阵列基板和显示面板的制作方法

1.本技术涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板和显示面板。


背景技术：

2.在显示技术领域，液晶显示器(liquidcrystaldisplay，lcd)具有轻、薄、低功耗、高亮度以及高画质等优点，尤其是大尺寸、高分辨率以及高画质的显示装置占据了主导地位。
3.目前，市场对液晶显示装置在高温高湿环境下的运行需求越来越高，但是，现有的液晶显示装置在高温高湿环境下长期运行容易出现显示不良，无法满足环境需求。


技术实现要素：

4.本技术实施例提供一种阵列基板和显示面板，以解决或缓解现有技术中的一项或更多项技术问题。
5.根据本技术实施例的第一方面，提供一种阵列基板，包括显示区以及位于显示区周围的边框区，阵列基板包括：
6.衬底；
7.第一金属走线，位于衬底的一侧，且位于边框区；
8.第一绝缘层，位于第一金属走线的背离衬底的一侧；
9.第二金属走线，位于第一绝缘层的背离衬底的一侧，且位于边框区；
10.第二绝缘层，位于第二金属走线的背离衬底的一侧，第二绝缘层开设有多个第一过孔和第二过孔，第一过孔和第二过孔均位于边框区，第一过孔穿过第二绝缘层和第一绝缘层而暴露出第一金属走线的部分表面，第二过孔暴露出第二金属走线的部分表面；
11.导电层，位于第二绝缘层的背离衬底的一侧，且位于边框区，导电层包括多个导电块，多个第一过孔与多个第二过孔一一对应，导电块通过相对应的第一过孔和第二过孔分别与第一金属走线和第二金属走线搭接连接，多个导电块相互连接。
12.在一种实施方式中，多个所述导电块相互连接成连续的面状而构成所述导电层；或者，
13.相邻两个导电块通过导电条连接，所述导电条位于所述第一过孔和所述第二过孔之间。
14.在一种实施方式中，第一过孔的孔径范围为4μm～15μm之间；和/或，第二过孔的孔径范围为4μm～15μm之间。
15.在一种实施方式中，导电层在衬底上的正投影包含多个第一过孔和多个第二过孔在衬底上的正投影，导电层在衬底上的正投影的边缘与邻近的第一过孔或第二过孔在衬底上的正投影的边缘之间的距离为1μm～8μm。
16.在一种实施方式中，阵列基板包括位于显示区的多条栅线，栅线与第一金属走线同层设置。
17.在一种实施方式中，阵列基板还包括位于显示区的薄膜晶体管，第二金属走线与薄膜晶体管的源电极或漏电极同层设置。
18.在一种实施方式中，阵列基板还包括位于显示区的公共电极层，导电层与公共电极层同层设置。
19.在一种实施方式中，包括：
20.第一金属层，位于衬底的一侧，包括位于显示区的栅电极和第一金属走线；
21.第一绝缘层，位于第一金属层的背离衬底的一侧；
22.有源层，位于第一绝缘层的背离衬底的一侧；
23.第二金属层，位于有源层的背离衬底的一侧，包括第二金属走线和位于显示区的源电极和漏电极；
24.第一透明导电层，位于第一绝缘层和第二金属层的背离衬底的一侧，第一透明导电层包括位于显示区的多个像素电极，像素电极与漏电极搭接连接；
25.第二绝缘层，位于第一透明导电层的背离衬底的一侧；
26.第二透明导电层，位于第二绝缘层的背离衬底的一侧，第二透明导电层包括位于显示区的公共电极层以及导电层。
27.在一种实施方式中，导电层的材质为透明导电材料，导电层的厚度的范围为
28.根据本技术实施例的第二方面，提供一种显示面板，包括上述任一项实施方式中的阵列基板，还包括彩膜基板和液晶层，阵列基板和彩膜基板相对设置，液晶层位于阵列基板和彩膜基板之间。
29.本技术实施例的承载装置采用上述技术方案，利用导电层的多个导电块伸向第一过孔和第二过孔分别与第一金属走线和第二金属走线搭接连接，并将多个导电块相互连接，以使第一金属走线和第二金属走线相互导通，能有效地减少导电层搭接处的第一过孔和第二过孔的发热量，可以防止金属走线受到腐蚀。
30.上述概述仅仅是为了说明书的目的，并不意图以任何方式进行限制。除上述描述的示意性的方面、实施方式和特征之外，通过参考附图和以下的详细描述，本技术进一步的方面、实施方式和特征将会是容易明白的。
附图说明
31.在附图中，除非另外规定，否则贯穿多个附图相同的附图标记表示相同或相似的部件或元素。这些附图不一定是按照比例绘制的。应该理解，这些附图仅描绘了根据本技术公开的一些实施方式，而不应将其视为是对本技术范围的限制。
