热电模块及制造热电模块的方法与流程

技术特征：
1.一种热电模块，包括：多个绝缘层的堆叠结构；多个热电元件，所述绝缘层介于所述多个热电元件之间并且所述多个热电元件包括第一型半导体器件、第二型半导体器件、连接到所述第一型半导体器件的第一电极、连接到所述第二型半导体器件的第二电极、以及连接所述第一型半导体器件和所述第二型半导体器件的连接电极；以及导电过孔，穿透所述绝缘层以连接所述多个热电元件中的彼此相邻的热电元件。2.根据权利要求1所述的热电模块，其中，所述多个热电元件包括彼此相邻的第一热电元件和第二热电元件，所述绝缘层介于所述第一热电元件和所述第二热电元件之间，并且所述导电过孔将所述第一热电元件的第一电极连接到所述第二热电元件的第二电极，并且将所述第一热电元件的第二电极连接到所述第二热电元件的第一电极。3.根据权利要求1所述的热电模块，其中，所述多个热电元件包括彼此相邻的第一热电元件和第二热电元件，所述绝缘层介于所述第一热电元件和所述第二热电元件之间，并且所述第一热电元件的第一型半导体器件在所述多个绝缘层的堆叠方向上与所述第二热电元件的第二型半导体器件重叠，并且所述第一热电元件的第二型半导体器件在所述多个绝缘层的所述堆叠方向上与所述第二热电元件的第一型半导体器件重叠。4.根据权利要求1所述的热电模块，其中，所述第一型半导体器件是p型半导体器件，并且所述第二型半导体器件是n型半导体器件。5.根据权利要求1所述的热电模块，其中，所述导电过孔设置在与所述绝缘层的平面相同的平面上。6.根据权利要求1所述的热电模块，其中，所述绝缘层是陶瓷烧结主体。7.根据权利要求6所述的热电模块，其中，所述多个热电元件与所述多个绝缘层同时烧结。8.根据权利要求1所述的热电模块，所述热电模块还包括分别设置在所述堆叠结构的在所述堆叠方向上彼此相对的第一表面和第二表面上的第一外电极和第二外电极。9.根据权利要求8所述的热电模块，所述热电模块还包括：第一连接过孔，穿透所述绝缘层以将所述第一电极连接到所述第一外电极；以及第二连接过孔，穿透所述绝缘层以将所述第二电极连接到所述第二外电极。10.根据权利要求8所述的热电模块，其中，所述第一外电极和所述第二外电极延伸到所述堆叠结构的下表面，所述下表面连接所述堆叠结构的在所述堆叠方向上彼此相对的所述第一表面和所述第二表面。11.根据权利要求1所述的热电模块，其中，所述第一电极、所述第二电极、所述连接电极和所述导电过孔包括从由ag、al、cu、ni及它们的合金组成的组中选择的任意一种。12.根据权利要求1所述的热电模块，其中，所述多个热电元件中的至少一个包括多个第一型半导体器件、多个第二型半导体器件和多个连接电极。13.根据权利要求12所述的热电模块，其中，
所述多个第一型半导体器件和所述多个第二型半导体器件在一个方向上交替地设置，并且所述多个连接电极交替地设置在所述第一型半导体器件和所述第二型半导体器件的两个相邻端处。14.一种用于制造热电模块的方法，所述方法包括：制备其上形成有多个过孔的陶瓷生片；用导电膏填充所述过孔以形成导电过孔；在陶瓷生片上以特定间隔形成多个热电元件；堆叠其上形成有所述多个热电元件的所述陶瓷生片以形成堆叠体；以及将所述堆叠体切割成每个对应于一个热电模块的区域，并烧结切割的所述区域以形成多个绝缘层的堆叠结构，其中，形成所述多个热电元件包括：形成第一型半导体器件和第二型半导体器件，以及形成连接到所述第一型半导体器件的第一电极、连接到所述第二型半导体器件的第二电极、以及连接所述第一型半导体器件和所述第二型半导体器件的连接电极。15.根据权利要求14所述的方法，其中，通过在所述陶瓷生片上印刷第一型半导体浆料和第二型半导体浆料来执行所述第一型半导体器件和所述第二型半导体器件的形成。16.根据权利要求14所述的方法，其中，通过在所述陶瓷生片上印刷导电膏来执行所述第一电极、所述第二电极和所述连接电极的形成。17.根据权利要求14所述的方法，其中，所述多个热电元件包括彼此相邻的第一热电元件和第二热电元件，所述绝缘层介于所述第一热电元件和所述第二热电元件之间，并且所述导电过孔将所述第一热电元件的第一电极连接到所述第二热电元件的第二电极，并且将所述第一热电元件的第二电极连接到所述第二热电元件的第一电极。18.