薄膜膜厚的测量方法、装置、电子设备及存储介质与流程

1.本技术属于薄膜制造技术领域，尤其涉及一种薄膜膜厚的测量方法、装置、电子设备及存储介质。


背景技术：

2.椭圆偏振光谱是一种表面敏感、非破坏性、非侵入性的光学技术，广泛应用于薄层和表面特征。椭圆偏振光谱可以基于线偏振光经过薄膜样品反射后偏振状态发生的改变，通过测量、建模以及拟合获得薄膜的膜厚。
3.然而，现有的薄膜膜厚的测量方法，一般将待测薄膜上的多个点位，看成是独立的。对薄膜膜厚进行测量时，先对薄膜的每个点位进行测量、建模，然后针对每个点位分别进行拟合，最终获取每个点位的膜厚。这种针对每个独立的点位的拟合方式，因忽略了不同点位之间存在一定关联性，最终导致薄膜膜厚的测量结果不够准确。


技术实现要素：

4.本技术实施例提供了一种薄膜膜厚的测量方法、装置、电子设备及存储介质，可以解决因忽略了不同点位之间存在一定关联性，导致薄膜膜厚的测量结果不够准确的问题。
5.第一方面，本技术实施例提供了一种薄膜膜厚的测量方法，所述方法包括：
6.针对薄膜的各个待测点位，分别采集椭圆偏振光谱，根据所述椭圆偏振光谱得到所述薄膜的各个待测点位的理论数据信息；
7.根据所述薄膜的各个待测点位的初始膜厚以及所述薄膜的光学常数，构建所述薄膜的第一模型，并计算所述第一模型的各个待测点位的第一模拟数据信息；
8.根据所述理论数据信息和所述第一模拟数据信息进行拟合，得到所述薄膜的各个待测点位的第一膜厚；
9.根据所述第一膜厚和所述薄膜的各个待测点位的待拟合比例值，得到所述薄膜的各个待测点位的第二膜厚，所述待拟合比例值用于指示所述各个待测点位的关联性，所述待拟合比例值的初始值为1；
10.根据所述第二膜厚以及所述薄膜的光学常数，构建所述薄膜的第二模型，并计算所述第二模型的各个待测点位的第二模拟数据信息；
11.根据所述理论数据信息和所述第二模拟数据信息进行拟合，得到所述薄膜的各个待测点位的第三膜厚。
12.可选的，所述根据所述理论数据信息和所述第一模拟数据信息进行拟合，得到所述薄膜的各个待测点位的第一膜厚，包括：
13.在根据所述理论数据信息和所述第一模拟数据信息进行拟合的拟合过程中，采用最优化方法不断变动所述初始膜厚，将所述理论数据信息和所述第一模拟数据信息的差值最小时对应的所述初始膜厚作为所述第一膜厚。
14.可选的，所述根据所述理论数据信息和所述第二模拟数据信息进行拟合，得到所
述薄膜的各个待测点位的第三膜厚，包括：
15.在根据所述理论数据信息和所述第二模拟数据信息进行拟合的拟合过程中，采用最优化方法不断变动所述待拟合比例值，将所述理论数据信息和所述第二模拟数据信息的差值最小时对应的所述待拟合比例值作为目标拟合比例值；
16.根据所述第二膜厚和所述目标拟合比例值得到所述第三膜厚。
17.可选的，所述最优化方法包括梯度下降法、牛顿法、模拟退火法及遗传算法中的至少一种。
18.第二方面，本技术实施例提供了一种薄膜膜厚的测量装置，包括：
19.理论数据信息获取模块，用于针对薄膜的各个待测点位，分别采集椭圆偏振光谱，根据所述椭圆偏振光谱得到所述薄膜的各个待测点位的理论数据信息；
20.第一模拟数据信息获取模块，用于根据所述薄膜的各个待测点位的初始膜厚以及所述薄膜的光学常数，构建所述薄膜的第一模型，并计算所述第一模型的各个待测点位的第一模拟数据信息；
21.第一膜厚获取模块，用于根据所述理论数据信息和所述第一模拟数据信息进行拟合，得到所述薄膜的各个待测点位的第一膜厚；
22.第二膜厚获取模块，用于根据所述第一膜厚和所述薄膜的各个待测点位的待拟合比例值，得到所述薄膜的各个待测点位的第二膜厚，所述待拟合比例值用于指示所述各个待测点位的关联性，所述待拟合比例值的初始值为1；
23.第二模拟数据信息获取模块，用于根据所述第二膜厚以及所述薄膜的光学常数，构建所述薄膜的第二模型，并计算所述第二模型的各个待测点位的第二模拟数据信息；
24.第三膜厚获取模块，用于根据所述理论数据信息和所述第二模拟数据信息进行拟合，得到所述薄膜的各个待测点位的第三膜厚。
25.可选的，所述第一膜厚获取模块，包括：
26.第一拟合单元，用于在拟合过程中，采用最优化方法不断变动所述初始膜厚，将所述理论数据信息和所述第一模拟数据信息的差值最小时对应的所述初始膜厚作为所述第一膜厚。
