热电模块及制造热电模块的方法与流程

热电模块及制造热电模块的方法
1.本技术要求于2021年12月7日向韩国知识产权局提交的第10-2021-0173874号韩国专利申请的优先权的权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用被全部包含于此。
技术领域
2.本公开涉及一种热电模块及制造热电模块的方法。


背景技术：

3.热电现象可分为两种技术：使用珀耳帖(peltier)效应的冷却技术和使用塞贝克(seebeck)效应的能量收集技术。这两种技术可认为重要到足以确定企业未来的崛起或没落。特别地，由于此时化石燃料使用的快速增加而导致的全球变暖和能量消耗的问题加速了对新的可再生能源开发的研究。此外，所有设备和电子装置以热的形式耗散大部分输入能量。
4.因此，废热能的再利用及其在新领域的应用将是克服能源危机的良好方法。作为示例，已经在世界各地进行了大量研究以将汽车的废热和由废物焚烧炉、轧钢厂、发电厂、地热、电子装置、体温等放出的大量废热再生为电能。
5.特别地，热电发电是体积发电(volumetric power generation)，并且可与其它发电组合，这在未来的应用方面是最大的优势。在冷却领域中，随着it工业的发展，由于电子组件的小型化、高功率、高集成和轻薄化导致产生的热量增加，并且产生的热量充当增加电子装置的故障和降低电子装置的效率的重要因素。为了解决这些问题，已经使用了热电模块，并且如果热电模块的诸如无噪声、快冷却速度和局部冷却的功能被充分利用，则热电模块的适用性可进一步增加。
6.现有技术的热电模块通过使包括n型半导体、p型半导体的单个模块重复而形成，每个单个模块连接到金属电极，并且金属电极连接到陶瓷基板。
7.然而，现有技术的热电模块在高集成度和小型化方面具有局限性，与压缩强度相比具有弱的剪切强度，并且由于反复的热应力在连接到陶瓷基板的金属电极中可能出现裂纹，或者发生结分层(junction delamination)。此外，由于当热电模块在高温下操作时的氧化，需要改善热电模块的性能。


技术实现要素：

8.示例性实施例在于实现一种片式热电模块，以实现热电模块的高集成度和小型化。
9.示例性实施例在于通过改善热电模块的机械强度来防止诸如裂纹和结分层的缺陷。
10.示例性实施例在于解决热电模块的性能在高温下劣化的问题。
11.然而，本公开的方面不限于上述内容，并且在描述本公开中的具体示例性实施例的过程中将更容易理解。
12.根据本公开的一方面，一种热电模块可包括：多个绝缘层的堆叠结构；多个热电元件，形成有介于所述多个热电元件之间的所述绝缘层并且包括第一型半导体器件、第二型半导体器件、连接到所述第一型半导体器件的第一电极、连接到所述第二型半导体器件的第二电极、以及连接所述第一型半导体器件和所述第二型半导体器件的连接电极；以及导电过孔，穿透所述绝缘层以连接所述多个热电元件中的彼此相邻的热电元件。
13.根据本公开的另一方面，一种用于制造热电模块的方法可包括：制备其上形成有多个过孔的陶瓷生片；用导电膏填充所述过孔以形成导电过孔；在陶瓷生片上以特定间隔形成多个热电元件；堆叠其上形成有所述多个热电元件的所述陶瓷生片以形成堆叠体；以及将所述堆叠体切割成每个对应于一个热电模块的区域，并烧结切割的所述区域以形成多个绝缘层的堆叠结构，其中，形成所述热电元件可包括形成第一型半导体器件和第二型半导体器件以及形成连接到所述第一型半导体器件的第一电极、连接到所述第二型半导体器件的第二电极、以及连接所述第一型半导体器件和所述第二型半导体器件的连接电极。
14.根据本公开的另一方面，一种热电模块可包括：陶瓷主体，包括第一热电元件和第二热电元件以及在堆叠方向上介于所述第一热电元件和所述第二热电元件之间的绝缘层，其中，所述第一热电元件和所述第二热电元件中的每个包括第一型半导体器件、第二型半导体器件、连接到所述第一型半导体器件的第一电极、连接到所述第二型半导体器件的第二电极、以及连接所述第一型半导体器件和所述第二型半导体器件的连接电极，所述第一热电元件和所述第二热电元件彼此串联电连接，所述第一热电元件的所述第一型半导体器件在所述堆叠方向上与所述第二热电元件的所述第二型半导体器件重叠，并且所述第一热电元件的所述第二型半导体器件在所述堆叠方向上与所述第二热电元件的所述第一型半导体器件重叠。