根据权利要求14所述的方法，其中，所述多个热电元件包括彼此相邻的第一热电元件和第二热电元件，所述绝缘层介于所述第一热电元件和所述第二热电元件之间，并且所述第一热电元件的第一型半导体器件在所述多个绝缘层的堆叠方向上与所述第二热电元件的第二型半导体器件重叠，并且所述第一热电元件的第二型半导体器件在所述多个绝缘层的所述堆叠方向上与所述第二热电元件的第一型半导体器件重叠。19.根据权利要求14所述的方法，其中，所述第一型半导体器件是p型半导体器件，并且所述第二型半导体器件是n型半导体器件。20.根据权利要求14所述的方法，其中，所述多个热电元件与所述多个绝缘层同时烧结。21.根据权利要求14所述的方法，所述方法还包括：在所述堆叠结构的在所述堆叠方向上彼此相对的两个表面上形成第一外电极和第二外电极。22.根据权利要求21所述的方法，其中，所述第一外电极和所述第二外电极延伸到所述堆叠结构的下表面，所述下表面连接所述堆叠结构的在所述堆叠方向上彼此相对的所述两个表面。
23.根据权利要求14所述的方法，其中，所述第一电极、所述第二电极、所述连接电极和所述导电过孔包括从由ag、al、cu、ni及它们的合金组成的组中选择的任意一种。24.一种热电模块，包括：陶瓷主体，包括第一热电元件和第二热电元件以及在堆叠方向上介于所述第一热电元件和所述第二热电元件之间的绝缘层，其中，所述第一热电元件和所述第二热电元件中的每个包括第一型半导体器件、第二型半导体器件、连接到所述第一型半导体器件的第一电极、连接到所述第二型半导体器件的第二电极、以及连接所述第一型半导体器件和所述第二型半导体器件的连接电极，所述第一热电元件和所述第二热电元件彼此串联电连接，所述第一热电元件的所述第一型半导体器件在所述堆叠方向上与所述第二热电元件的所述第二型半导体器件重叠，并且所述第一热电元件的所述第二型半导体器件在所述堆叠方向上与所述第二热电元件的所述第一型半导体器件重叠。25.根据权利要求24所述的热电模块，其中，所述陶瓷主体包括在所述堆叠方向上交替地彼此连接的多个第一热电元件和多个第二热电元件，以及各自介于相邻的一对第一热电元件和第二热电元件之间的多个绝缘层。26.根据权利要求25所述的热电模块，其中，在所述多个第一热电元件和所述多个第二热电元件中，所述第一热电元件的第二电极通过穿透所述绝缘层的第一导电过孔连接到所述第二热电元件的第一电极，所述第二热电元件的第二电极通过穿透另一绝缘层的第二导电过孔连接到另一第一热电元件的第一电极，并且所述第一导电过孔和所述第二导电过孔在所述堆叠方向上彼此不重叠。27.根据权利要求26所述的热电模块，其中，所述第一导电过孔和所述第二导电过孔中的每个设置在与对应绝缘层的平面相同的平面上。28.根据权利要求26所述的热电模块，其中，所述第一型半导体器件和所述第二型半导体器件在所述陶瓷主体的厚度方向上将所述第一电极和所述第二电极分别连接到所述连接电极，并且所述连接电极在所述陶瓷主体的宽度方向上连接所述第一型半导体器件和所述第二型半导体器件，并且所述第一导电过孔和所述第二导电过孔中的每个在所述堆叠方向、所述厚度方向和所述宽度方向中的任意一者上不与所述第一型半导体器件和所述第二型半导体器件重叠。29.根据权利要求24所述的热电模块，其中，所述第一型半导体器件是p型半导体器件，并且所述第二型半导体器件是n型半导体器件。30.根据权利要求24所述的热电模块，所述热电模块还包括：分别设置在所述陶瓷主体的在所述堆叠方向上彼此相对的第一表面和第二表面上的第一外电极和第二外电极。31.根据权利要求30所述的热电模块，所述热电模块还包括：第一连接过孔，穿透绝缘层以将所述第一电极连接到所述第一外电极；以及第二连接过孔，穿透绝缘层以将所述第二电极连接到所述第二外电极。

技术总结
本公开提供一种热电模块及制造热电模块的方法。所述热电模块包括：多个绝缘层的堆叠结构；多个热电元件，形成有介于所述多个热电元件之间的所述绝缘层并且包括第一型半导体器件、第二型半导体器件、连接到所述第一型半导体器件的第一电极、连接到所述第二型半导体器件的第二电极、以及连接所述第一型半导体器件和所述第二型半导体器件的连接电极；以及导电过孔，穿透所述绝缘层以连接所述多个热电元件中的彼此相邻的热电元件。件中的彼此相邻的热电元件。件中的彼此相邻的热电元件。


技术研发人员：金成汉 黄世渊 奇俊祐 郑钟镐 金汉
受保护的技术使用者：三星电机株式会社
技术研发日：2022.07.05
技术公布日：2023/6/14