32.图1示出相关技术中一种阵列基板的边框区的局部示意图。
33.图2示出图1中a-a的截面示意图。
34.图3示出根据本技术实施例一种实施方式的阵列基板的结构示意图。
35.图4示出图3中b-b处的示意图。
36.图5示出根据本技术实施例一种实施方式的第一绝缘层与第二绝缘层的结构示意图。
37.图6示出相关技术中一种阵列基板的等效电路的示意图。
38.图7示出根据本技术实施例阵列基板的等效电路的示意图。
39.图8示出相关技术中一种阵列基板的部分过孔失效后的等效电路的示意图。
40.图9示出根据本技术实施例阵列基板的部分过孔失效后的等效电路的示意图。
41.图10示出根据本技术实施例另一种实施方式的阵列基板的截面示意图。
42.图11示出根据本技术实施例又一种实施方式的阵列基板的截面示意图。
43.图12示出根据本技术实施例一种实施方式的阵列基板增加过孔的状态示意图。
44.附图标记说明：
45.10、衬底；20、第一金属走线；30、第二金属走线；40、导电层；50、第一过孔；60、第二过孔；70、第一绝缘层；80、第二绝缘层；90、导电条；90a、a导电条；111、栅电极；112、像素电极；113、漏电极；114、源电极；115、公共电极层。
具体实施方式
46.在下文中，仅简单地描述了某些示例性实施例。正如本领域技术人员可认识到的那样，在不脱离本技术的精神或范围的情况下，可通过各种不同方式修改所描述的实施例。因此，附图和描述被认为本质上是示例性的而非限制性的。
47.相关技术中，阵列基板包括显示区以及位于显示区周围的边框区，如图1和图2所示，阵列基板包括衬底10、第一金属走线20、第二金属走线30、第一绝缘层70、第二绝缘层80、导电层40和配向膜。其中，第一金属走线20、第二金属走线30和导电层40位于边框区。在边框区，如图2所示，第一金属走线20位于衬底的一侧，第一绝缘层70位于第一金属走线20的背离衬底的一侧，第二金属走线30位于第一绝缘层70的背离衬底的一侧，第二绝缘层80位于第二金属走线30的背离衬底的一侧。第二绝缘层80开设有多个第一过孔50和第二过孔60，第一过孔50和所述第二过孔60均位于所述边框区，第一过孔50穿过所述第二绝缘层80和所述第一绝缘层70而暴露出所述第一金属走线20的部分表面，所述第二过孔60暴露出所述第二金属走线30的部分表面。
48.如图1所示，导电层40位于所述第二绝缘层70的背离所述衬底10的一侧，且位于所述边框区，所述导电层40包括多个导电块41，多个导电快41彼此隔开。图1中示出了3个彼此隔开的导电块41a、41b和41c。多个所述第一过孔50与所述多个第二过孔60一一对应，所述导电块41通过相对应的所述第一过孔50和所述第二过孔60分别与所述第一金属走线20和所述第二金属走线30搭接连接。多个所述导电块41彼此隔开且彼此不连接。
49.需要说明的是，在阵列基板的边框区，通常需要采用导电块41来将两条金属走线搭接连接，以便实现金属走线的转接。例如，阵列基板的边框区设置有多个栅极驱动电路单元(goa电路单元)，每个goa电路单元输出栅驱动信号，栅驱动信号可以通过第二金属走线、导电层、第一金属走线与显示区的栅线连接。
50.如图1和图2所示的阵列基板，导电层40直接与配向膜接触，阵列基板在高温高湿的环境下运行时，水汽容易通过界面进入，造成导电层40的腐蚀。如图2所示，阵列基板上的第一过孔50和第二过孔60长时间处于低电位的情况下，过孔处容易发生电解池反应，使得导电块41材料被还原而导致局部电阻过大，进而发生烧毁而产生显示不良。
51.本公开实施例提供一种阵列基板，请参考图3至图5，该阵列基板包括显示区以及位于显示区周围的边框区，阵列基板包括：衬底10、第一金属走线20、第一绝缘层70、第二金
属走线30、第二绝缘层80以及导电层40。
52.具体地，第一金属走线20位于衬底10的一侧，且第一金属走线20位于边框区；第一绝缘层70位于第一金属走线20的背离衬底10的一侧；第二金属走线30位于第一绝缘层70的背离衬底10的一侧，且第二金属走线30位于边框区；第二绝缘层80位于第二金属走线30的背离衬底10的一侧，第二绝缘层80开设有多个第一过孔50和多个第二过孔60，多个第一过孔50和多个第二过孔60均位于边框区，第一过孔50穿过第二绝缘层80和第一绝缘层70而暴露出第一金属走线20的部分表面，第二过孔60暴露出第二金属走线30的部分表面；导电层40位于第二绝缘层80的背离衬底10的一侧，且导电层40位于边框区。
