的相对布置的示意性平面图。图17是示出图14的第一子像素中的电极rme、第一绝缘层pas1和堤层bnl的相对布置的示意性平面图。图18是示出图14的第一子像素中的堤层bnl和第二绝缘层pas2的相对布置的示意性平面图。图19是沿着图14的线q8-q8'截取的示意性剖视图。
[0160]
参考图14至图19，根据实施方式的显示装置10_3可以包括更多数量的电极rme和更多数量的连接电极cne，并且可以在每个子像素spxn中设置更多数量的发光元件ed。该实施方式与图2至图8的实施方式的不同之处在于，在每个子像素spxn中的电极rme和连接电
极cne的布置以及内堤部分ib(例如，第一内堤部分ib1至第三内堤部分ib3)的布置。因此，将省略重复的描述，并且将在下面主要描述不同之处。
[0161]
除了第一电极rme1和第二电极rme2之外，设置在每个子像素spxn中的电极rme还可以包括第三电极rme3和第四电极rme4。
[0162]
第三电极rme3可以设置在第一电极rme1和第二电极rme2之间，并且第四电极rme4可以在第二方向dr2上与第三电极rme3间隔开，且第二电极rme2插置在它们之间。电极rme可以从每个子像素spxn的左侧到右侧以第一电极rme1、第三电极rme3、第二电极rme2和第四电极rme4的顺序布置。
[0163]
每个电极rme可以从发射区域ema延伸到第三子区域sa3，同时与第一外堤部分eb1和第二外堤部分eb2交叉。在电极rme之中，第一电极rme1和第二电极rme2可以通过电极接触孔ctd和cts电连接到其下方的第三导电层。然而，第三电极rme3和第四电极rme4可以不直接电连接到其下方的第三导电层，并且可以通过发光元件ed和连接电极cne电连接到第一电极rme1和第二电极rme2。第一电极rme1和第二电极rme2可以是通过电极接触孔ctd和cts直接电连接到第三导电层的第一类型电极，并且第三电极rme3和第四电极rme4可以是不直接电连接到第三导电层的第二类型电极。第二类型电极可以与连接电极cne一起为发光元件ed提供电连接路径。
[0164]
内堤部分ib还可以包括设置在第一内堤部分ib1和第二内堤部分ib2之间的第三内堤部分ib3。第一内堤部分ib1至第三内堤部分ib3中的每个可以在第一方向dr1上延伸，并且可以连接到第一外堤部分eb1和第二外堤部分eb2。第一内堤部分ib1可以设置在第一电极rme1上，第二内堤部分ib2可以设置在第四电极rme4上，并且第三内堤部分ib3可以设置在第二电极rme2和第三电极rme3上。在实施方式中，第三内堤部分ib3的在第二方向dr2上测量的宽度可以大于第一内堤部分ib1和第二内堤部分ib2的宽度。内堤部分ib1至ib3之间的在第二方向dr2上的间隙可以大于第一电极rme1和第三电极rme3之间的间隙以及第二电极rme2和第四电极rme4之间的间隙。因此，每个电极rme的至少一部分可以不与内堤部分ib重叠。
[0165]
由于堤层bnl包括更多数量的内堤部分ib，因而发射区域ema可以被内堤部分ib和外堤部分eb划分成更多数量的区域。在实施方式中，显示装置10_3的每个子像素spxn可以包括在第一内堤部分ib1和第三内堤部分ib3之间的第一主区域ma1以及在第三内堤部分ib3和第二内堤部分ib2之间的第二主区域ma2。每个子像素spxn可以包括在第一内堤部分ib1和第三外堤部分eb3之间的第一子区域sa1以及在第二内堤部分ib2和另一第三外堤部分eb3之间的第二子区域sa2。在显示装置10_3中，由于设置在每个子像素spxn中的内堤部分ib还包括第三内堤部分ib3，所以除了第一主区域ma1之外，还可以包括第二主区域ma2。
[0166]
发光元件ed可以设置在第一主区域ma1和第二主区域ma2中。发光元件ed中的一些可以设置在第一内堤部分ib1和第三内堤部分ib3之间，并且其它发光元件ed可以设置在第三内堤部分ib3和第二内堤部分ib2之间。在实施方式中，发光元件ed可以包括设置在第一主区域ma1中的第一发光元件ed1和第三发光元件ed3、以及设置在第二主区域ma2中的第二发光元件ed2和第四发光元件ed4。第一发光元件ed1和第三发光元件ed3中的每个可以设置在第一电极rme1和第三电极rme3上，并且第二发光元件ed2和第四发光元件ed4中的每个可以设置在第二电极rme2和第四电极rme4上。第一发光元件ed1和第二发光元件ed2可以在相
