显示设备及其制造方法与流程

显示设备及其制造方法
1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求于2021年6月3日在韩国知识产权局提交的第10-2021-0072361号韩国专利申请的优先权和权益，其全部公开内容通过引用并入本文中。
技术领域
3.本公开的实施方式的方面涉及显示设备和制造显示设备的方法。


背景技术：

4.近来，随着对信息显示的兴趣增加，已经持续进行对显示设备的研究和开发。


技术实现要素：

5.本公开的各种实施方式涉及显示设备和制造显示设备的方法，其中发光元件的对准优异，并且减轻了漏光现象。
6.然而，本公开不限于上述方面和目的，并且本领域技术人员将从以下描述理解未提及的其它方面和目的。
7.根据本公开的一个或多个实施方式，显示设备包括：第一电极和第二电极，在衬底上并且彼此间隔开；第三电极，在衬底上；以及第一发光元件，在第一电极与第二电极之间。第一电极、第二电极和第三电极可以布置在相同层上。第三电极可以与第一电极和第二电极电隔离。
8.根据实施方式，在平面图中，第三电极可以既不与第一电极重叠也不与第二电极重叠。
9.根据实施方式，第一电极和第二电极可以在第一方向上彼此间隔开。第三电极可以在第一方向上与第一电极和第二电极间隔开，并且在与第一方向相交的第二方向上延伸。
10.根据实施方式，第一电极、第二电极和第三电极可以包括相同(例如，等同)材料。
11.根据实施方式，第三电极可以包括反射材料，使得提供给第三电极的光在显示设备的显示方向上被反射。
12.根据实施方式，显示设备还可以包括：第一接触电极，电连接第一电极与第一发光元件；以及第二接触电极，电连接第二电极与第一发光元件。第一接触电极和第二接触电极可以与第三电极电隔离。
13.根据实施方式，显示设备还可以包括：第四电极和第五电极，在衬底上并且彼此间隔开；第二发光元件，在第四电极与第五电极之间；以及第六电极，在衬底上，并且在平面图中既不与第四电极重叠也不与第五电极重叠。
14.根据实施方式，第一电极、第二电极、第三电极、第四电极、第五电极和第六电极可以包括相同(例如，等同)材料。
15.根据实施方式，显示设备还可以包括：第三接触电极，电连接第四电极与第二发光
元件；以及第四接触电极，电连接第五电极与第二发光元件。第三接触电极和第四接触电极可以与第六电极电隔离。
16.根据实施方式，第三电极可以是浮置线。
17.根据实施方式，显示设备还可以包括坝，坝在衬底上，并且在显示设备的显示方向上突出。第三电极可以在第二电极与坝之间。
18.根据实施方式，第三电极可以在平面图中与坝重叠。
19.根据实施方式，显示设备还可以包括光控制部，光控制部配置为改变从第一发光元件提供的光的波长。
20.根据本公开的一个或多个实施方式，显示设备包括：第一电极和第二电极，在衬底上并且彼此间隔开；第三电极，在衬底上；发光元件，在第一电极与第二电极之间；第一接触电极，电连接第一电极与发光元件；以及第二接触电极，电连接第二电极与发光元件。第一电极、第二电极和第三电极可以布置在相同层上。在平面图中，第三电极可以既不与第一电极重叠也不与第二电极重叠。第二接触电极可以与第三电极电连接。
21.根据实施方式，可以通过第二电极和第二接触电极向发光元件提供阴极信号。
22.根据本公开的一个或多个实施方式，制造显示设备的方法包括：在衬底上形成基础电极；去除基础电极的至少一部分来提供彼此间隔开的第一电极、第二电极和第三电极；在衬底上提供墨水，墨水包括发光元件和设置有发光元件的溶剂；以及通过在第一电极与第二电极之间形成电场来在第一电极与第二电极之间对准发光元件。在对准发光元件时，第三电极可以与第一电极和第二电极电隔离，使得用于形成电场的电信号可以不提供给第三电极。
23.根据实施方式，该方法还可以包括：形成第一接触电极和第二接触电极，第一接触电极配置为电连接第一电极与发光元件，第二接触电极配置为电连接第二电极与发光元件。
24.根据实施方式，在平面图中，第三电极可以既不与第一电极重叠也不与第二电极重叠。
25.根据实施方式，该方法还可以包括：在衬底上形成坝，使得坝在平面图中与第三电极重叠。
26.根据实施方式，对准发光元件可以包括：向第一电极提供第一电信号，以及向第二电极提供第二电信号。第一电信号和第二电信号可以不提供给第三电极。
27.然而，本公开的方面和技术方案可以不限于以上内容，并且本领域普通技术人员从下面提供的公开内容以及附图将可理解本公开的其它方面和技术方案。
附图说明
28.图1和图2分别是示出根据本公开的实施方式的发光元件的立体图和剖视图。
29.图3是示意性地示出根据实施方式的显示设备的平面图。
30.图4是示出根据实施方式的像素的平面图。
31.图5是沿着图4的线i-i’截取的剖视图。
32.图6是沿着图4的线ii-ii’截取的剖视图。
33.图7是示出根据实施方式的像素的平面图。
34.图8是沿着图7的线iii-iii’截取的剖视图。
35.图9至图18是通过工艺步骤示出根据实施方式的制造显示设备的方法的视图。
具体实施方式
36.提供本说明书中对实施方式的描述是为了向本领域普通技术人员清楚地说明本公开的范围，并且不旨在限制本公开。应当理解的是，本公开可以包括在本公开的技术范围内的替换和修改。
37.本说明书中使用的术语基于根据本公开的实施方式的部件的功能选自当前广泛使用的通用术语，并且可以具有根据本领域技术人员的意图、本领域的习惯或新技术的出现而变化的含义。如果使用具有特定含义的特定术语，则将具体描述该术语的含义。因此，本说明书中使用的术语不应限定为部件的简单名称，而应基于术语的实际含义和贯穿本说明书的整个上下文来限定。
38.提供附图以便于说明本公开，并且出于便于说明的目的，附图中的形状或尺寸可能被夸大，使得本公开不应限于附图。
39.如果在说明书中，对众所周知的功能或配置的描述将不必要地混淆本公开的要点，则可以省略这些描述。
40.应当理解的是，当元件或层被称为在另一元件或层“上”或“上方”时，其可以直接在另一元件或层上或上方，或者可以存在一个或多个介于中间的元件或层。在整个说明书中，相同的附图标记表示相同的元件。