附图说明
15.根据以下结合附图的具体实施方式，本公开的以上和其它方面、特征和优点将被更清楚地理解，其中：
16.图1是示意性地示出根据本公开中的示例性实施例的热电模块的立体图；
17.图2是根据本公开中的示例性实施例的热电模块的绝缘层和热电元件的堆叠结构的分解立体图；
18.图3是示出根据本公开中的示例性实施例的热电模块的热电元件和导电过孔的结构的立体图；
19.图4是沿图1的线i-i'截取的截面图；
20.图5a和图5b是示出根据本公开中的示例性实施例的热电模块的热电元件和连接到热电元件的导电过孔的平面图；
21.图6a和图6b是示出根据本公开中的示例性实施例的热电模块的热电元件和连接到热电元件的导电过孔的平面图；以及
22.图7a、图7b、图7c、图7d、图7e、图7f和图7g是示意性地示出根据本公开中的另一示例性实施例的用于制造热电模块的方法的立体图。
具体实施方式
23.现在将参照附图详细描述本发明的实施例。然而，本发明可以以许多不同的形式实施，并且不应被解释为局限于在此阐述的实施例。更确切地说，提供这些实施例以使得本公开将是彻底和完整的，并且将向本领域技术人员充分传达本发明的范围。在附图中，为了清楚起见，可能夸大形状和尺寸，并且将始终使用相同的附图标记来表示相同或相似的组件。
24.为了阐明本发明，在整个说明书中，省略了与描述无关的部分并且相似的附图标记表示相似的元件，并且在附图中，为了清楚起见，夸大了层、膜、面板、区域等的厚度。此外，在附图中，尽管在不同的附图中示出，但相似的附图标记表示相似的元件。
25.在附图中，第一方向可被定义为厚度方向，第二方向可被定义为长度方向或堆叠方向，并且第三方向可被定义为宽度方向。
26.在下文中，将参照图1至图5b详细描述根据本公开中的示例性实施例的热电模块。
27.根据本公开中的示例性实施例的热电模块100包括多个绝缘层111的堆叠结构110、多个热电元件120和130以及导电过孔141和142，多个热电元件120和130形成有介于其间的绝缘层111并且包括第一型半导体器件121和131、第二型半导体器件122和132、连接到第一型半导体器件121和131的第一电极123和133、连接到第二型半导体器件122和132的第二电极124和134、以及使第一型半导体器件121和131与第二型半导体器件122和132连接的连接电极125和135，导电过孔141和142穿透绝缘层111以使多个热电元件120和130中的彼此相邻的热电元件连接。
28.绝缘层111没有特别限制，只要通过包括具有绝缘性能的材料可获得足够的绝缘性能即可。绝缘层111用于将相邻的热电元件120和130彼此分开，并且设置为彼此相邻的热电元件120和130可通过如稍后将描述的穿透绝缘层111的导电过孔141和142连接。
29.由于热电元件120和130由多个绝缘层111的堆叠结构110气密地密封，因此可提供这样的热电模块100：可改善对外部负载引起的应力和/或热应力的抵抗力，可防止由于热电元件120和130的氧化引起的性能劣化，并且具有优异的机械强度。
30.绝缘层111可包括能与形成第一型半导体器件121和131以及第二型半导体器件122和132的半导体浆料以及形成第一电极123和133、第二电极124和134、连接电极125和135以及导电过孔141和142的导电膏同时烧结的材料。
31.因此，绝缘层111可包括与半导体浆料和导电膏同时烧结的低温共烧陶瓷(ltcc)。也就是说，绝缘层111可以是陶瓷烧结主体，更具体地，可以是低温共烧陶瓷烧结主体。
32.这里，绝缘层111的平均厚度可根据热电模块100的尺寸任意改变，并且一层的厚度可被构造为在烧结之后为0.1μm至10μm，但本公开不限于此。
33.第一型半导体器件121和131以及第二型半导体器件122和132可利用不同的半导体材料形成。例如，第一型半导体器件121和131可利用p型半导体器件形成，并且第二型半导体器件122和132可利用n型半导体器件形成。在这种情况下，第一型半导体器件121和131以及第二型半导体器件122和132可形成一个单元电池(unit cell)。
