膜状黏合剂、切割晶粒接合一体型膜、以及半导体装置及其制造方法与流程

技术特征：
1.一种膜状黏合剂，其含有金属粒子，在110℃下的剪切粘度为30000pa
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s以下。2.根据权利要求1所述的膜状黏合剂，其在110℃下的损耗模量为200kpa以下。3.一种膜状黏合剂，其含有金属粒子，在110℃下的损耗模量为200kpa以下。4.根据权利要求1至3中任一项所述的膜状黏合剂，其还含有热固性树脂、固化剂及弹性体，以所述金属粒子、所述热固性树脂、所述固化剂及所述弹性体的合计量为基准，所述金属粒子的含量为70.0质量％以上。5.根据权利要求1至3中任一项所述的膜状黏合剂，其还含有热固性树脂、固化剂及弹性体，以所述金属粒子、所述热固性树脂、所述固化剂及所述弹性体的合计量为基准，所述金属粒子的含量为20.0体积％以上。6.一种膜状黏合剂，其含有金属粒子、热固性树脂、固化剂及弹性体，以所述金属粒子、所述热固性树脂、所述固化剂及所述弹性体的合计量为基准，所述金属粒子的含量为70.0质量％以上，所述热固性树脂及所述固化剂的合计含量为13.0质量％以上。7.根据权利要求1至6中任一项所述的膜状黏合剂，其中，所述金属粒子为导电性粒子。8.根据权利要求1至6中任一项所述的膜状黏合剂，其中，所述金属粒子为银粒子。9.一种切割晶粒接合一体型膜，其依次具备基材层、压敏胶黏剂层及由权利要求1至8中任一项所述的膜状黏合剂形成的黏合剂层。10.一种半导体装置，其具备：半导体芯片；支承部件，搭载所述半导体芯片；及黏合部件，设置于所述半导体芯片及所述支承部件之间，黏合所述半导体芯片与所述支承部件，所述黏合部件为权利要求1至8中任一项所述的膜状黏合剂的固化物。11.一种半导体装置的制造方法，其包括：在权利要求9所述的切割晶粒接合一体型膜的所述黏合剂层上贴附半导体晶圆的工序；通过切割贴附有所述黏合剂层的所述半导体晶圆，制作多个单片化的带黏合剂片的半导体芯片的工序；及将所述带黏合剂片的半导体芯片介由黏合剂片黏合于支承部件的工序。

技术总结
本发明公开一种膜状黏合剂。膜状黏合剂的一方式含有金属粒子，并且在110℃下的剪切粘度为30000Pa


技术研发人员：黑田孝博 平本祐也 鸭野萌 谷口纮平 秋山裕也 板垣圭
受保护的技术使用者：株式会社力森诺科
技术研发日：2021.10.01
技术公布日：2023/8/9