41.应当理解的是，尽管诸如“第一”、“第二”等的术语可以在本文中用于描述各种部件，这些部件不受这些术语的限制。这些术语用于将一个元件或部件与另一元件或部件区分开。因此，在不背离本公开的范围和精神的情况下，下面描述的第一部件可以被称为第二部件。
42.除非另有限定，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本发明构思的示例实施方式所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。还应当理解的是，术语，诸如在常用词典中限定的术语，应解释为具有与其在相关技术的语境中的含义一致的含义，并且将不以理想化或过于形式化的含义进行解释，除非本文中明确地如此限定。
43.本公开的各种实施方式涉及显示设备及其制造方法。
44.本文中，将参照附图描述根据一个或多个实施方式的显示设备和制造显示设备的方法。
45.图1和图2示出根据实施方式的包括在显示设备(例如图3的显示设备dd)中的发光元件ld。图1和图2分别是示出根据本公开的实施方式的发光元件ld的立体图和剖视图。
46.参照图1和图2，发光元件ld可以包括第一半导体层11、第二半导体层13和插置在第一半导体层11与第二半导体层13之间的有源层12。例如，第一半导体层11、有源层12和第二半导体层13可以在发光元件ld的纵向方向上连续堆叠。
47.发光元件ld可以包括第一端ep1和第二端ep2。第一半导体层11可以与发光元件ld的第一端ep1相邻。第二半导体层13可以与发光元件ld的第二端ep2相邻。
48.在实施方式中，发光元件ld可以具有柱形状。柱形状可以指在纵向方向上延伸的
形状，诸如圆柱形状或棱柱形状。换言之，发光元件ld的长度l可以大于其直径d(或其剖面的宽度)。发光元件ld的形状可以包括杆状形状或棒状形状，但是本公开不限于此。
49.发光元件ld可以具有与从纳米级到微米级的范围相对应的尺寸。例如，发光元件ld的直径d(或宽度)和长度l各自可以具有在从纳米级到微米级的范围内的尺寸，但是本公开不限于此。
50.第一半导体层11可以是第一导电半导体层。例如，第一半导体层11可以包括n型半导体层。例如，第一半导体层11可以包括包含inalgan、gan、algan、ingan、aln和inn中的任何半导体材料、并且掺杂有诸如si、ge或sn的第一导电掺杂剂的n型半导体层。然而，构成第一半导体层11的材料不限于此。
51.有源层12可以设置在第一半导体层11上并且具有单量子阱结构或多量子阱结构。有源层12的位置可以根据发光元件ld的类型以各种方式改变。
52.掺杂有导电掺杂剂的包层(未示出)可以形成在有源层12上和/或之下。例如，包层可以由algan层或inalgan层形成。在实施方式中，可以使用诸如algan或inalgan的材料来形成有源层12，并且可以使用各种其它材料来形成有源层12。
53.第二半导体层13可以设置在有源层12上并且包括具有与第一半导体层11的类型不同的类型的半导体层。例如，第二半导体层13可以包括p型半导体层。例如，第二半导体层13可以包括包含inalgan、gan、algan、ingan、aln和inn中的至少一种半导体材料、并且掺杂有诸如mg的第二导电掺杂剂的p型半导体层。然而，用于形成第二半导体层13的材料不限于此，并且第二半导体层13可由各种其它材料形成。
54.如果在发光元件ld的相对端之间施加等于或大于阈值电压的电压，则发光元件ld可以通过电子-空穴对在有源层12中的耦合来发射光。由于可以基于前述原理来控制发光元件ld的光发射，发光元件ld可以用作各种发光器件的光源以及显示设备dd(参见图3)的像素。
55.发光元件ld还可以包括设置在发光元件ld的表面上的绝缘膜inf。绝缘膜inf可以由单膜结构或双层结构形成，但是本公开不限于此。绝缘膜inf可以由多个层形成。例如，绝缘膜inf可以包括第一绝缘膜和第二绝缘膜，第一绝缘膜包括第一材料，第二绝缘膜包括不同于第一材料的第二材料。
56.绝缘膜inf可以允许发光元件ld的具有不同极性的相对端暴露于外部。例如，绝缘膜inf可以允许第一半导体层11的与第一端ep1相邻设置的部分和第二半导体层13的与第二端ep2相邻设置的部分暴露于外部。
57.绝缘膜inf可以由包括硅氧化物(sio
x
)、硅氮化物(sin
x
)、硅氮氧化物(sio
x
ny)、铝氧化物(alo
x
)和钛二氧化物(tio
x
)中的至少一种绝缘材料的单层或多层形成，但本公开不限于此。
58.绝缘膜inf可以确保发光元件ld的电稳定性。此外，即使在多个发光元件ld彼此相邻设置的情况下，也可以防止或基本上防止在发光元件ld之间出现不希望的短路。
59.在实施方式中，发光元件ld除了第一半导体层11、有源层12、第二半导体层13和绝缘膜inf之外，还可以包括附加的其它部件。例如，发光元件ld还可以包括荧光层、有源层、半导体层和/或电极层。例如，接触电极层可以进一步设置在发光元件ld的第一端ep1和第二端ep2中的每个上。
60.图3是示意性地示出根据实施方式的显示设备dd的平面图。
61.显示设备dd可以发射光。参照图3，显示设备dd可以包括衬底sub，以及设置在衬底sub上的像素pxl。尽管在附图中未示出，但是显示设备dd还可以包括配置为驱动像素pxl的驱动电路层(例如，扫描驱动器和数据驱动器)、线和焊盘。
62.显示设备dd可以包括显示区域da和非显示区域nda。非显示区域nda可以指除显示区域da之外的区域。在实施方式中，非显示区域nda可以围绕显示区域da的至少一部分。
63.衬底sub可以形成显示设备dd的基础。衬底sub可以是刚性或柔性衬底或膜，但不限于特定示例。
64.显示区域da可以指其中设置像素pxl的区域。非显示区域nda可以指其中不设置像素pxl的区域。连接到显示区域da的像素pxl的驱动电路层、线和焊盘可以设置在非显示区域nda中。
65.例如，像素pxl可以以条纹或布置结构等布置，但本公开不限于此。各种已知的实施方式可以应用于像素pxl的布置结构。