34.第一型半导体器件121和131以及第二型半导体器件122和132可利用本领域中采用的已知热电材料形成，例如，可使用包括从由过渡金属元素、稀土元素、第13族元素、第14族元素、第15族元素和第16族元素组成的组中选择的两种或更多种元素的一种或更多种半
导体。y、ce、la等中的一种或更多种可用作稀土元素，ti、zr、hf、v、nb、ta、cr、mo、w、mn、fe、co、ni、cu、zn、ag和re中的一种或更多种可用作过渡金属元素，b、al、ga和in中的一种或更多种可用作第13族元素，c、si、ge、sn和pb中的一种或更多种可用作第14族元素，p、as、sb和bi中的一种或更多种可用作第15族元素，并且s、se和te中的一种或更多种可用作第16族元素。包含此类元素的半导体的示例可包括从由bi-te基半导体、co-sb基半导体、pb-te基半导体、si-ge基半导体、fe-si基半导体或sb-te基半导体组成的组中选择的一种或更多种，且更优选地包含此类元素的半导体可包括bi-te基半导体。
35.这些半导体可包括从由过渡金属元素、稀土元素、第13族元素、第14族元素、第15族元素和第16族元素组成的组中选择的一种或更多种元素作为掺杂以改善电性能等。例如，bi-te基半导体可包括bi
0.8
sb
1.2
te3、bi
0.5
sb
1.5
te
2.7
se
0.3
、bi2te3、bi2te
2.39
se
0.6
和bi2se3中的至少一种，其中sb和se用作掺杂，但本公开不限于此。
36.第一电极123和133连接到第一型半导体器件121和131，并且第二电极124和134连接到第二型半导体器件122和132。另外，第一型半导体器件121和131以及第二型半导体器件122和132通过连接电极125和135彼此电连接。
37.这里，穿透绝缘层111的导电过孔141和142连接到彼此相邻的具有绝缘层111介于其间的第一电极123和133以及第二电极124和134，以连接多个热电元件120和130中的彼此相邻的热电元件120和130。
38.导电过孔141和142可设置在与绝缘层111的平面相同的平面上，从而减小热电模块100的尺寸并且使彼此相邻的具有介于其间的绝缘层111的热电元件120和130连接。导电过孔141和142中的每个可在第一方向、第二方向和第三方向中的任意方向上不与第一型半导体器件121、131以及第二型半导体器件122和132重叠。
39.第一电极123和133、第二电极124和134、连接电极125和135以及导电过孔141和142可包括从由ag、al、cu、ni及它们的合金组成的组中选择的任意一种。
40.金属成分具有优异的导电性，特别地，镍(ni)可有效地抑制可能在第一型半导体器件121和131与第二型半导体器件122和132之间发生的半导体器件的迁移。另外，由于银(ag)和铝(al)可在相对低的温度下烧结，因此，银(ag)和铝(al)可容易地与形成第一型半导体器件121和131和第二型半导体器件122和132的热电材料共烧结。
41.热电元件120和130可与绝缘层111共烧结，如上所述，可适当地选择形成第一型半导体器件121和131和第二型半导体器件122和132的材料以及形成第一电极123和133以及第二电极124和134以及连接电极125和135的金属成分，以与绝缘层111同时烧结。
42.热电元件120和130的堆叠的数量可根据热电模块100的尺寸和目的来确定。例如，可堆叠10个或更多个热电元件，或者100个或更多个热电元件，但本公开不限于此。
43.可根据热电模块100的尺寸以及堆叠的热电元件120和130的数量来确定热电元件120和130的平均厚度。例如，热电元件120和130的平均厚度可被确定为在0.1μm至1.0μm的范围内，但本公开不限于此。
44.多个热电元件可包括彼此相邻的具有介于其间的绝缘层111的第一热电元件120和第二热电元件130。参照图3和图4，第一导电过孔141可连接第一热电元件120的第一电极123和第二热电元件130的第二电极134。另外，第二导电过孔142可连接第一热电元件120的第二电极124和第二热电元件130的第一电极133。
