高压电源装置的制作方法

技术特征：
1.一种高压电源装置，将正负的两极性的高电压以能够切换的方式输出，所述高压电源装置具备：第一电压发生部，其输出正极性的高电压；第二电压发生部，其输出负极性的高电压；第一放电用二极管，其以在所述第一电压发生部的电压输出端输出高电压时由于该电压而成为反向偏置状态的朝向与该电压输出端连接；第二放电用二极管，其以在所述第二电压发生部的电压输出端输出高电压时由于该电压而成为反向偏置状态的朝向与该电压输出端连接；第一输出电路，其连接在所述第一电压发生部的电压输出端与两个极性共用的极性切换电压输出端之间，在该第一输出电路中，作为电压控制型半导体开关的第一开关与保护电阻串联连接；第二输出电路，其连接在所述第二电压发生部的电压输出端与所述极性切换电压输出端之间，在该第二输出电路中，作为电压控制型半导体开关的第二开关与保护电阻串联连接；输出电容器，其与连接于所述极性切换电压输出端的负载并联连接；控制部，其在切换从所述极性切换电压输出端输出的电压的极性时，以在使所述第一电压发生部及所述第二电压发生部的动作均停止的状态下使所述第一开关及所述第二开关暂时均导通的方式控制该第一电压发生部及该第二电压发生部的动作以及该第一开关及该第二开关的开闭动作；第一限制部，其在所述控制部使所述第一开关向导通转变时对该开关的两端间的电压的时间变化率进行限制；以及第二限制部，其在所述控制部使所述第二开关向导通转变时对该开关的两端间的电压的时间变化率进行限制。2.根据权利要求1所述的高压电源装置，其中，所述第一开关和所述第二开关均为金属氧化物半导体场效应晶体管即mosfet，所述第一限制部和所述第二限制部各自构成为：包括连接在所述mosfet的栅极-漏极间的反馈电容器、以及连接在该mosfet的栅极-源极间并且从源极侧向栅极的方向供给电流的恒流源，对该mosfet的向导通转变的动作中的漏极-源极间的电压的时间变化率进行限制。3.根据权利要求1所述的高压电源装置，其中，所述第一开关和所述第二开关均为将多个mosfet多级地串联连接而得到的开关，所述第一限制部和所述第二限制部各自构成为：包括连接在各mosfet的栅极-漏极间的反馈电容器、以及连接在各mosfet的栅极-源极间并且从源极侧向栅极的方向供给电流的恒流源，对各mosfet的向导通转变的动作中的漏极-源极间的电压的时间变化率进行限制。4.根据权利要求1所述的高压电源装置，其中，所述第一开关和所述第二开关均为绝缘栅双极晶体管即igbt，所述第一限制部和所述第二限制部各自构成为：包括连接在所述igbt的基极-集电极间的反馈电容器、以及连接在该igbt的基极-发射极间并且从发射极侧向基极的方向供给
电流的恒流源，对该igbt的向导通转变的动作中的集电极-发射极间的电压的时间变化率进行限制。5.根据权利要求1所述的高压电源装置，其中，所述第一开关和所述第二开关均为将多个igbt多级地串联连接而得到的开关，所述第一限制部和所述第二限制部各自构成为：包括连接在各igbt的基极-集电极间的反馈电容器、以及连接在各igbt的基极-发射极间并且从发射极侧向基极的方向供给电流的恒流源，对各igbt的向导通转变的动作中的集电极-发射极间的电压的时间变化率进行限制。

技术总结
提供一种高压电源装置，具备：第一电压发生部，输出正极性的高电压；第二电压发生部，输出负极性的高电压；第一放电用二极管，与第一电压发生部的电压输出端连接；第二放电用二极管，与第二电压发生部的电压输出端连接；第一输出电路，将第一开关与保护电阻串联连接；第二输出电路，将第二开关与保护电阻串联连接；输出电容器，与负载并联连接；控制部，在切换输出电压的极性时，将两个电压发生部的动作和两个开关的开闭动作控制成在使两个电压发生部的动作均停止的状态下使两个开关暂时均导通；第一限制部，在使第一开关导通时限制该开关的两端间电压的时间变化率；第二限制部，在使第二开关导通时限制该开关的两端间电压的时间变化率。变化率。变化率。


技术研发人员：长治生
受保护的技术使用者：株式会社岛津制作所
技术研发日：2022.08.17
技术公布日：2023/3/10