66.在实施方式中，像素pxl可以包括第一像素pxl1、第二像素pxl2和第三像素pxl3。第一像素pxl1、第二像素pxl2和第三像素pxl3各自可以是子像素。至少一个第一像素pxl1、至少一个第二像素pxl2和至少一个第三像素pxl3可以形成一个像素单元，其可以发射具有各种颜色的光。
67.例如，第一像素pxl1、第二像素pxl2和第三像素pxl3中的每个都可以发射带颜色的光(例如，预定颜色的光)。例如，第一像素pxl1可以是配置成发射第一颜色(例如，红色)光的第一颜色(例如，红色)像素，第二像素pxl2可以是配置成发射第二颜色(例如，绿色)光的第二颜色(例如，绿色)像素，并且第三像素pxl3可以是配置成发射第三颜色(例如，蓝色)光的第三颜色(例如，蓝色)像素。然而，形成每个像素单元的第一像素pxl1、第二像素pxl2和第三像素pxl3的颜色、类型和/或数量不限于特定的示例。
68.本文中，将参照图4至图8更详细地描述根据实施方式的像素pxl的结构。
69.首先，将参照图4至图6描述根据实施方式的像素pxl。
70.图4是示出根据实施方式的像素pxl的平面图。图4中示出的像素pxl可以是第一像素pxl1、第二像素pxl2和第三像素pxl3(参见图3)中的至少任何一个。
71.参照图4，像素pxl可以包括第一电极elt1至第六电极elt6、第一接触电极cne1至第四接触电极cne4以及发光元件ld。在实施方式中，发光元件ld可以包括第一发光元件ld1和第二发光元件ld2。
72.在实施方式中，可以提供多个发光元件ld并将其布置成平行结构。例如，可以在第二方向dr2上布置发光元件ld。然而，发光元件ld的布置结构不限于此。
73.发光元件ld可以设置在被配置成用作对准电极的电极之间。
74.在实施方式中，第一发光元件ld1可以设置在第一电极elt1与第二电极elt2之间。第二发光元件ld2可以设置在第四电极elt4与第五电极elt5之间。第一发光元件ld1可以设置在第一电极elt1和第二电极elt2上。第二发光元件ld2可以设置在第四电极elt4和第五电极elt5上。
75.第一发光元件ld1可以通过第一接触电极cne1电连接到第一电极elt1。第一发光元件ld1可以通过第二接触电极cne2电连接到第二电极elt2。
76.第二发光元件ld2可以通过第三接触电极cne3电连接到第四电极elt4。第二发光元件ld2可以通过第四接触电极cne4电连接到第五电极elt5。
77.在实施方式中，发光元件ld可以与第三电极elt3和第六电极elt6间隔开。第一发光元件ld1可以与第三电极elt3电隔离。第二发光元件ld2可以与第六电极elt6电隔离。
78.第一接触电极cne1可以设置在第一电极elt1上并与第一电极elt1电连接。
79.第二接触电极cne2可以设置在第二电极elt2上并与第二电极elt2电连接。
80.第三接触电极cne3可以设置在第四电极elt4上并与第四电极elt4电连接。
81.第四接触电极cne4可以设置在第五电极elt5上并与第五电极elt5电连接。
82.第一电极elt1可以在第二方向dr2上延伸。第一电极elt1可以在第一方向dr1上与第二电极elt2间隔开。第一电极elt1可以与第一连接线cnl1连接。这里，第一方向dr1可以与第二方向dr2相交(或不平行)。第一连接线cnl1可以通过第一接触部cnt1与包括在像素电路部(例如，图5的像素电路部pcl)中的桥接图案(例如，图5的桥接图案brp)连接。
83.第二电极elt2可以在第二方向dr2上延伸。第二电极elt2可以在第一方向dr1上与第一电极elt1间隔开。第二电极elt2可以与第二连接线cnl2连接。第二连接线cnl2可以通过第二接触部cnt2与包括在像素电路部pcl(参见图5)中的电力线pl(参见图5)连接。
84.第三电极elt3可以在第二方向dr2上延伸。第三电极elt3可以在第一方向dr1上与第一电极elt1和第二电极elt2间隔开。在平面图中，第三电极elt3可以既不与第一电极elt1重叠，也不与第二电极elt2重叠。
85.第四电极elt4可以在第二方向dr2上延伸。第四电极elt4可以在第一方向dr1上与第五电极elt5间隔开。第四电极elt4可以与第三连接线cnl3连接。第三连接线cnl3可以通过第三接触部cnt3与包括在像素电路部pcl(参见图5)中的线连接。
86.第五电极elt5可以在第二方向dr2上延伸。第五电极elt5可以在第一方向dr1上与第四电极elt4间隔开。第五电极elt5可以与第二连接线cnl2连接。第二连接线cnl2可以通过第四接触部cnt4与包括在像素电路部pcl(参见图5)中的另一条线连接。
87.第六电极elt6可以在第二方向dr2上延伸。第六电极elt6可以在第一方向dr1上与第四电极elt4和第五电极elt5间隔开。在平面图中，第六电极elt6可以既不与第四电极elt4重叠，也不与第五电极elt5重叠。
88.在实施方式中，第三电极elt3可以是浮置线。第三电极elt3可以相对于第一电极elt1和第二电极elt2浮置。例如，第三电极elt3可以与第一电极elt1和第二电极elt2物理地间隔开，并与其电隔离。在电信号被提供给第一电极elt1的情况下，所提供的电信号可以不被施加到第三电极elt3。
89.在实施方式中，第六电极elt6可以是浮置线。第六电极elt6可以相对于第四电极elt4和第五电极elt5浮置。例如，第六电极elt6可以与第四电极elt4和第五电极elt5物理地间隔开，并与其电隔离。在电信号被提供给第五电极elt5的情况下，所提供的电信号可以不被施加到第六电极elt6。
90.可以基于第一电极elt1与第二电极elt2之间的电场来布置第一发光元件ld1。这里，用于形成电场的电信号可以被提供给第一电极elt1和第二电极elt2，并且可以不被提供给第三电极elt3。
91.可以基于第四电极elt4与第五电极elt5之间的电场来布置第二发光元件ld2。这
里，用于形成电场的电信号可以被提供给第四电极elt4和第五电极elt5，并且可以不被提供给第六电极elt6。
