垂直存储器设备及其形成方法与流程

技术特征：
1.一种存储器结构，包括：阶梯结构，包括：底部选择栅极；板线，形成在所述底部选择栅极上方；以及字线，形成在所述板线上方；柱，延伸穿过所述底部选择栅极、所述板线和所述字线；源极结构，形成在所述柱下方；漏极帽，形成在所述柱上方；以及位线，形成在所述漏极帽上方。2.根据权利要求1所述的存储器结构，其中，所述柱在垂直方向上延伸。3.根据权利要求2所述的存储器结构，其中，所述底部选择栅极、所述板线和所述字线中的每一个围绕浮置栅极的侧壁。4.根据权利要求2所述的存储器结构，其中，所述底部选择栅极围绕柱结构的下部部分。5.根据权利要求1所述的存储器结构，还包括与所述底部选择栅极的侧壁和所述柱的侧壁接触的栅极电介质层。6.根据权利要求1所述的存储器结构，其中，所述漏极帽和所述源极结构包括掺杂有n型掺杂剂的硅材料。7.根据权利要求1所述的存储器结构，其中，所述柱包括掺杂有p型掺杂剂的硅材料。8.根据权利要求1所述的存储器结构，其中，所述底部选择栅极包括钨或钴。9.根据权利要求1所述的存储器结构，其中，所述板线被形成为相对于所述底部选择栅极具有横向偏移。10.根据权利要求1所述的存储器结构，还包括电耦接到所述底部选择栅极的底部选择栅极触点。11.一种存储器结构，包括：阶梯结构，包括：板线；偏置栅极，形成在所述板线上方；以及字线，形成在所述板线上方；柱，延伸穿过所述板线、所述偏置栅极和所述字线；源极结构，形成在所述柱下方；漏极帽，形成在所述柱上方；以及位线，形成在所述漏极帽上方。12.根据权利要求11所述的存储器结构，其中，浮置栅极在垂直方向上延伸且包括柱结构。13.根据权利要求12所述的存储器结构，其中，所述板线、所述偏置栅极和所述字线中的每一个围绕所述浮置栅极的侧壁。14.根据权利要求12所述的存储器结构，其中，所述偏置栅极围绕所述柱结构的上部部分。
15.根据权利要求11所述的存储器结构，还包括栅极电介质层，所述栅极电介质层被形成为与所述偏置栅极的侧壁和所述柱的侧壁接触。16.一种用于形成存储器设备的方法，包括：形成阶梯结构，包括：设置底部选择栅极；在所述底部选择栅极上方设置板线；以及在所述板线上方设置字线；形成穿过所述字线、所述板线和所述底部选择栅极的开口；在所述开口的底部形成源极结构；在所述开口中和所述源极结构上设置半导体材料以形成柱；在所述柱上方形成漏极帽；以及在所述漏极帽上方形成位线。17.根据权利要求16所述的方法，还包括用p型掺杂剂掺杂所述半导体材料。18.根据权利要求16所述的方法，其中，设置所述底部选择栅极包括设置包括钨或钴的导电层。19.根据权利要求16所述的方法，还包括穿过所述开口横向回蚀所述底部选择栅极。20.根据权利要求19所述的方法，还包括在被回蚀的所述底部选择栅极的侧壁上设置栅极电介质层。

技术总结
本公开内容涉及一种包括阶梯结构的存储器结构。阶梯结构可以包括底部选择栅极、形成在底部选择栅极上方的板线、以及形成在板线上方的字线。柱可延伸穿过底部选择栅极、板线和字线。该存储器结构还可以包括形成在柱下方的源极结构和形成在柱上方的漏极帽。存储器结构还可以包括形成在漏极帽上方的位线。还可以包括形成在漏极帽上方的位线。还可以包括形成在漏极帽上方的位线。


技术研发人员：杨涛 赵冬雪 杨远程 刘磊 张坤 王迪 周文犀 夏志良 霍宗亮
受保护的技术使用者：长江存储科技有限责任公司
技术研发日：2021.12.14
技术公布日：2023/8/20