45.当向根据本公开中的示例性实施例的热电模块100供电时，由于珀耳帖效应，电流从第一型半导体器件121和131流到第二型半导体器件122和132的一侧可放出热量，并且电流从第二型半导体器件122和132流到第一型半导体器件121和131的一侧可吸收热量。
46.也就是说，当向热电模块100供电时，p型半导体器件和n型半导体器件串联电连接，使得电流流动，并且p型半导体器件中的空穴可随着热量朝向(-)侧移动，并且n型半导体器件中的电子可随着热量朝向( )侧移动，使得热电模块100的在第一方向上彼此相对的上表面和下表面中的下表面可被冷却并且上表面可被加热。
47.根据本公开中的示例性实施例，第一热电元件120的第一型半导体器件121可在多个绝缘层111的堆叠方向上与第二热电元件130的第二型半导体器件132重叠，并且第一热电元件120的第二型半导体器件122可在多个绝缘层111的堆叠方向上与第二热电元件130的第一型半导体器件131重叠。
48.也就是说，基于堆叠方向，可交替地设置第一型半导体器件121和131以及第二型半导体器件122和132。根据此结构，在根据本公开的示例性实施例的热电模块100中，在相同体积中可增加堆叠的热电元件120和130的数量，并且在相同体积中可实现更高层级的串联连接。
49.根据本公开中的示例性实施例，热电模块100还可包括设置在多个绝缘层111的堆叠结构110的在堆叠方向上彼此相对的第一表面s1和第二表面s2上的第一外电极161和第二外电极162。多个热电元件120和130可通过第一外电极161和第二外电极162电连接到外部。
50.在这种情况下，考虑到安装方便性，第一外电极161和第二外电极162可延伸到堆叠结构110的下表面。堆叠结构110的下表面可指在第一方向上彼此相对的两个表面中的安装表面。
51.第一外电极161和第二外电极162可利用银(ag)、铅(pb)、铂(pt)、镍(ni)、铜(cu)和它们的合金中的一种形成，但本公开不限于此。
52.另外，第一外电极161和第二外电极162可利用多个层形成，并且可在外电极上进一步形成镀层以改善安装特性。
53.这里，参照图4，根据本公开中的示例性实施例的热电模块100还可包括穿透绝缘层111以将第一电极123连接到第一外电极161的第一连接过孔151和穿透绝缘层111以将第二电极134连接到第二外电极162的第二连接过孔152。
54.第一连接过孔151和第二连接过孔152可包括与第一导电过孔141和第二导电过孔142相同的金属成分，并且可通过相同的方法形成，但本公开不限于此。
55.与将彼此相邻设置的具有介于其间的绝缘层111的热电元件120和130连接的导电过孔141和142不同，连接过孔151和152可将设置在第二方向(堆叠方向)上的最外部分处的第一电极123连接到外电极161，并且将设置在第二方向(堆叠方向)上的最外部分处的第二电极134连接到第二外电极162。
56.另一方面，参照图4，第一连接过孔151和第二连接过孔152设置为在堆叠方向上与第一导电过孔141重叠，但本公开不限于此，并且第一连接过孔151和第二连接过孔152可设置为在堆叠方向上与第二导电过孔142重叠。
57.图6a和图6b是示出根据本公开中的示例性实施例的热电模块的热电元件和连接
到热电元件的导电过孔的平面图。也就是说，在一个平面上示出了绝缘层211以及堆叠在绝缘层211上的热电元件220和230，导电过孔241和242穿透绝缘层211设置，并且绝缘层211由长短交替的虚线表示，并且堆叠的热电元件220和230由实线表示。
58.在本公开的示例性实施例中，多个热电元件220和230中的至少一个可包括多个第一型半导体器件221和231、多个第二型半导体器件222和232以及多个连接电极225和235。
59.参照图6a和图6b，多个热电元件中的至少一个可包括彼此相邻的具有介于其间的绝缘层211的第一热电元件220和第二热电元件230，并且第一热电元件220和第二热电元件230可分别包括第一型半导体器件221和231、第二型半导体器件222和232以及多个连接电极225和235。
60.因此，热电元件220和230可在相同绝缘层211中形成多个单元电池，并且通过在相同体积内形成更高层级的串联连接来实现热电模块的高度集成和小型化。