92.根据实施方式的像素pxl可以包括由浮置线形成的第三电极elt3和第六电极elt6，使得可以减轻漏光现象，并且可以改善发光元件ld的对准。为了说明，将描述基于第三电极elt3的技术效果。
93.在实施方式中，可以在衬底sub上提供墨水(例如，图13的墨水ink)，并且可以执行在第一电极elt1与第二电极elt2之间形成电场的工艺。
94.如果第三电极elt3与第一电极elt1和/或第二电极elt2电连接，则当执行形成电场的工艺时，形成在第一电极elt1与第二电极elt2上的双电层(edl)可以扩展到第三电极elt3。在这种情况下，ac电渗(aceo)现象可能出现得更严重，使得发光元件ld的对准可能减小。
95.然而，在本公开的实施方式中，第三电极elt3与第一电极elt1和第二电极elt2电隔离，从而可以防止或基本上防止双电层扩展的现象的出现。结果，可以改善发光元件ld的对准。
96.由浮置线形成的第三电极elt3和第六电极elt6可以覆盖不设置线的区域。因此，可以防止或基本上防止关于从发光元件ld发射的光的光泄漏现象的出现。
97.本文中，将参照图5至图6描述根据实施方式的像素pxl的剖面结构。
98.图5是沿着图4的线i-i’截取的剖视图。图5主要示出像素电路部pcl和显示元件部dpl。图5示出了发光元件ld(参见图4)的第一发光元件ld1。
99.参照图5，像素pxl可以包括衬底sub、像素电路部pcl和显示元件部dpl。
100.衬底sub可以被提供为基础表面，并且像素电路部pcl和显示元件部dpl可以设置在衬底sub上。
101.像素电路部pcl可以设置在衬底sub上。在实施方式中，像素电路部pcl可以包括缓冲层bfl、晶体管tr、栅绝缘层gi、第一层间绝缘层ild1、第二层间绝缘层ild2、桥接图案brp、电力线pl、钝化层psv、第一接触部cnt1和第二接触部cnt2。
102.缓冲层bfl可以设置在衬底sub上。缓冲层bfl可以防止或基本上防止杂质从外部扩散。缓冲层bfl可包括硅氮化物(sin
x
)、硅氧化物(sio
x
)、硅氮氧化物(sio
x
ny)和诸如铝氧化物(alo
x
)的金属氧化物中的至少一种。
103.晶体管tr可以是薄膜晶体管。在实施方式中，晶体管tr可以是驱动晶体管。
104.晶体管tr可以与发光元件ld电连接。晶体管tr可以与桥接图案brp电连接。
105.晶体管tr可以包括有源层act、第一晶体管电极te1、第二晶体管电极te2和栅电极ge。
106.有源层act可以指半导体层。有源层act可以设置在缓冲层bfl上。有源层act可以包括多晶硅、非晶硅和氧化物半导体中的至少一种。
107.有源层act可以包括接触第一晶体管电极te1的第一接触区域和接触第二晶体管电极te2的第二接触区域。第一接触区域和第二接触区域中的每个可以是掺杂有杂质的半导体图案。第一接触区域与第二接触区域之间的区域可以是沟道区域。沟道区域可以是未掺杂杂质的本征半导体图案。
108.栅电极ge可以设置在栅绝缘层gi上。栅电极ge的位置可以与有源层act的沟道区
域的位置相对应。例如，栅电极ge可以设置在有源层act的沟道区域上，其中栅绝缘层gi插置在其间。
109.栅绝缘层gi可以设置在有源层act上。栅绝缘层gi可以包括无机材料。例如，栅绝缘层gi可以包括硅氮化物(sin
x
)、硅氧化物(sio
x
)、硅氮氧化物(sio
x
ny)和铝氧化物(alo
x
)中的至少一种。
110.第一层间绝缘层ild1可以设置在栅电极ge上。第一层间绝缘层ild1可以以与栅绝缘层gi相同的方式包括硅氮化物(sin
x
)、硅氧化物(sio
x
)、硅氮氧化物(sio
x
ny)和铝氧化物(alo
x
)中的至少一种。
111.第一晶体管电极te1和第二晶体管电极te2可以设置在第一层间绝缘层ild1上。第一晶体管电极te1可以穿过栅绝缘层gi和第一层间绝缘层ild1接触有源层act的第一接触区域。第二晶体管电极te2可以穿过栅绝缘层gi和第一层间绝缘层ild1接触有源层act的第二接触区域。例如，第一晶体管电极te1可以是漏电极，并且第二晶体管电极te2可以是源电极，但本公开不限于此。
112.第二层间绝缘层ild2可以设置在第一晶体管电极te1和第二晶体管电极te2上。第二层间绝缘层ild2可以以与第一层间绝缘层ild1和栅绝缘层gi相同的方式包括无机材料。无机材料可以包括诸如硅氮化物(sin
x
)、硅氧化物(sio
x
)、硅氮氧化物(sio
x
ny)和铝氧化物(alo
x
)的材料中的至少一种，如第一层间绝缘层ild1和栅绝缘层gi的构成材料的示例一样。
113.桥接图案brp可以设置在第二层间绝缘层ild2上。桥接图案brp可以通过穿过第二层间绝缘层ild2的接触孔与第一晶体管电极te1电连接。桥接图案brp可以通过形成在钝化层psv中的第一接触部cnt1与第一连接线cnl1电连接。
114.电力线pl可以设置在第二层间绝缘层ild2上。电力线pl可以通过形成在钝化层psv中的第二接触部cnt2与第二连接线cnl2电连接。
115.钝化层psv可以设置在第二层间绝缘层ild2上。钝化层psv可以覆盖桥接图案brp和电力线pl。钝化层psv可以以有机绝缘层、无机绝缘层或包括设置在无机绝缘层上的有机绝缘层的结构的形式提供，但本公开不限于此。在实施方式中，与桥接图案brp的区域连接的第一接触部cnt1以及与电力线pl的区域连接的第二接触部cnt2可以形成在钝化层psv中。
116.显示元件部dpl可以设置在像素电路部pcl上。显示元件部dpl可以包括第一坝图案bnp1、第二坝图案bnp2、第一连接线cnl1、第二连接线cnl2、第一电极elt1、第二电极elt2、第一绝缘层ins1、第一发光元件ld1、第二绝缘层ins2、第一接触电极cne1和第二接触电极cne2。
117.第一坝图案bnp1和第二坝图案bnp2可以设置在钝化层psv上。第一坝图案bnp1和第二坝图案bnp2各自可以具有在显示设备dd(参见图3)的显示方向上突出的形状。
