功率半导体模块、功率半导体器件和用于制造功率半导体器件的方法与流程

技术特征：
1.一种功率半导体模块(1)，具有：-至少一个半导体芯片(5)，所述半导体芯片连接到冷却结构(3)，-至少两个功率端子(7)，所述功率端子与所述至少一个半导体芯片(5)电接触，以及-壳体(23)，用于所述功率半导体芯片(5)和所述至少两个功率端子(7)，其中，-所述至少两个功率端子(7)中的每一个具有沿侧向方向突出超过所述壳体(23)的突出部分(9)，并且-至少两个突出部分(9)设置有第一对齐孔(10)，并且-所述至少两个突出部分(9)中的至少一个设置在所述功率半导体模块(1)的第一侧向侧(11)上，并且所述至少两个突出部分(9)中的至少另一个设置在所述功率半导体模块(1)的与所述第一侧向侧(11)相对的第二侧向侧(12)上。2.一种功率半导体器件(35)，具有：-根据权利要求1所述的至少一个功率半导体模块(1)，以及-冷却器(13)，所述至少一个功率半导体模块(1)布置在所述冷却器上，其中，-所述冷却器(13)设置有至少两个第二对齐孔(14)。3.根据权利要求2所述的功率半导体器件(35)，其中，所述至少两个第一对齐孔(10)中的至少一个具有与所述至少两个第一对齐孔(10)中的至少另一个不同的形状。4.根据权利要求2或3中任一项所述的功率半导体器件(35)，其中，-所述至少两个第一对齐孔(10)中的至少一个具有圆形形状，并且-所述至少两个第一对齐孔(10)中的至少另一个具有槽孔形状。5.根据权利要求2至4中任一项所述的功率半导体器件(35)，其中，-所述冷却结构(3)与所述冷却器(13)一体地形成，或者-所述冷却器(13)设置有至少一个开口(15)，并且所述至少一个功率半导体模块(1)设置在所述至少一个开口(15)中的一个上，使得所述冷却结构(3)突出到所述冷却器(13)的冷却腔(22)中。6.根据权利要求2至5中任一项所述的功率半导体器件(35)，其中，具有以下各情况中的至少一种：-所述至少两个第一对齐孔(10)中的所述至少一个中的每一个具有沿竖直方向或倾斜于所述竖直方向延伸的至少一个侧表面，并且-所述至少两个第二对齐孔(14)中的至少一个具有沿竖直方向或倾斜于所述竖直方向延伸的至少一个侧表面。7.一种用于制造功率半导体器件(35)的方法，所述功率半导体器件具有冷却器(13)和至少一个功率半导体模块(1)，所述方法包括：-提供固定装置(25)，所述固定装置设置有至少两个第一对齐销(26)和至少两个第二对齐销(27)，-提供所述至少一个功率半导体器件(35)，所述至少一个功率半导体器件包括设置有至少两个第一对齐孔(10)的至少两个功率端子(7)，-提供设置有至少两个第二对齐孔(14)的所述冷却器(13)，-将所述冷却器(13)布置在所述固定装置(25)上，使得所述至少两个第二对齐销(27)被引入所述至少两个第二对齐孔(14)中，以及
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将所述至少一个功率半导体模块(1)布置在所述冷却器(13)上，使得所述至少两个第一对齐销(26)被引入所述至少两个第一对齐孔(10)中。8.根据权利要求7所述的方法，其中，通过至少一个夹具(17)将所述至少一个功率半导体模块(1)固定到所述冷却器(13)。9.根据权利要求7至8中任一项所述的方法，其中，所述至少两个第一对齐孔(10)相对于所述至少两个第二对齐孔(14)的相对位置是预设的。10.根据权利要求7至9中任一项所述的方法，其中，所述至少两个第一对齐销(26)中的至少一个至少部分地具有以下形状中的至少一种：圆柱形、圆锥形。11.根据权利要求7至10中任一项所述的方法，其中，所述至少两个第二对齐销(27)中的至少一个至少部分地具有以下形状中的至少一种：圆柱形、圆锥形。12.根据权利要求7至11中任一项所述的方法，其中，向所述至少两个第一对齐销(26)和所述至少两个第二对齐销(27)中的至少一个提供弹簧元件(32)。13.根据权利要求7至12中任一项所述的方法，其中，-所述至少一个功率半导体模块(1)还包括至少两个辅助端子(21)，-所述至少两个辅助端子(21)至少区域地沿竖直方向延伸，并且-将包括另外的第二对齐孔(24)的公共控制板(33)布置在所述固定装置(25)上，其中，所述另外的第二对齐孔(24)被配置成接收所述第二对齐销(27)，使得所述公共控制板(34)的接触孔(33)被配置成接收所述辅助端子(21)。14.根据权利要求7至13中任一项所述的方法，其中，将至少两个功率半导体模块(1)布置在所述冷却器(13)上，每个功率半导体模块设置有至少两个第一对齐孔(10)。

技术总结
指定了一种功率半导体模块(1)，所述功率半导体模块包括：-至少一个半导体芯片(5)，所述半导体芯片连接到冷却结构(3)，-至少两个功率端子(7)，所述功率端子与所述至少一个半导体芯片(5)电接触，以及-壳体(23)，用于功率半导体芯片(5)和所述至少两个功率端子(7)，其中，-所述至少两个功率端子(7)中的每一个具有沿侧向方向突出超过壳体(23)的突出部分(9)，并且-所述至少两个突出部分(9)中的每一个设置有第一对齐孔(10)。进一步地，指定了一种功率半导体器件和一种用于制造功率半导体器件的方法。的方法。的方法。


技术研发人员：D
受保护的技术使用者：日立能源瑞士股份公司
技术研发日：2022.01.27
技术公布日：2023/10/5