27.可选的，所述第三膜厚获取模块，包括：
28.第二拟合单元，用于在拟合过程中，采用最优化方法不断变动所述待拟合比例值，将所述理论数据信息和所述第二模拟数据信息的差值最小时对应的所述待拟合比例值作为目标拟合比例值；
29.第三膜厚获取单元，用于根据所述第二膜厚和所述目标拟合比例值得到所述第三膜厚。
30.可选的，所述最优化方法包括梯度下降法、牛顿法、模拟退火法及遗传算法中的至少一种。
31.第三方面，本技术实施例提供了一种电子设备，包括：
32.存储器、处理器以及存储在所述存储器中并可在所述处理器上运行的计算机程序，所述计算机程序被所述处理器执行时实现上述第一方面所述的薄膜膜厚的测量方法的步骤。
33.第四方面，本技术实施例提供了一种计算机可读存储介质，包括：所述计算机可读
存储介质存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现上述第一方面所述的薄膜膜厚的测量方法的步骤。
34.第五方面，本技术实施例提供了一种计算机程序产品，当计算机程序产品在电子设备上运行时，使得电子设备执行上述第一方面所述的薄膜膜厚的测量方法的步骤。
35.本技术实施例与现有技术相比存在的有益效果是：由于根据薄膜的理论数据信息和第一模拟数据信息得到薄膜的第一膜厚后，还根据第一膜厚进行以下处理：先根据第一膜厚和待拟合比例值，得到薄膜的第二膜厚，然后根据第二膜厚以及薄膜的光学常数，得到薄膜的第二模拟数据信息，最后根据上述理论数据信息和上述第二模拟数据信息进行拟合，得到薄膜的各个待测点位的第三膜厚，因此，实现了在现有的第一膜厚的基础上，根据待拟合比例值，对第一膜厚进行了进一步地处理，其中，待拟合比例值用于指示薄膜的各个待测点位的关联性，从而，可以在对薄膜的膜厚进行测量时，充分考虑薄膜的各个待测点位的关联性，提高薄膜的膜厚测量的准确性，进而可以解决因忽略了不同点位之间存在一定关联性，导致薄膜膜厚的测量结果不够准确的问题。
附图说明
36.为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
37.图1是本技术一实施例提供的薄膜膜厚的测量方法的流程示意图；
38.图2是本技术一实施例提供的薄膜膜厚的测量装置的结构示意图；
39.图3是本技术实施例提供的电子设备的结构示意图。
具体实施方式
40.以下描述中，为了说明而不是为了限定，提出了诸如特定系统结构、技术之类的具体细节，以便透彻理解本技术实施例。然而，本领域的技术人员应当清楚，在没有这些具体细节的其它实施例中也可以实现本技术。在其它情况中，省略对众所周知的系统、装置、电路以及方法的详细说明，以免不必要的细节妨碍本技术的描述。
41.应当理解，当在本技术说明书和所附权利要求书中使用时，术语“包括”指示所描述特征、整体、步骤、操作、元素和/或组件的存在，但并不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元素、组件和/或其集合的存在或添加。
42.还应当理解，在本技术说明书和所附权利要求书中使用的术语“和/或”是指相关联列出的项中的一个或多个的任何组合以及所有可能组合，并且包括这些组合。
43.如在本技术说明书和所附权利要求书中所使用的那样，术语“如果”可以依据上下文被解释为“当...时”或“一旦”或“响应于确定”或“响应于检测到”。类似地，短语“如果确定”或“如果检测到[所描述条件或事件]”可以依据上下文被解释为意指“一旦确定”或“响应于确定”或“一旦检测到[所描述条件或事件]”或“响应于检测到[所描述条件或事件]”。
[0044]
另外，在本技术说明书和所附权利要求书的描述中，术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0045]
在本技术说明书中描述的参考“一个实施例”或“一些实施例”等意味着在本技术的一个或多个实施例中包括结合该实施例描述的特定特征、结构或特点。由此，在本说明书中的不同之处出现的语句“在一个实施例中”、“在一些实施例中”、“在其他一些实施例中”、“在另外一些实施例中”等不是必然都参考相同的实施例，而是意味着“一个或多个但不是所有的实施例”，除非是以其他方式另外特别强调。术语“包括”、“包含”、“具有”及它们的变形都意味着“包括但不限于”，除非是以其他方式另外特别强调。