应的子像素spxn的发射区域ema中设置成与下侧或第三子区域sa3相邻，并且第三发光元件ed3和第四发光元件ed4可以在相应的子像素spxn的发射区域ema中设置成与上侧相邻。然而，发光元件ed可以不是根据它们在发射区域ema中的位置而是根据它们与将在下面描述的连接电极cne的连接关系来分类。根据连接电极cne的布置结构，每个发光元件ed的两端可以接触不同的连接电极cne，并且发光元件ed可以根据它们接触的连接电极cne的类型被分类成不同的发光元件ed。
[0167]
第一绝缘层pas1和第二绝缘层pas2的布置可以与以上参考图2至图8的实施方式描述的那些相同。第一绝缘层pas1可以整体地设置在每个子像素spxn中，并且第二绝缘层pas2可以包括设置在发射区域ema中的第一图案部分ip1和设置在第三子区域sa3中的第二图案部分ip2。每个子像素spxn可以包括穿透第一绝缘层pas1和第二绝缘层pas2的第一孔h1和第二孔h2、分离部分rop的开口、以及接触部分ct1至ct4。第一孔h1可以设置在第一子区域sa1中，第二孔h2可以设置在第二子区域sa2中，并且分离部分rop和接触部分ct1至ct4的开口可以设置在第三子区域sa3中。
[0168]
由于在每个子像素spxn中设置有更多数量的电极rme，因此可以存在更多数量的接触部分ct1至ct4。在实施方式中，在第三子区域sa3中，除了设置在第一电极rme1上的第一接触部分ct1和设置在第二电极rme2上的第二接触部分ct2之外，还可以设置设置在第三电极rme3上的第三接触部分ct3和设置在第四电极rme4上的第四接触部分ct4。接触部分ct1至ct4中的每个可以穿透第二绝缘层pas2的第二图案部分ip2和第一绝缘层pas1并暴露相应的电极rme的上表面的一部分。
[0169]
在分离部分rop的开口中，可以不设置每个电极rme，并且相应的子像素spxn的电极rme可以与在第一方向dr1上相邻的另一子像素spxn的电极rme间隔开。
[0170]
除了设置在第一电极rme1上的第一连接电极cne1和设置在第二电极rme2上的第二连接电极cne2之外，连接电极cne可以包括设置在电极rme上的第三连接电极cne3、第四连接电极cne4和第五连接电极cne5。
[0171]
与图2至图8的实施方式中不同，第一连接电极cne1和第二连接电极cne2中的每个可以在第一方向dr1上具有相对短的长度。第一连接电极cne1和第二连接电极cne2可以设置在发射区域ema的中央下方。第一连接电极cne1和第二连接电极cne2可以设置在相应的子像素spxn的发射区域ema和第三子区域sa中，并且可以通过形成在第三子区域sa3中的第一接触部分ct1和第二接触部分ct2分别接触第一电极rme1和第二电极rme2。
[0172]
第三连接电极cne3可以包括设置在第三电极rme3上的第一延伸部分cn_e1、设置在第一电极rme1上的第二延伸部分cn_e2、以及电连接第一延伸部分cn_e1和第二延伸部分cn_e2的第一连接部分cn_b1。第一延伸部分cn_e1可以在第二方向dr2上与第一连接电极cne1间隔开，以面对第一连接电极cne1，并且第二延伸部分cn_e2可以在第一方向dr1上与第一连接电极cne1间隔开。第一延伸部分cn_e1可以设置在相应的子像素spxn的发射区域ema的下侧上，并且第二延伸部分cn_e2可以设置在发射区域ema的上侧上。第一延伸部分cn_e1可以设置在发射区域ema和第三子区域sa3中，并且可以通过形成在第三子区域sa3中的第三接触部分ct3连接到第三电极rme3。第一连接部分cn_b1可以在发射区域ema的中央处设置在第一电极rme1和第三电极rme3上。第三连接电极cne3大致可以在第一方向dr1上延伸，但是可以在第二方向dr2上弯曲，并且然后可以在第一方向dr1上再次延伸。
[0173]
第四连接电极cne4可以包括设置在第四电极rme4上的第三延伸部分cn_e3、设置在第二电极rme2上的第四延伸部分cn_e4、以及电连接第三延伸部分cn_e3和第四延伸部分cn_e4的第二连接部分cn_b2。第三延伸部分cn_e3可以在第二方向dr2上与第二连接电极cne2间隔开，以面对第二连接电极cne2，并且第四延伸部分cn_e4可以在第一方向dr1上与第二连接电极cne2间隔开。第三延伸部分cn_e3可以设置在相应的子像素spxn的发射区域ema的下侧上，并且第四延伸部分cn_e4可以设置在发射区域ema的上侧上。第三延伸部分cn_e3可以设置在发射区域ema和第三子区域sa3中，并且可以通过第四接触部分ct4电连接到第四电极rme4。第二连接部分cn_b2可以在与发射区域ema的中央相邻的位置处设置在第二电极rme2和第四电极rme4上。第四连接电极cne4大致可以在第一方向dr1上延伸，但是可以在第二方向dr2上弯曲，并且可以在第一方向dr1上再次延伸。