118.第一连接线cnl1和第二连接线cnl2可以设置在钝化层psv上。第一连接线cnl1可以与第一电极elt1连接。第一连接线cnl1可以通过第一接触部cnt1与桥接图案brp电连接。第一连接线cnl1可以电连接桥接图案brp与第一电极elt1。第二连接线cnl2可以与第二电极elt2连接。第二连接线cnl2可以通过第二接触部cnt2与电力线pl电连接。第二连接线cnl2可以电连接电力线pl与第二电极elt2。
119.第一电极elt1和第二电极elt2可以设置在钝化层psv上。在实施方式中，第一电极elt1的至少一部分可以设置在第一坝图案bnp1上，并且第二电极elt2的至少一部分可以设置在第二坝图案bnp2上，使得每个电极可以用作反射分隔壁。
120.第一电极elt1可以与第一发光元件ld1电连接。第一电极elt1可以通过形成在第一绝缘层ins1中的接触孔与第一接触电极cne1电连接。在实施方式中，第一电极elt1可以向第一发光元件ld1施加阳极信号。
121.第二电极elt2可以与第一发光元件ld1电连接。第二电极elt2可以通过形成在第一绝缘层ins1中的接触孔与第二接触电极cne2电连接。在实施方式中，第二电极elt2可以向第一发光元件ld1施加阴极信号(例如，接地信号)。
122.第一电极elt1和第二电极elt2可以包括导电材料。例如，第一电极elt1和第二电极elt2各自可以包括金属，诸如银(ag)、镁(mg)、铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、钛(ti)或其合金。然而，本公开不限于前述示例。
123.第一绝缘层ins1可以设置在钝化层psv上。第一绝缘层ins1可以覆盖第一电极elt1和第二电极elt2。第一绝缘层ins1可以稳定电极部件之间的连接并减小外部影响。在实施方式中，第一绝缘层ins1可以包括硅氮化物(sin
x
)、硅氧化物(sio
x
)、硅氮氧化物(sio
x
ny)和铝氧化物(alo
x
)中的至少一种。
124.第一发光元件ld1可以设置在第一绝缘层ins1上。第一发光元件ld1可以是以上参照图1和图2描述的发光元件ld。第一发光元件ld1可以基于从第一接触电极cne1和第二接触电极cne2提供的电信号来发射光。
125.在实施方式中，第一发光元件ld1的第一端可以邻接由第一绝缘层ins1形成的凹槽的一部分，并且第一发光元件ld1的第二端可以邻接由第一绝缘层ins1形成的凹槽的另一部分。
126.第二绝缘层ins2可以设置在第一发光元件ld1上。第二绝缘层ins2可以覆盖第一发光元件ld1的有源层12(参见图2)。在实施方式中，第二绝缘层ins2可以包括有机材料或无机材料中的任一种。
127.在实施方式中，第二绝缘层ins2的至少一部分可以设置在第一发光元件ld1的后表面上。在实施方式中，第二绝缘层ins2可以被填充到形成在第一发光元件ld1的后表面处的凹槽的至少一部分中。
128.第一接触电极cne1和第二接触电极cne2可以设置在第一绝缘层ins1上。第一接触电极cne1可以电连接第一电极elt1与第一发光元件ld1。第二接触电极cne2可以电连接第二电极elt2与第一发光元件ld1。
129.第一接触电极cne1和第二接触电极cne2可以包括导电材料。例如，第一接触电极cne1和第二接触电极cne2可以包括透明导电材料，该透明导电材料包括铟锡氧化物(ito)、铟锌氧化物(izo)和铟锡锌氧化物(itzo)中的任一种，但是本公开不限于此。
130.与第一发光元件ld1、电极部件等有关的布置关系不限于以上参照图5描述的示例的布置关系。布置关系可以根据实施方式以各种方式来实现。例如，尽管未示出，但是显示元件部dpl还可以包括设置在第一接触电极cne1和第二接触电极cne2上的平坦化层和/或附加绝缘层。
131.图6是沿着图4的线ii-ii’截取的剖视图。图6主要示出显示元件部dpl和光控制部
lcp。图6中所示出的像素pxl可以是第一像素pxl1、第二像素pxl2和第三像素pxl3(参见图3)中的至少任何一个。
132.参照图6，显示元件部dpl还可以包括第一坝bnk1、第二坝bnk2、第三坝图案bnp3、第四坝图案bnp4、第三电极elt3、第四电极elt4、第五电极elt5、第六电极elt6、第二发光元件ld2、第三接触电极cne3和第四接触电极cne4。
133.第一坝bnk1和第二坝bnk2可以设置在钝化层psv(参见图5)上。第一坝bnk1和第二坝bnk2可以限定像素pxl的发射区域ema。例如，发射区域ema可以限定为由第一坝bnk1和第二坝bnk2围绕的区域。
134.在实施方式中，发射区域ema可以指光从其发射的区域，而非发射区域nea可以指光不从其发射的区域。
135.第一坝bnk1和第二坝bnk2可以在显示设备dd(参见图3)的显示方向上(例如，在第三方向dr3上)突出。第一坝bnk1和第二坝bnk2可以包括有机材料和/或无机材料。
136.第一坝bnk1可以与第三电极elt3相邻设置。根据实施方式，在平面图中，第一坝bnk1可以与第三电极elt3重叠。
137.第二坝bnk2可以与第六电极elt6相邻设置。根据实施方式，在平面图中，第二坝bnk2可以与第六电极elt6重叠。
138.在实施方式中，由浮置线形成的第三电极elt3和第六电极elt6可以分别与第一坝bnk1和第二坝bnk2重叠，使得从发光元件ld发射的光通过其朝向像素电路部pcl泄漏的间隙可以被最小化或减小。因此，可以进一步可靠地防止或基本上防止显示设备dd(参见图3)的漏光现象。
139.第三坝图案bnp3和第四坝图案bnp4可以设置在钝化层psv(参见图5)上并且具有在显示设备dd(参见图3)的显示方向上突出的形状。
140.第三电极elt3可以设置在钝化层psv(参见图5)上。第三电极elt3可以设置在第二坝图案bnp2与第一坝bnk1之间。
141.根据实施方式，在平面图中，第三电极elt3可以与第一坝bnk1重叠。