53.其中，导电层40包括多个导电块41，图3中用虚线示出了相邻导电块41的边界。多个第一过孔50与多个第二过孔60一一对应，导电块41通过相对应的第一过孔50和第二过孔60分别与第一金属走线20和第二金属走线30搭接连接，并且多个导电块41相互连接。示例性地，相邻的两个导电块41相互连接。
54.示例性地，采用如图1所示的导电层连接方式的阵列基板，由于过孔发生电解池反应而导致局部电阻增大，将正常的过孔处的电阻定义为r，被还原过孔处的电阻为r0，具体的等效电路如图6所示。如图6所示，r1和r2所在的支路等效于一个导电块41，r3和r4所在的支路等效于一个导电块41。r1、r2、r3、r4分别为过孔位置的电阻。根据焦耳定律：q＝i2rt，导电层40中的多个导电块41彼此隔开不连接时，假设正常的过孔位置的电阻值为r，被还原的过孔位置的电阻值为r0，假如图6中r2位置的过孔被还原，那么，被还原过孔位置的发热量为：
55.本技术中，导电层40中的多个导电块41相互连接，具体等效电路如图7所示，此时被还原过孔位置的发热量为：由于被还原过孔位置的电阻值r0大于正常的过孔位置的电阻值r，由此可看出q1＞q2，即图1所示的阵列基板的被还原过孔位置的发热量大于本技术阵列基板的被还原过孔位置的发热量。过孔位置的发热量越大，就越容易导致金属走线受到腐蚀。
56.示例性地，采用如图1所示的导电层连接方式的阵列基板，由于过孔位置的发热量大，容易导致金属走线受到腐蚀，以使正常孔处的电阻处于无法导通的状态，具体的等效电路如图8所示。如图8所示，r1和r2所在的支路等效于一个导电块41，r3和r4所在的支路等效于一个导电块41。r1、r2、r3、r4分别为过孔位置的电阻。若r1和r4因腐蚀导致失效，会使得r1和r2所在的支路，以及r3和r4所在的支路处于无法导通的状态，造成第一金属走线20和第二金属走线30断开，无法顺利地输送信号，从而影响显示不良。
57.本技术中，导电层40中的多个导电块41相互连接，具体等效电路如图9所示。如图9所示，若r1和r4因腐蚀导致失效，由于导电层40中的多个导电块41相互连接，且r2和r3处于正常使用状态，那么电流的流向为第一金属走线
→
r3
→
导电层
→
r2
→
第二金属走线，从而实现第一金属走线20和第二金属走线30的连通，确保信号的顺利输送。
58.因此，本公开实施例中，采用将多个导电块41相互连接形成导电层40来对第一金属走线20和第二金属走线30进行搭接连接的方式，能有效地减少导电层40搭接处的第一过孔50位置和第二过孔60位置的发热量，降低腐蚀；并且，在过孔位置被腐蚀失效后，本公开
实施例的技术方案，可以增加导电层40中的电流通路，避免由于过孔位置失效而导致电流被截止无法通过，保证电流可以顺利通过导电层，实现第一金属走线和第二金属走线的转接，避免产品在高温高湿环境中运行时的显示异常问题。
59.在一种实施方式中，如图3所示，多个导电块41相互连接成连续的面状而构成导电层40。
60.本实施例中，由于在边框区设置有多个第一金属走线20和第二金属走线30，并且多个第一金属走线20和第二金属走线30采用多个导电块41进行电连接，将多个导电块41相互连接成连续的面状，可以增大导电层40的面积，减小导电层40的电阻，减小导电层40的总发热量，进一步减小过孔位置的发热量，降低过孔位置腐蚀；另外，多个导电块41相互连接成连续的面状，可以最大程度地增加导电层中的电流通路，保证电流可以顺利通过导电层40，避免产品在高温高湿环境中运行时的显示异常问题。
61.在一个实施例中，参照图10所示，相邻导电块41之间通过导电条90相互连接，这样同样可以使得多个导电块41相互连接，满足将第一金属走线20和第二金属走线30通过导电层41相互导通，达到降低腐蚀、增加电流通路的效果。示例性地，导电条90a可以位于第一过孔和第二过孔之间，例如，在图10中，导电条位于第一过孔50a和第二过孔60b之间。假如第一过孔50a和第二过孔60b失效，而第一过孔50b和第二过孔60a可以正常工作，那么电流可以从第一过孔50b直接流经导电条90a到达第二过孔60a，实现第一金属走线20和第二金属走线30的连通。将导电条90设置在第一过孔50和第二过孔60之间，可以缩短电流路径长度，降低电流路径的电阻，减小发热量。