[0046]
椭圆偏振光谱是一种很好的多层薄膜膜厚测量技术。通过椭圆偏振光谱技术获得薄膜的厚度，通常需要通过以下三个步骤实现：
[0047]
1、测量，获得薄膜的理论数据信息
[0048]
椭圆偏振光谱的测量原理涉及椭圆偏振光在材料表面的反射。为表征反射光的特性，可将椭圆偏振光谱分成两个分量：p和s偏振态，p分量是指平行于入射面的线性偏振光，s分量是指垂直于入射面的线性偏振光。大多情况下会有多个界面，当光入射到薄膜样品界面后，经过多次反射和透射，反射光发生偏振态改变，通过检偏器探测薄膜样品的椭偏光谱，椭偏光谱可以用振幅比角ψ和相位差角δ表示，从而获得相应薄膜样品的理论数据信息。一般情况下，会将ψ和δ转化成如公式(1)所示的理论数据信息，该理论数据信息可以用n、c和s三个参数表示：
[0049][0050]
2、建模，获得建模得到的模型的模拟数据信息
[0051]
椭圆偏振光谱为间接量测的技术，也就是说，一般测得的ψ及δ并不能直接转换为薄膜样品的光学常数，通常需要建构模型来进行分析。其中，模型的构建需要注意两点：a、每层材料的光学常数(如折射率n、介电常数k)及预估厚度；b、依照正确的堆叠顺序。模型构建完成后，根据菲涅耳方程计算求得与模型对应ψ及δ数值，最后转化成该模型的模拟数据信息，该模拟数据信息用n、c和s三个参数表示。
[0052]
3、拟合，得到薄膜的厚度
[0053]
通过最优化法，例如梯度下降法，不断变动模型中的光学常数和厚度参数，让理论的n、c、s和模拟的n、c、s差值最小，从而拟合出薄膜的膜厚。
[0054]
然而，现有的薄膜膜厚的测量方法，一般将待测薄膜上的多个点位，看成是独立的。对薄膜膜厚进行测量时，先对薄膜的每个点位进行测量、建模，然后针对每个点位分别进行拟合，最终获取每个点位的膜厚。这种针对每个独立的点位的拟合方式，因忽略了不同点位之间存在一定关联性，最终导致膜厚的测量结果不够准确。
[0055]
由于在实际的薄膜制作过程中，同一种材料的光学性质一般不变，因此同一片薄膜上的各个点位之间有一定的关联。本技术实施例中，将整片薄膜上的所有点位当成一个整体，在这个整体上加入每个点位的约束条件，再对其进行拟合，可获得最终准确的膜厚测量结果。
[0056]
下面结合附图对本技术实施例的薄膜膜厚的测量方法进行描述。
[0057]
图1示出了本技术实施例提供的薄膜膜厚的测量方法的流程示意图，如图1所示，
该方法包括步骤s110至s160，各个步骤的具体实现原理如下：
[0058]
s110，针对薄膜的各个待测点位，分别采集椭圆偏振光谱，根据上述椭圆偏振光谱得到上述薄膜的各个待测点位的理论数据信息。
[0059]
在本技术实施例中，通过检偏器探测薄膜的各个待测点位的椭圆偏振光谱，可以得到薄膜的椭圆偏振光谱信息。
[0060]
其中，上述椭圆偏振光谱信息可以用振幅比较ψ和相位差角δ表示，得到ψ和δ后，再利用公式1，根据ψ和δ计算得到薄膜的所有待测点位的理论数据信息(ni、ci、si)。其中，i代表第i个待测点位，i为大于等于1的整数。
[0061]
s120，根据上述薄膜的各个待测点位的初始膜厚以及上述薄膜的光学常数，构建上述薄膜的第一模型，并计算上述第一模型的各个待测点位的第一模拟数据信息。
[0062]
在本技术实施例中，薄膜的待测点位的初始膜厚为zi，薄膜的光学常数包括折射率、介电常数k等。
[0063]
具体的，可以根据薄膜的各个待测点位的初始膜厚为zi以及薄膜的光学常数构建薄膜的模型。
[0064]
需要说明的是，本技术实施例中需要两次构建薄膜的模型，为了将两次建立的模型进行区别，所以按照建模的顺序分别将两次构建的模型记作第一模型和第二模型。
[0065]
另外，针对第一模型和第二模型进行计算得到的模拟数据信息分别称为第一模拟数据信息和第二模拟数据信息。
[0066]
因此，待薄膜的第一模型构建完成后，根据菲涅耳方程进行计算，可以求得与第一模型对应ψ及δ，最后再根据公式1将ψ及δ转化成该第一模型的第一模拟数据信息，其中，该第一模拟数据信息用(n