[0174]
第五连接电极cne5可以包括设置在第三电极rme3上的第五延伸部分cn_e5、设置在第四电极rme4上的第六延伸部分cn_e6、以及电连接第五延伸部分cn_e5和第六延伸部分cn_e6的第三连接部分cn_b3。第五延伸部分cn_e5可以在第二方向dr2上与第三连接电极cne3的第二延伸部分cn_e2间隔开，以面对第二延伸部分cn_e2，并且第六延伸部分cn_e6可以在第二方向dr2上与第四连接电极cne4的第四延伸部分cn_e4间隔开，以面对第四延伸部分cn_e4。第五延伸部分cn_e5和第六延伸部分cn_e6中的每个可以设置在发射区域ema的上侧上，并且第三连接部分cn_b3可以设置在第三电极rme3、第二电极rme2和第四电极rme4上。第五连接电极cne5可以在平面图中围绕第四连接电极cne4的第四延伸部分cn_e4。
[0175]
第一连接电极cne1和第二连接电极cne2可以分别是与直接电连接到第三导电层的第一电极rme1和第二电极rme2接触的第一类型连接电极。第三连接电极cne3和第四连接电极cne4可以是接触第三电极rme3和第四电极rme4但不直接电连接到第三导电层的第二类型连接电极。第五连接电极cne5可以是不接触电极rme的第三类型连接电极。
[0176]
如上所述，基于连接电极cne的布置结构，根据发光元件ed的两端接触的连接电极cne，可以将发光元件ed分类成不同的发光元件ed。
[0177]
第一发光元件ed1和第二发光元件ed2可以具有接触第一类型连接电极的第一端和接触第二类型连接电极的第二端。第一发光元件ed1可以接触第一连接电极cne1和第三连接电极cne3，并且第二发光元件ed2可以接触第二连接电极cne2和第四连接电极cne4。第三发光元件ed3和第四发光元件ed4可以具有接触第二类型连接电极的第一端和接触第三类型连接电极的第二端。第三发光元件ed3可以接触第三连接电极cne3和第五连接电极cne5，并且第四发光元件ed4可以接触第四连接电极cne4和第五连接电极cne5。
[0178]
发光元件ed可以通过连接电极cne彼此串联电连接。由于根据实施方式的显示装置10_3在每个子像素spxn中包括更多数量的彼此串联电连接的发光元件ed，从而进一步增加每单位面积发射的光的量。
[0179]
图20和图21是示出根据实施方式的显示装置10_4和10_5的孔的示意性剖视图。
[0180]
参考图20和图21，在根据实施方式的显示装置10_4和10_5中，第三绝缘层pas3和第四绝缘层pas4中的至少一个可以不设置在孔h1和h2中。在图20的显示装置10_4中，第三绝缘层pas3可以与第二绝缘层pas2的其中形成有孔h1和h2的部分类似地图案化，使得第三绝缘层pas3不设置在孔h1和h2中。在图21的显示装置10_5中，可以图案化第三绝缘层pas3和第四绝缘层pas4中的每个，以完全暴露过孔层via的上表面上的孔h1和h2。
[0181]
如上所述，在形成第一绝缘层pas1和第二绝缘层pas2的工艺中，从过孔层via和过孔层via下方的有机绝缘材料层生成的气体可以通过孔h1和h2充分逸出。因此，即使第三绝缘层pas3和第四绝缘层pas4覆盖孔h1和h2(或与之重叠)也没关系。然而，如果第三绝缘层pas3和第四绝缘层pas4中的每个被图案化以暴露孔h1和h2，则残留在有机绝缘材料层中的气体可以完全逸出。
[0182]
在图20的实施方式中，孔h1和h2中的每个可以形成为穿透第一绝缘层pas1、第二绝缘层pas2的第一图案部分ip1和第三绝缘层pas3，并且第四绝缘层pas4的一部分可以直接设置在过孔层via的由孔h1和h2暴露的上表面上。第四绝缘层pas4可以覆盖孔h1和h2的内壁，并且可以覆盖第一绝缘层pas1至第三绝缘层pas3的由孔h1和h2暴露的侧壁。在图21的实施方式中，孔h1和h2中的每个可以形成为穿透第一绝缘层pas1至第四绝缘层pas4，并且可以完全暴露过孔层via的上表面的在其上形成孔h1和h2的部分。
[0183]
在结束详细描述时，本领域的技术人员将理解，在基本上不背离本公开的原理的情况下，可以对实施方式做出许多变化和修改。因此，所公开的实施方式仅以概述性和描述性含义使用，而不是出于限制的目的。