142.第三电极elt3可以包括在第一电极elt1和第二电极elt2的描述中示意性列出的材料中的任一种。在实施方式中，第三电极elt3可以包括反射材料。
143.第四电极elt4和第五电极elt5可以设置在钝化层psv(参见图5)上。在实施方式中，第四电极elt4的至少一部分可以设置在第三坝图案bnp3上，并且第五电极elt5的至少一部分可以设置在第四坝图案bnp4上，使得每个电极可以用作反射分隔壁。
144.第六电极elt6可以设置在钝化层psv(参见图5)上。第六电极elt6可以设置在第四坝图案bnp4与第二坝bnk2之间。
145.根据实施方式，在平面图中，第六电极elt6可以与第二坝bnk2重叠。
146.第六电极elt6可以包括在第一电极elt1和第二电极elt2的描述中示意性列出的材料中的任一种。在实施方式中，第六电极elt6可以包括反射材料。
147.根据实施方式，第一电极elt1至第三电极elt3可以设置在相同(例如，等同)层上。在实施方式中，第一电极elt1至第三电极elt3可以通过相同(例如，等同)工艺形成(例如，沉积)，并且因此设置在相同(例如，等同)层上。在实施方式中，第一电极elt1至第三电极elt3可以具有相同(例如，等同)材料。
148.根据实施方式，第四电极elt4至第六电极elt6可以设置在相同(例如，等同)层上。在实施方式中，第四电极elt4至第六电极elt6可以通过相同(例如，等同)工艺形成(例如，沉积)，并且因此设置在相同(例如，等同)层上。在实施方式中，第四电极elt4至第六电极elt6可以具有相同(例如，等同)材料。
149.根据实施方式，第一电极elt1至第六电极elt6可以通过相同(例如，等同)工艺形成，并且因此设置在相同(例如，等同)层上。在实施方式中，第一电极elt1至第六电极elt6可以通过相同(例如，等同)工艺形成(例如，沉积)，并且包括相同(例如，等同)材料。
150.根据实施方式，第三电极elt3和第六电极elt6可以反射朝向像素电路部pcl传播的光。例如，朝向像素电路部pcl传播的光可以是从发光元件ld发射的光和从显示元件部dpl施加到颜色转换部ccl的光，并且包括由波长转换材料wcm反射的光。换言之，第三电极elt3和第六电极elt6可以形成在钝化层psv(参见图5)上，使得可以防止或基本上防止光从显示元件部dpl移动到像素电路部pcl，并且可以防止或基本上防止显示设备dd(参见图3)的漏光现象。
151.第三接触电极cne3和第四接触电极cne4可以设置在第一绝缘层ins1上。第三接触电极cne3可以电连接第四电极elt4与第二发光元件ld2。第四接触电极cne4可以电连接第五电极elt5与第二发光元件ld2。
152.第三接触电极cne3和第四接触电极cne4可以包括在第一接触电极cne1和第二接触电极cne2的描述中描述的材料中的任一种。
153.像素pxl还可以包括光控制部lcp。
154.光控制部lcp可以设置在显示元件部dpl上。在实施方式中，光控制部lcp可以改变从显示元件部dpl(或发光元件ld)提供的光的波长。根据实施方式，光控制部lcp可以包括颜色转换部ccl和滤色器部cfl。
155.根据实施方式，发光元件ld可以发射具有相同(例如，等同)颜色(例如，蓝色)的光，并且在显示设备dd(参见图3)中可以提供光控制部lcp，使得可以显示全色图像。然而，本公开不限于此。在一个或多个实施方式中，发光元件ld可以发射不同颜色的光。
156.颜色转换部ccl可以设置在显示元件部dpl上。颜色转换部ccl可以设置在显示元件部dpl与滤色器部cfl之间。
157.然而，颜色转换部ccl的位置不限于上述示例。例如，波长转换器wc可以设置在第一坝bnk1与第二坝bnk2之间，使得显示元件部dpl和颜色转换部ccl可以设置在相同(例如，等同)层上。
158.在实施方式中，颜色转换部ccl可以包括第一钝化层pss1、波长转换器wc、光阻挡层lbl和第二钝化层pss2。
159.第一钝化层pss1可以设置在显示元件部dpl与光阻挡层lbl之间以及显示元件部dpl与波长转换器wc之间。第一钝化层pss1可以密封(或覆盖)波长转换器wc。第一钝化层pss1可以包括无机材料，并且第一钝化层pss1的材料不限于特定示例。
160.波长转换器wc可以与发射区域ema重叠。波长转换器wc可以设置在光阻挡层lbl之间的区域中。
161.波长转换器wc可以包括波长转换材料wcm和散射体sc。在实施方式中，波长转换材料wcm可以被分散并且设置在诸如基础树脂的基质材料中。
162.在实施方式中，波长转换材料wcm可以是将从发光元件ld发射的光转换为带颜色的光(例如，预定颜色的光)的颜色转换颗粒。在实施方式中，颜色转换颗粒可以是被配置成改变施加到其的光的波长的量子点。在实施方式中，波长转换材料wcm可以根据能量跃迁转换施加到其的光的波长。
163.例如，在第一像素pxl1(参见图3)中，波长转换材料wcm可以包括能够将蓝光改变为红光的第一量子点。在第二像素pxl2(参见图3)中，波长转换材料wcm可以包括能够将蓝光改变为绿光的第二量子点。
164.波长转换材料wcm可以具有包括球形形状、棱锥形状、多臂形状或立方体形状的纳米颗粒、纳米管、纳米纤维、平面纳米颗粒等的形式，但本公开不限于此。波长转换材料wcm的形状可以以各种方式改变。
165.在实施方式中，尽管在附图中未示出，但是第三像素pxl3(参见图3)中的波长转换器wc可以不包括波长转换材料wcm。在这种情况下，从显示元件部dpl提供的蓝光可以通过波长转换器wc而没有单独的波长改变。
166.散射体sc可以是被设置为有效地利用从发光元件ld发射的光的成分。在实施方式中，散射体sc可以包括二氧化硅等，但是本公开不限于此。
167.第二钝化层pss2可以设置在滤色器部cfl与光阻挡层lbl之间以及滤色器部cfl与波长转换器wc之间。第二钝化层pss2可以密封(或覆盖)波长转换器wc。第二钝化层pss2可以包括无机材料，并且第二钝化层pss2的材料不限于特定示例。
168.滤色器部cfl可以设置在颜色转换部ccl上。在实施方式中，滤色器部cfl可以包括滤色器cf和平坦化层pla。