i’、c
i’、s
i’)表示。
[0067]
s130，根据上述理论数据信息和上述第一模拟数据信息进行拟合，得到上述薄膜的各个待测点位的第一膜厚。
[0068]
在一些实施例中，根据薄膜的理论数据信息和第一模拟数据信息，通过最优化方法，不断变动第一模型中的初始膜厚zi，让第i个待测点位的模拟数据信息n
i’、c
i’、s
i’与第i个待测点位的理论数据信息ni、ci、si的差值最小，最终根据薄膜的第一模型中的初始膜厚zi得到薄膜的各个待测点位的第一膜厚zi'。
[0069]
其中，上述最优化方法可以包括但不限于梯度下降法、牛顿法、模拟退火法及遗传算法等中的至少一种。
[0070]
s140，根据上述第一膜厚和上述薄膜的各个待测点位的待拟合比例值，得到上述薄膜的各个待测点位的第二膜厚，上述待拟合比例值用于指示上述各个待测点位的关联性，上述待拟合比例值的初始值为1。
[0071]
在一些实施例中，在每个待测点位i单独引入一个待拟合的比例值ri，将ri作用于待测点位i上，则根据薄膜的第一膜厚z
i’以及ri可以得到薄膜的各个待测点位的第二膜厚z
i”＝z
i’*ri。
[0072]
s150，根据上述第二膜厚以及上述薄膜的光学常数，构建上述薄膜的第二模型，并计算上述第二模型的各个待测点位的第二模拟数据信息。
[0073]
在一些实施例中，可以根据薄膜的第二膜厚z
i”以及薄膜的光学常数构建薄膜的第二模型。
[0074]
待薄膜的第二模型构建完成后，根据菲涅耳方程进行计算，可以求得与第二模型对应ψ及δ，最后再根据公式1将ψ及δ转化成该第二模型的第二模拟数据信息，其中，该第二模拟数据信息用(n
i”、c
i”、s
i”)表示。
[0075]
s160，根据上述理论数据信息和上述第二模拟数据信息进行拟合，得到上述薄膜的各个待测点位的第三膜厚。
[0076]
在一些实施例中，根据薄膜的理论数据信息和第二模拟数据信息，通过最优化方法，不断变动第二模型中的待拟合比例值ri，让第i个待测点位的模拟数据信息n
i”、c
i”、s
i”与第i个待测点位的理论数据信息ni、ci、si的差值最小，最终根据薄膜的第二模型中的第二膜厚z
i”以及待拟合比例值r
i’得到薄膜的各个待测点位的第三膜厚zi”’
。
[0077]
其中，上述最优化方法可以包括但不限于梯度下降法、牛顿法、模拟退火法及遗传算法等中的至少一种。
[0078]
应理解，上述步骤s110至s160，由于根据薄膜的理论数据信息和第一模拟数据信息得到薄膜的第一膜厚后，还根据第一膜厚进行以下处理：先根据第一膜厚和待拟合比例值，得到薄膜的第二膜厚，然后根据第二膜厚以及薄膜的光学常数，得到薄膜的第二模拟数据信息，最后根据上述理论数据信息和上述第二模拟数据信息进行拟合，得到薄膜的各个待测点位的第三膜厚，因此，实现了在现有的第一膜厚的基础上，根据待拟合比例值，对第一膜厚进行了进一步地处理，其中，待拟合比例值用于指示薄膜的各个待测点位的关联性，从而，可以在对薄膜的膜厚进行测量时，充分考虑薄膜的各个待测点位的关联性，提高薄膜的膜厚测量的准确性。
[0079]
在一些实施例中，在上述图1所示的薄膜膜厚的测量方法的实施例的基础上，步骤s130根据上述理论数据信息和上述第一模拟数据信息进行拟合，得到上述薄膜的各个待测点位的第一膜厚，可以通过下述步骤实现：
[0080]
步骤11、在根据上述理论数据信息和上述第一模拟数据信息进行拟合的拟合过程中，不断变动上述初始膜厚，将上述理论数据信息和上述第一模拟数据信息的差值最小时对应的上述初始膜厚作为上述第一膜厚。
[0081]
其中，根据薄膜的理论数据信息和第一模拟数据信息，通过最优化方法，不断变动第一模型中的初始膜厚zi，让第i个待测点位的模拟数据信息n
i’、c
i’、s
i’与第i个待测点位的理论数据信息ni、ci、si的差值最小，将上述理论数据信息和上述第一模拟数据信息的差值最小时对应的初始膜厚zi作为第一膜厚。
[0082]
其中，上述最优化方法可以包括但不限于梯度下降法、牛顿法、模拟退火法及遗传算法等中的至少一种。
[0083]