62.在一种实施方式中，第一过孔50的孔径范围为4μm～15μm之间(包括端点值)。在一个实施例中，第二过孔60的孔径范围为4μm～15μm(包括端点值)。
63.本实施例中，需要将第一过孔50和第二过孔60的孔径范围设置在4μm～15μm，若第一过孔50和第二过孔60的孔径小于4μm，则会影响接触电阻与过孔的连接，而且增大了工艺的难度；若第一过孔50和第二过孔60的孔径大于15μm，由于衬底10的空间有限，使得开设有的过孔较少，容易影响散热效果。优选地，第一过孔50的孔径为9μm。第二过孔60的孔径为9μm。
64.在一种实施方式，导电层40在衬底10上的正投影包含多个第一过孔50和多个第二过孔60在衬底1上的正投影，导电层40在衬底10上的正投影的边缘与邻近的第一过孔50或第二过孔60在衬底10上的正投影的边缘之间的距离(参照图3所示的间距d)为1μm～8μm。
65.将导电层40在衬底10上的正投影设置为包括多个第一过孔50和多个第二过孔60在衬底10上的正投影，可以使得导电层40与第一过孔50和第二过孔60完全搭接，减小搭接电阻，有利于避免在第一过孔50或第二过孔60处发生电解池反应，避免发生烧毁造成显示不良。
66.示例性地，若导电层40在衬底10上的正投影的边缘与邻近的第一过孔50或第二过孔60在衬底10上的正投影的边缘之间的距离小于1μm，会使得导电层40对第一过孔50或第二过孔60的覆盖不够全面，容易导致导电层不能有效地与第一金属走线和第二金属走线连接导通，影响信号的正常输送；若导电层40在衬底10上的正投影的便于与邻近的第一过孔50或第二过孔60在衬底10上的正投影的便于之间的距离大于8μm，容易使得导电层与周围的其他金属线连接而造成短路，进而造成显示不良的问题。
67.在一种实施方式中，阵列基板包括位于显示区的多条栅线(未图示)，第一金属走线20与栅线同层设置。需要说明的是，阵列基板中，边框区设置有多个栅极驱动电路单元(goa电路单元)，goa电路单元可以输出栅驱动信号，栅驱动信号与显示区的栅线连接。采用本公开实施例的方案，第二金属走线30、导电层40、第一金属走线20用于信号的转接。例如：可以将goa电路的输出栅驱动信号输送至第二金属走线30，第二金属走线30再通过导电层40将信号输送至第一金属走线，第一金属走线20将信号输送至栅线。通过第二金属走线30、导电层40、第一金属走线20与栅线连接，方便了goa电路与显示区栅线的连接。将第一金属走线20设置为与栅线同层，不会增加阵列基板的工艺步骤。
68.在一种实施方式中，阵列基板还包括位于显示区的薄膜晶体管(未图示)，第二金属走线30与薄膜晶体管的源电极或漏电极同层设置。将第二金属走线30设置为与源电极113或漏电极114同层，不会增加阵列基板的工艺步骤。
69.在一种实施方式中，阵列基板还包括位于显示区的公共电极层115，导电层40与公共电极层115同层设置。这样在形成公共电极层115的同时，可以一并形成导电层40，不会增加阵列基板的工艺步骤。
70.在一种实施方式中，阵列基板包括：第一金属层、第一绝缘层70、有源层、第二金属层、第一透明导电层、第二绝缘层80以及第二透明导电层。
71.具体地，第一金属层位于衬底10的一侧，且第一金属层包括位于显示区的栅电极10和第一金属走线20；第一绝缘层70位于第一金属层的背离衬底10的一侧；有源层位于第一绝缘层70的背离衬底10的一侧；第二金属层位于有源层的背离衬底10的一侧，第二金属层包括第二金属走线30和位于显示区的源电极114和漏电极113；第一透明导电层位于第一绝缘层70和第二金属层的背离衬底10的一侧，第一透明导电层包括位于显示区的多个像素电极112，像素电极112与漏电极113搭接连接；第二绝缘层80位于第一透明导电层的背离衬底10的一侧；第二透明导电层位于第二绝缘层80的背离衬底10的一侧，第二透明导电层包括位于显示区的公共电极层115以及位于边框区导电层40。