169.在平面图中，滤色器cf可以与像素pxl的发射区域ema重叠。
170.滤色器cf可以允许某种颜色(例如，预定颜色)的光从其穿过，并且防止或基本上防止具有不同于该某种颜色的颜色的光从其穿过。
171.在实施方式中，滤色器cf可以包括关于特定颜色的着色剂。例如，第一像素pxl1(参见图3)中的滤色器cf可以允许第一颜色的光从其穿过，并且防止或基本上防止第二颜色的光和第三颜色的光从其穿过。第二像素pxl2(参见图3)中的滤色器cf可以允许第二颜色的光从其穿过，并且防止或基本上防止第一颜色的光和第三颜色的光从其穿过。第三像素pxl3(参见图3)中的滤色器cf可以允许第三颜色的光从其穿过，并且防止或基本上防止第一颜色的光和第二颜色的光从其穿过。
172.平坦化层pla可以设置在滤色器cf上。平坦化层pla可以覆盖滤色器cf。平坦化层pla可以去除由滤色器cf引起的阶梯差。在实施方式中，平坦化层pla可以包括有机绝缘材料。然而，本公开不限于此，并且平坦化层pla可以包括无机材料。
173.然而，像素pxl的结构不限于参照图6描述的前述内容。可以适当地选择像素pxl的各种结构以提供根据实施方式的显示设备dd(参见图3)。例如，在实施方式中，显示设备dd还可以包括配置成增强光效率的低折射层。
174.接下来，将参照图7和图8描述根据实施方式的像素pxl。可以简化或省略可能与上述实施方式的描述相同的描述。
175.图7是示出根据实施方式的像素pxl的平面图；并且图8是沿着图7的线iii-iii’截取的剖视图。
176.根据本实施方式的像素pxl与根据图4至图6的先前实施方式的像素pxl的不同之处在于，第二接触电极cne2与第三电极elt3连接，并且第四接触电极cne4与第六电极elt6连接。
177.根据本实施方式，第三电极elt3和第六电极elt6可以与要向其提供阴极信号的线电连接。在实施方式中，第三电极elt3和第六电极elt6可以与接地线电连接。
178.参照图7和图8，第二接触电极cne2可以与第三电极elt3电连接，并且第四接触电极cne4可以与第六电极elt6电连接。
179.例如，第二接触电极cne2可以通过形成在第一绝缘层ins1中的接触孔与第三电极elt3电连接。第四接触电极cne4可以通过形成在第一绝缘层ins1中的另一接触孔与第六电极elt6电连接。
180.结果，第三电极elt3可以通过第二接触电极cne2与第二电极elt2电连接。第六电极elt6可以通过第四接触电极cne4与第五电极elt5电连接。
181.在本实施方式中，以与先前实施方式相同的方式，第三电极elt3可以基于布置发光元件ld的时间点与第一电极elt1和第二电极elt2电隔离。因此，可以改善发光元件ld的对准，使得可以防止或基本上防止光泄漏现象的出现。
182.本文中，将参照图9至图18描述根据实施方式的制造显示设备的方法。可以简化或省略可能与上述实施方式的描述相同的描述。
183.图9至图18是通过工艺步骤示出根据实施方式的制造显示设备dd(参见图3)的方法的视图。更具体地，图9、图10、图12、图13、图15、图17和图18是通过工艺步骤示出根据实施方式的制造显示设备的方法的剖面图。图9、图10、图12、图13、图15和图17示出了基于沿着图4的线ii-ii’截取的剖面结构的方法。图18示出了基于沿着图7的线iii-iii’截取的剖面结构的方法。图11、图14和图16是通过工艺步骤示出根据实施方式的制造显示设备的方法的平面图。图11、图14和图16示出了基于图4的平面结构的方法。
184.参照图9，可以提供(或准备)衬底sub，并且可以在衬底sub上提供(或设置)像素电路部pcl。此后，可以在像素电路部pcl上形成第一坝图案bnp1至第四坝图案bnp4，并且可以在像素电路部pcl和第一坝图案bnp1至第四坝图案bnp4上形成(或沉积)基础电极belt。
185.在本阶段处，可以通过使用掩模的典型工艺对导电层(或金属层)、无机材料、有机材料等进行图案化来形成设置在衬底sub上的像素电路部pcl的各个部件。
186.在实施方式中，在本阶段处，基础电极belt可以沉积在整个表面上并至少覆盖第一坝图案bnp1至第四坝图案bnp4中的每个。
187.参照图10和图11，可以通过去除基础电极belt的一部分来提供彼此间隔开的第一电极elt1至第六电极elt6。
188.在实施方式中，在本阶段处，可以刻蚀基础电极belt的一部分，使得可以暴露第一坝图案bnp1至第四坝图案bnp4中的每个的至少一部分。
189.在实施方式中，在本阶段处，可以刻蚀基础电极belt，使得第二电极elt2和第三电极elt3可以彼此间隔开，并且第五电极elt5和第六电极elt6可以彼此间隔开。
190.在实施方式中，与第一电极elt1和第二电极elt2间隔开的第三电极elt3可以设置为浮置线。与第四电极elt4和第五电极elt5间隔开的第六电极elt6可以设置为浮置线。
191.在本阶段处，基础电极belt的至少一部分可以保留在第一坝图案bnp1至第四坝图
案bnp4上，并且被设置为反射分隔壁。
192.参照图12，可以设置(或形成)第一坝bnk1和第二坝bnk2，并且可以设置(或形成)第一绝缘层ins1。
193.在实施方式中，在本阶段处，第一绝缘层ins1可以沉积在整个表面上以覆盖第一电极elt1至第六电极elt6。
194.在实施方式中，可以在形成第一电极elt1至第六电极elt6之后执行设置第一坝bnk1和第二坝bnk2。
195.在本阶段处，第一坝bnk1和第二坝bnk2可以分别与第三电极elt3和第六电极elt6重叠。因此，未被第三电极elt3或第六电极elt6覆盖的区域可以被最小化或减小，使得可以更可靠地防止或基本上防止显示设备dd(参见图3)的漏光现象。
196.参照图13和图14，可以在衬底sub上提供(例如，喷涂)包括发光元件ld和溶剂slv的墨水ink。
197.在实施方式中，墨水ink可以由能够喷涂液化流体的打印设备提供。在实施方式中，打印设备可以包括构造成喷涂液化流体的喷嘴。墨水ink可以指可以由打印设备输出的液化混合物。