61.在这种情况下，多个第一型半导体器件221和231以及多个第二型半导体器件222和232在一个方向上交替地设置，并且多个连接电极225和235可在一个方向上交替地设置在第一型半导体器件221和231和第二型半导体器件222和232的一端和另一端。
62.参照图6a，第一热电元件220的第一型半导体器件221和第二型半导体器件222在第三方向上交替地设置，并且多个连接电极225可在第三方向上交替地设置在第一型半导体器件221和第二型半导体器件222的一端和另一端。
63.参照图6b，第二热电元件230的第一型半导体器件231和第二型半导体器件232在第三方向上交替地设置，并且多个连接电极235可在第三方向上交替地设置在第一型半导体器件231和第二型半导体器件232的一端和另一端。
64.根据此结构，多个连接电极235可彼此间隔开，并且将形成在相同绝缘层211中的多个单元电池彼此连接。因此，可通过在绝缘层211的相同区域内形成更高层级的串联连接来实现热电模块的高度集成和小型化。
65.另外，热电元件220和230的第一导电过孔241可将第一热电元件220的第一电极223连接到第二热电元件230的第二电极234。此外，第二导电过孔242可将第一热电元件220的第二电极224连接到第二热电元件230的第一电极233。
66.因此，第一热电元件220的第一型半导体器件221可在多个绝缘层211的堆叠方向上与第二热电元件230的第二型半导体器件232重叠，并且第一热电元件220的第二型半导体器件222可在多个绝缘层211的堆叠方向上与第二热电元件230的第一型半导体器件231重叠。
67.另外，尽管在图6a和图6b中示出热电元件220和230分别包括两个第一型半导体器件221和231以及两个第二型半导体器件222和232，但本公开不限于此。也就是说，考虑到第一型半导体器件221和231和第二型半导体器件222和232中的每个的尺寸、制造方法等，热电元件220和230可分别包括三个或更多个第一型半导体器件221和231以及三个或更多个第二型半导体器件222和232。
68.图7a至图7g是示意性地示出根据本公开中的另一示例性实施例的用于制造热电模块的方法的示图。
69.根据本公开中的另一示例性实施例的用于制造热电模块的方法可包括：制备其上形成有多个过孔的陶瓷生片311；用导电膏填充过孔以形成导电过孔341和342；在陶瓷生片
311上以特定间隔形成多个热电元件320；堆叠其上形成有多个热电元件320和330的陶瓷生片311以形成堆叠体300；以及将堆叠体300切割成每个应于一个热电模块的区域并烧结切割区域以形成多个绝缘层的堆叠结构，其中，热电元件320和330的形成可包括形成第一型半导体器件321和第二型半导体器件322(如图7e所示)以及第一型半导体器件331和第二型半导体器件332(如图7b所示)；以及形成连接到第一型半导体器件321的第一电极323(如图7f所示)和第一型半导体器件331的第一电极333(如图7c所示)、连接到第二型半导体器件322的第二电极324(如图7f所示)和连接到第二型半导体器件332的第二电极334(如图7c所示)、以及连接第一型半导体器件321和第二型半导体器件322的连接电极325(如图7f所示)与连接第一型半导体器件331以及第二型半导体器件332的连接电极335(如图7c所示)。
70.在下文中，将详细描述根据本公开中的另一示例性实施例的用于制造热电模块的方法。
71.如图7a至7g所示，制备其中形成有多个过孔的陶瓷生片311。陶瓷生片311通过混合陶瓷粉末、粘合剂和溶剂制备浆料，并通过刮刀法等将浆料制造成具有数微米厚度的片形式来形成。特别地，陶瓷粉末优选地包括低温共烧陶瓷(ltcc)，并且可包括微粒陶瓷粉末颗粒以降低烧结温度。
72.此后，可通过用导电膏填充过孔来形成导电过孔341和342。可通过激光蚀刻方法或冲压在陶瓷生片311中形成过孔，但本公开不限于此。
73.接下来，可以以特定间隔在陶瓷生片311上形成多个热电元件320和330。首先，可在陶瓷生片311上形成第一型半导体器件321和331以及第二型半导体器件322和332。更具体地，如图7e所示，第一热电元件320的第一型半导体器件321和第二型半导体器件322可形成在第一陶瓷生片311上，并且如图7c所示，第二热电元件330的第一型半导体器件331和第二型半导体器件332可形成在第二陶瓷生片311上。