72.本实施例提供的阵列基板可以通过如下步骤制作形成。
73.提供一衬底，在衬底上形成第一金属层，第一金属层包括栅电极111和第一金属走线20；
74.在第一金属层的背离衬底的一侧形成第一绝缘层；
75.在第一绝缘层的背离衬底的一侧形成有源层，有源层位于显示区；
76.在有源层的背离衬底的一侧形成第二金属层，第二金属层包括源电极114、漏电极113和第二金属走线30；
77.在第一绝缘层和第二金属层的背离衬底的一侧形成第一透明导电层，第一透明导电层包括多个像素电极112；
78.在第一透明导电层的背离衬底的一侧形成第二绝缘层；
79.在第二绝缘层的背离衬底的一侧形成第二透明导电层，第二透明导电层包括位于显示区的公共电极层115和位于边框区的导电层40。
80.在一种实施方式中，导电层40的材质为透明导电材料，并且导电层40的厚度的范围为
81.示例性地，导电层40的材质采用的是透明导电材料。具体地，导电层40的材料可以
采用氧化铟锡(ito)或氧化铟锌(izo)中的至少一种，使得导电层暴露在空气时，不存在被氧化的问题，使得导电层40的导电性能得到保障，还可以保证位于导电层40下方的第一金属走线20和第二金属走线30不会受到腐蚀。需要说明的是，导电层40还可以采用其他能提高导电层防氧化能力的透明导电材料制成，对此不作限定。
82.参照图12，示例性地，在第二绝缘层80上开设第一过孔50和第二过孔60的数量可以根据设计的需要进行增加，通过增加第一过孔50和第二过孔60的数量，既可以起到有效的分流作用，进而降低过孔处的发热量，从而可以有效地提升产品的抗腐蚀能力；又能够在部分过孔失效的情况下，仍有其他的过孔可以正常使用。例如：若图12中的第一过孔50a、50b、50c，以及第二过孔60a、60b、60c被腐蚀失效后，第一过孔50d和第二过孔60d仍能正常使用，从而实现第一金属走线20和第二金属走线30的连通，确保信号的顺利输送。
83.本公开一实施例还提供一种显示面板，包括上述任一项实施方式中的阵列基板，还包括彩膜基板和液晶层，阵列基板和彩膜基板相对设置，液晶层位于阵列基板和彩膜基板之间。
84.上述的显示面板应用于显示装置中，显示装置可为电视、电脑显示器、笔记本电脑、平板电脑、智能手机、导航仪、电子画框、车载显示器等具有显示功能的显示装置。
85.上述实施例的阵列基板的其他构成可以采用于本领域普通技术人员现在和未来知悉的各种技术方案，这里不再详细描述。
86.在本说明书的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
87.此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者多个该特征。在本技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
88.在本技术中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接，还可以是通信；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
89.在本技术中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
90.上文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本技术的不同结构。为了简化本技术的公开，上文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并
且目的不在于限制本技术。此外，本技术可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。
91.以上所述，仅为本技术的具体实施方式，但本技术的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本技术揭露的技术范围内，可轻易想到其各种变化或替换，这些都应涵盖在本技术的保护范围之内。因此，本技术的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。