适用于高频宽带的准单片集成放大电路

技术特征：
1.一种适用于高频宽带的准单片集成放大电路，其特征在于，包括设置于pcb板上的m个碳化硅片上输入匹配电路、m个碳化硅片上输出匹配电路，m*n个晶体管裸管芯，氧化铝片外功率分配电路以及氧化铝片外功率合成电路，其中：所述的氧化铝片外功分电路有1个信号输入端口和m个信号输出端口，信号输入端口作为整个准单片集成放大电路的信号输入端口，每个信号输出端口分别与一个碳化硅片上输入匹配电路相连接；所述的碳化硅片上输入匹配电路与所述的碳化硅片上输出匹配电路一一对应连接；每个所述的碳化硅片上输入匹配电路有1个信号输入端口和n个信号输出端口；每个所述的碳化硅片上输出匹配电路有n个信号输入端口和1个信号输出端口；每个所述的碳化硅片上输入匹配电路的信号输出端口分别通过n个晶体管裸管芯与所述的碳化硅片上输出匹配电路的信号输入端口相连接；所述的氧化铝片外功率合成电路有m个信号输入端口和1个信号输出端口，每个信号输入端口分别与一个碳化硅片上输出匹配电路相连接，信号输出端口作为整个准单片集成放大电路的信号输出端口。2.根据权利要求1所述的适用于高频宽带的准单片集成放大电路，其特征在于，所述的片外功率分配电路将接收到的信号平均分配为四路相同的信号。3.根据权利要求2所述的适用于高频宽带的准单片集成放大电路，其特征在于，所述的晶体管裸管芯采用多个晶体管并联形成。4.根据权利要求1所述的适用于高频宽带的准单片集成放大电路，其特征在于，每个所述的碳化硅片上输入匹配电路相同，每个所述的碳化硅片上输出匹配电路相同。5.根据权利要求1所述的适用于高频宽带的准单片集成放大电路，其特征在于，所述的碳化硅片上输入匹配电路、碳化硅片上输出匹配电路、晶体管裸管芯、氧化铝片外功率分配电路以及氧化铝片外功率合成电路之间采用金丝线进行互连。6.根据权利要求1所述的适用于高频宽带的准单片集成放大电路，其特征在于，所述的碳化硅片上输入匹配电路、碳化硅片上输出匹配电路采用微带线匹配电路。7.根据权利要求1所述的适用于高频宽带的准单片集成放大电路，其特征在于，所述的晶体管裸管芯采用适用于高频范围内的压控双极型晶体管vco。8.根据权利要求1所述的适用于高频宽带的准单片集成放大电路，其特征在于，所述的准单片集成放大电路采用硅、或氮化镓、或碳化硅、或砷化镓作为基片和外延层材料。9.根据权利要求7所述的适用于高频宽带的准单片集成放大电路，其特征在于，所述的准单片集成放大电路中，以最大化带宽和最小化反射损耗为目标，首先对晶体管裸管芯和碳化硅片上输出匹配电路间互连的中间阻抗进行匹配，再对碳化硅片上输入匹配电路和晶体管裸管芯间互连的中间阻抗进行匹配。

技术总结
本发明公开了一种适用于高频宽带的准单片集成放大电路，包括设置于PCB板上的碳化硅片上输入匹配电路、碳化硅片上输出匹配电路，晶体管裸管芯，氧化铝片外功率分配电路以及氧化铝片外功率合成电路。片外功分电路将信号分解后，各路分解信号分别输入一路各片上输入匹配电路-晶体管裸管芯-片上输出匹配电路，片外功率合成电路将片上输出匹配电路输出的信号合并，并输出，从而实现功率合成。本发明所涉及的片外功率分配电路、片上输入匹配电路、片上输出匹配电路以及片外功率合成电路均采用对称设计，对称设计可以抑制共模干扰，因为它可以保证电路在相邻元件之间存在对称关系，进而减小了共模回路的大小和电流水平，此外，对称设计还可以改善布线的对称性并提高电路的抗干扰能力。干扰能力。干扰能力。


技术研发人员：蔡奇 谢清林 高子程
受保护的技术使用者：南京邮电大学
技术研发日：2023.07.04
技术公布日：2023/10/6