在一些实施例中，在上述图1所示的薄膜膜厚的测量方法的实施例的基础上，步骤s160根据上述理论数据信息和上述第二模拟数据信息进行拟合，得到上述薄膜的各个待测点位的第三膜厚，可以通过下述步骤实现：
[0084]
步骤21、在根据上述理论数据信息和上述第二模拟数据信息进行拟合的拟合过程中，不断变动上述待拟合比例值，将上述理论数据信息和上述第二模拟数据信息的差值最小时对应的上述待拟合比例值作为目标拟合比例值。
[0085]
其中，根据薄膜的理论数据信息和第二模拟数据信息，通过最优化方法，不断变动第二模型中的待拟合比例值ri，让第i个待测点位的模拟数据信息n
i”、c
i”、s
i”与第i个待测
点位的理论数据信息ni、ci、si的差值最小，将上述理论数据信息和上述第二模拟数据信息的差值最小时对应的上述待拟合比例值作为目标拟合比例值r
i’。
[0086]
步骤22、根据上述第二膜厚和上述目标拟合比例值得到上述第三膜厚。
[0087]
最终根据薄膜的第二模型中的第二膜厚z
i”以及目标拟合比例值r
i’得到薄膜的各个待测点位的第三膜厚zi”’
。
[0088]
其中，zi”’
＝z
i”*r
i’。
[0089]
其中，上述最优化方法可以包括但不限于梯度下降法、牛顿法、模拟退火法及遗传算法等中的至少一种。
[0090]
对应于上述图1所示的薄膜膜厚的测量方法，图2示出的是本技术实施例提供的一种薄膜膜厚的测量装置m100，包括：
[0091]
理论数据信息获取模块m110，用于针对薄膜的各个待测点位，分别采集椭圆偏振光谱，根据所述椭圆偏振光谱得到所述薄膜的各个待测点位的理论数据信息；
[0092]
第一模拟数据信息获取模块m120，用于根据所述薄膜的各个待测点位的初始膜厚以及所述薄膜的光学常数，构建所述薄膜的第一模型，并计算所述第一模型的各个待测点位的第一模拟数据信息；
[0093]
第一膜厚获取模块m130，用于根据所述理论数据信息和所述第一模拟数据信息进行拟合，得到所述薄膜的各个待测点位的第一膜厚；
[0094]
第二膜厚获取模块m140，用于根据所述第一膜厚和所述薄膜的各个待测点位的待拟合比例值，得到所述薄膜的各个待测点位的第二膜厚，所述待拟合比例值用于指示所述各个待测点位的关联性，所述待拟合比例值的初始值为1；
[0095]
第二模拟数据信息获取模块m150，用于根据所述第二膜厚以及所述薄膜的光学常数，构建所述薄膜的第二模型，并计算所述第二模型的各个待测点位的第二模拟数据信息；
[0096]
第三膜厚获取模块m160，用于根据所述理论数据信息和所述第二模拟数据信息进行拟合，得到所述薄膜的各个待测点位的第三膜厚。
[0097]
可选的，所述第一膜厚获取模块m130，包括：
[0098]
第一拟合单元，用于在根据所述理论数据信息和所述第一模拟数据信息进行拟合的拟合过程中，采用最优化方法不断变动所述初始膜厚，将所述理论数据信息和所述第一模拟数据信息的差值最小时对应的所述初始膜厚作为所述第一膜厚。
[0099]
可选的，所述第三膜厚获取模块m160，包括：
[0100]
第二拟合单元，用于在根据所述理论数据信息和所述第二模拟数据信息进行拟合的拟合过程中，采用最优化方法不断变动所述待拟合比例值，将所述理论数据信息和所述第二模拟数据信息的差值最小时对应的所述待拟合比例值作为目标拟合比例值；
[0101]
第三膜厚获取单元，用于根据所述第二膜厚和所述目标拟合比例值得到所述第三膜厚。
[0102]
可选的，所述最优化方法包括梯度下降法、牛顿法、模拟退火法及遗传算法中的至少一种。
[0103]
可以理解的是，以上实施例中的各种实施方式和实施方式组合及其有益效果同样适用于本实施例，这里不再赘述。
[0104]
图3为本技术一实施例提供的电子设备的结构示意图。如图3所示，该实施例的电
子设备d10包括：至少一个处理器d100(图3中仅示出一个)处理器、存储器d101以及存储在所述存储器d101中并可在所述至少一个处理器d100上运行的计算机程序d102，所述处理器d100执行所述计算机程序d102时实现上述任意各个方法实施例中的步骤。或者，所述处理器d100执行所述计算机程序d102时实现上述各装置实施例中各模块/单元的功能，例如图2所示模块m110至m160的功能。