198.根据实施方式，多个发光元件ld可以分散(或设置)在具有流动性的溶剂slv中。溶剂slv可以是流体，而不具有固相，使得发光元件ld可以分散在其中。
199.在本阶段处，可以在第一电极elt1与第二电极elt2之间以及在第四电极elt4与第五电极elt5之间提供墨水ink中的至少一些。
200.在实施方式中，在本阶段处，在第一电极elt1与第二电极elt2之间不形成电场，使得第一发光元件ld1可以不规则地布置，并且在第四电极elt4与第五电极elt5之间不形成电场，使得第二发光元件ld2可以不规则地布置。
201.参照图15和图16，可以在第一电极elt1与第二电极elt2之间形成电场，并且可以在第四电极elt4与第五电极elt5之间形成电场。
202.在本阶段处，将对准信号施加到第一电极elt1和第二电极elt2，使得可以在第一电极elt1与第二电极elt2之间形成电场。例如，可以将第一电信号提供给第一电极elt1，并且可以将第二电信号提供给第二电极elt2，使得可以在第一电极elt1与第二电极elt2之间形成基于第一电信号和第二电信号的电场。
203.因此，第一发光元件ld1可以在第一电极elt1与第二电极elt2之间对准。换言之，包括在墨水ink中的发光元件ld中的至少一些可以布置在第一电极elt1与第二电极elt2之间。
204.在实施方式中，可以将ac信号施加到第一电极elt1和第二电极elt2。在实施方式中，ac信号可以是正弦波、三角波、阶梯波、梯形波和脉冲波中的任一种，但是本公开不限于此。ac信号可以具有各种已知的ac信号形式中的任一种。
205.同样地，在本阶段处，可以将对准信号施加到第四电极elt4和第五电极elt5，使得可以在第四电极elt4与第五电极elt5之间形成电场。例如，可以向第四电极elt4提供第三电信号，并且可以向第五电极elt5提供第四电信号，使得可以在第四电极elt4与第五电极elt5之间形成基于第三电信号和第四电信号的电场。
206.因此，第二发光元件ld2可以在第四电极elt4与第五电极elt5之间对准。换言之，
包括在墨水ink中的发光元件ld中的至少一些其它发光元件可以设置在第四电极elt4与第五电极elt5之间。
207.这里，提供给第一电极elt1和第二电极elt2的对准信号(例如，第一电信号和第二电信号)可以不提供给第三电极elt3。提供给第四电极elt4和第五电极elt5的对准信号(例如，第三电信号和第四电信号)可以不提供给第六电极elt6。
208.随后，可以通过单独的工艺去除提供在衬底sub上的墨水ink中包含的溶剂slv。
209.参照图17，可以形成(或提供)第二绝缘层ins2，并且可以形成(或提供)第一接触电极cne1至第四接触电极cne4，使得可以提供显示元件部dpl。
210.在本阶段处，可以沉积第二绝缘层ins2以覆盖第一发光元件ld1和第二发光元件ld2中的每个的至少一部分。
211.在本阶段处，第二绝缘层ins2可以设置在第一发光元件ld1和第二发光元件ld2中的每个的表面上。在实施方式中，第二绝缘层ins2可以被填充到形成在第一发光元件ld1和第二发光元件ld2的后表面处的凹槽中。
212.在本阶段处，可以沉积第一接触电极cne1至第四接触电极cne4。在实施方式中，第一接触电极cne1至第四接触电极cne4可以通过经由相同(例如，等同)工艺进行图案化来提供。然而，本公开不限于此。在实施方式中，可以在形成第一接触电极cne1和第三接触电极cne3之后形成第二接触电极cne2和第四接触电极cne4。
213.在实施方式中，在本阶段之后，第一接触电极cne1可以电连接第一电极elt1与第一发光元件ld1，并且第二接触电极cne2可以电连接第二电极elt2与第一发光元件ld1。同样地，第三接触电极cne3可以电连接第四电极elt4与第二发光元件ld2。第四接触电极cne4可以电连接第五电极elt5与第二发光元件ld2。
214.此后，尽管在附图中未示出，但是光控制部lcp(参见图6)可以设置在显示元件部dpl上，使得可以提供根据实施方式的显示设备dd(参见图3)。
215.参照图18，第二接触电极cne2可以与第三电极elt3连接，并且第四接触电极cne4可以与第六电极elt6连接，由此可以提供根据实施方式(参见图7和图8)的显示设备dd(参见图3)。
216.根据实施方式，为了连接第二接触电极cne2与第三电极elt3并连接第四接触电极cne4与第六电极elt6，可以在第一绝缘层ins1中形成在平面图中分别与第三电极elt3和第六电极elt6重叠的孔。在形成重叠孔之后，形成(或提供)第一接触电极cne1至第四接触电极cne4。因此，第二接触电极cne2可以与第三电极elt3连接，并且第四接触电极cne4可以与第六电极elt6连接。
217.当执行本阶段时，第三电极elt3可以与第二接触电极cne2电连接，并且第六电极elt6可以与第四接触电极cne4电连接。例如，可以向第二接触电极cne2提供要提供给第一发光元件ld1的阴极信号(或接地信号)，使得第三电极elt3可以不设置为浮置线。同样地，可以向第四接触电极cne4提供要提供给第二发光元件ld2的阴极信号(或接地信号)，使得第六电极elt6可以不设置为浮置线。
218.本公开的各种实施方式可以提供显示设备和制造显示设备的方法，其中发光元件的对准优异，并且减轻了漏光现象。
219.然而，本公开的效果可以不限于以上内容，并且本领域的普通技术人员从与附图
一起提供的公开内容将可以清楚地理解本公开的其它效果。
220.尽管出于说明的目的描述了本公开的一些实施方式，但是本领域技术人员将理解的是，在不背离本公开的范围和精神的情况下，各种修改、添加和替换是可能的。因此，本公开的上述实施方式可以单独地或组合地实现。
221.因此，本文中公开的实施方式并不旨在限制本公开的技术精神，而是旨在描述本公开的技术精神，并且本公开的范围不限于实施方式。本公开的范围应当由所附权利要求来解释，并且在其等同范围内的技术精神应当被解释为包括在本公开的范围内。