74.第一型半导体器件321和331以及第二型半导体器件322和332的形成可通过用于在陶瓷生片311上印刷第一型半导体浆料和第二型半导体浆料的方法来执行，并且可通过丝网印刷方法来执行，但本公开不限于此。
75.第一型半导体浆料和第二型半导体浆料可通过混合热电材料粉末、分散剂和溶剂来形成，可进一步包括陶瓷材料以控制烧结温度，并且可进一步包括均化剂以改善表面粗糙度。此外，为了控制烧结温度，可混合和使用不同的热电材料粉末。分散剂可包括诸如聚乙烯吡咯烷酮(polyvinyl pyrrolidone)的水溶性分散剂，并且溶剂可包括诸如二甲基甲酰胺(dimethylmethanamide)的溶剂，但本公开不限于此。
76.接下来，可形成连接到第一型半导体器件321和331的第一电极323和333、连接到第二型半导体器件322和332的第二电极324和334、以及连接第一型半导体器件321和331和第二型半导体器件322和332的连接电极325和335。
77.形成第一电极323和333、第二电极324和334以及连接电极325和335的步骤可通过在陶瓷生片311上印刷导电膏来执行，并且可通过丝网印刷方法等来执行，但本公开不限于此。
78.接下来，可通过堆叠其上形成有多个热电元件320和330的陶瓷生片311来形成堆叠体300。这里，如图7a至图7f所示，其上形成有第一热电元件320的第一陶瓷生片311和其上形成有第二热电元件330的第二陶瓷生片311可交替堆叠。因此，第一热电元件320的第一
型半导体器件321和第二热电元件330的第二型半导体器件332可在堆叠方向(第二方向)上交替地形成，并且第一热电元件320的第二型半导体器件322和第二热电元件330的第一型半导体器件331可在堆叠方向(第二方向)上交替地形成。
79.也就是说，第一热电元件320的第一电极323和第二热电元件330的第二电极334可通过第一导电过孔341彼此连接，并且第一热电元件320的第二电极324和第二热电元件330的第一电极333可通过第二导电过孔342彼此连接。
80.在这种情况下，参照图7g，在第一导电过孔341和第二导电过孔342中，可包括设置在堆叠方向(第二方向)上的最外侧的第一连接过孔351和第二连接过孔(未示出)。除了第一连接过孔351和第二连接过孔设置在堆叠方向上的最外侧以连接到外电极，第一连接过孔351和第二连接过孔(未示出)具有与导电过孔341和342相同的构造，并且可通过相同的工艺形成。
81.接下来，参照图7g，可将堆叠体300切割成每个对应于单个热电模块的区域并烧制以形成多个绝缘层的堆叠结构。也就是说，通过烧结由切割堆叠体300形成的多个堆叠片310，可形成多个绝缘层111的堆叠结构110、多个热电元件120和130以及导电过孔141和142。也就是说，热电元件120和130以及绝缘层111可同时烧结。
82.在这种情况下，烧结温度可以是陶瓷生片、半导体浆料和导电膏同时烧结的温度，并且可以是例如350℃至600℃，但本公开不限于此。
83.此外，冷烧结或放电等离子烧结可用于控制烧结温度，但本公开不限于此。
84.在本公开的示例性实施例中，该方法还可包括在堆叠结构110的在堆叠方向(第二方向)上相对的两个表面上形成第一外电极161和第二外电极162。第一外电极161和第二外电极162可通过将导电膏涂覆到堆叠结构110并且然后执行干燥和烧结来形成，但本公开不限于此，并且第一外电极161和第二外电极162也可使用化学镀方法或溅射方法来形成。此外，第一外电极161和第二外电极162可延伸到堆叠结构110的下表面。
85.另外，这里将省略与以上描述的本公开中的示例性实施例中的部件相同的部件的描述，以避免重复。
86.如上所述，本公开的若干效果中的一个在于实现一种片式热电模块，以实现热电模块的高度集成和小型化。
87.本公开的若干效果中的一个在于通过改善热电模块的机械强度来防止诸如裂纹和结分层的缺陷。
88.本公开的若干效果中的一个在于解决热电模块的性能在高温下劣化的问题。
89.虽然以上已经示出和描述了示例性实施例，但对于本领域技术人员易于理解的是，在不脱离由所附权利要求限定的本公开的范围的情况下，可进行修改和变型。