[0105]
在一些实施例中，所述处理器d100执行所述计算机程序d102时实现如下步骤：
[0106]
针对薄膜的各个待测点位，分别采集椭圆偏振光谱，根据所述椭圆偏振光谱得到所述薄膜的各个待测点位的理论数据信息；
[0107]
根据所述薄膜的各个待测点位的初始膜厚以及所述薄膜的光学常数，构建所述薄膜的第一模型，并计算所述第一模型的各个待测点位的第一模拟数据信息；
[0108]
根据所述理论数据信息和所述第一模拟数据信息进行拟合，得到所述薄膜的各个待测点位的第一膜厚；
[0109]
根据所述第一膜厚和所述薄膜的各个待测点位的待拟合比例值，得到所述薄膜的各个待测点位的第二膜厚，所述待拟合比例值用于指示所述各个待测点位的关联性，所述待拟合比例值的初始值为1；
[0110]
根据所述第二膜厚以及所述薄膜的光学常数，构建所述薄膜的第二模型，并计算所述第二模型的各个待测点位的第二模拟数据信息；
[0111]
根据所述理论数据信息和所述第二模拟数据信息进行拟合，得到所述薄膜的各个待测点位的第三膜厚。
[0112]
优选的，所述处理器d100执行所述计算机程序d102，在实现所述根据所述理论数据信息和所述第一模拟数据信息进行拟合，得到所述薄膜的各个待测点位的第一膜厚时，可以执行下述步骤：
[0113]
在根据所述理论数据信息和所述第一模拟数据信息进行拟合的拟合过程中，采用最优化方法不断变动所述初始膜厚，将所述理论数据信息和所述第一模拟数据信息的差值最小时对应的所述初始膜厚作为所述第一膜厚。
[0114]
优选的，所述处理器d100执行所述计算机程序d102，在实现所述根据所述理论数据信息和所述第二模拟数据信息进行拟合，得到所述薄膜的各个待测点位的第三膜厚时，可以执行下述步骤：
[0115]
在根据所述理论数据信息和所述第二模拟数据信息进行拟合的拟合过程中，采用最优化方法不断变动所述待拟合比例值，将所述理论数据信息和所述第二模拟数据信息的差值最小时对应的所述待拟合比例值作为目标拟合比例值；
[0116]
根据所述第二膜厚和所述目标拟合比例值得到所述第三膜厚。
[0117]
优选的，所述处理器d100执行所述计算机程序d102时，所述最优化方法包括梯度下降法、牛顿法、模拟退火法及遗传算法中的至少一种。
[0118]
所述电子设备d10可以是桌上型计算机、笔记本、掌上电脑及云端服务器等计算设备。该电子设备可包括，但不仅限于，处理器d100、存储器d101。本领域技术人员可以理解，图3仅仅是电子设备d10的举例，并不构成对电子设备d10的限定，可以包括比图示更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者不同的部件，例如还可以包括输入输出设备、网络接入设备等。
[0119]
所称处理器d100可以是中央处理单元(central processing unit，cpu)，该处理器d100还可以是其他通用处理器、数字信号处理器(digital signal processor，dsp)、专用集成电路(application specific integrated circuit，asic)、现成可编程门阵列(field-programmable gate array，fpga)或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件等。通用处理器可以是微处理器或者该处理器也可以是任何常规的处理器等。
[0120]
所述存储器d101在一些实施例中可以是所述电子设备d10的内部存储单元，例如电子设备d10的硬盘或内存。所述存储器d101在另一些实施例中也可以是所述电子设备d10的外部存储设备，例如所述电子设备d10上配备的插接式硬盘，智能存储卡(smart media card,smc)，安全数字(secure digital,sd)卡，闪存卡(flash card)等。进一步地，所述存储器d101还可以既包括所述电子设备d10的内部存储单元也包括外部存储设备。所述存储器d101用于存储操作系统、应用程序、引导装载程序(bootloader)、数据以及其他程序等，例如所述计算机程序的程序代码等。所述存储器d101还可以用于暂时地存储已经输出或者将要输出的数据。
[0121]
需要说明的是，上述装置/单元之间的信息交互、执行过程等内容，由于与本技术方法实施例基于同一构思，其具体功能及带来的技术效果，具体可参见方法实施例部分，此处不再赘述。
[0122]
所属领域的技术人员可以清楚地了解到，为了描述的方便和简洁，仅以上述各功能单元、模块的划分进行举例说明，实际应用中，可以根据需要而将上述功能分配由不同的功能单元、模块完成，即将所述装置的内部结构划分成不同的功能单元或模块，以完成以上描述的全部或者部分功能。实施例中的各功能单元、模块可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中，上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现，也可以采用软件功能单元的形式实现。另外，各功能单元、模块的具体名称也只是为了便于相互区分，并不用于限制本技术的保护范围。上述系统中单元、模块的具体工作过程，可以参考前述方法实施例中的对应过程，在此不再赘述。
[0123]
本技术实施例还提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时可实现上述各个方法实施例中的步骤。
[0124]
本技术实施例提供了一种计算机程序产品，当计算机程序产品在电子设备上运行时，使得电子设备执行时可实现上述各个方法实施例中的步骤。
[0125]
所述集成的单元如果以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本技术实现上述实施例方法中的全部或部分流程，可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，所述的计算机程序可存储于一计算机可读存储介质中，该计算机程序在被处理器执行时，可实现上述各个方法实施例的步骤。其中，所述计算机程序包括计算机程序代码，所述计算机程序代码可以为源代码形式、对象代码形式、可执行文件或某些中间形式等。所述计算机可读介质至少可以包括：能够将计算机程序代码携带到拍照装置/终端设备的任何实体或装置、记录介质、计算机存储器、只读存储器(read-only memory，rom)、随机存取存储器(random access memory，ram)、电载波信号、电信信号以及软件分发介质。例如u盘、移动硬盘、磁碟或者光盘等。在某些司法管辖区，根据立法和专利实践，计算机可读介质不可以是电载波信号和电信
信号。
[0126]
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述或记载的部分，可以参见其它实施例的相关描述。
[0127]
本领域普通技术人员可以意识到，结合本文中所公开的实施例描述的各示例的单元及算法步骤，能够以电子硬件、或者计算机软件和电子硬件的结合来实现。这些功能究竟以硬件还是软件方式来执行，取决于技术方案的特定应用和设计约束条件。专业技术人员可以对每个特定的应用来使用不同方法来实现所描述的功能，但是这种实现不应认为超出本技术的范围。
[0128]
在本技术所提供的实施例中，应该理解到，所揭露的装置/网络设备和方法，可以通过其它的方式实现。例如，以上所描述的装置/网络设备实施例仅仅是示意性的，例如，所述模块或单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通讯连接可以是通过一些接口，装置或单元的间接耦合或通讯连接，可以是电性，机械或其它的形式。
[0129]
所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。
[0130]
以上所述实施例仅用以说明本技术的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本技术进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本技术各实施例技术方案的精神和范围，均应包含在本技术的保护范围之内。