声表面波滤波装置及其形成方法与流程

1.本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种声表面波滤波装置及其形成方法。


背景技术：

2.无线通信设备的射频(radio frequency，rf)前端芯片包括功率放大器、天线开关、射频滤波器、多工器和低噪声放大器等。其中，射频滤波器包括压电声表面波(surfaceacoustic wave，saw)滤波器、压电体声波(bulk acoustic wave，baw)滤波器、微机电系统(micro-electro-mechanical system，mems)滤波器、集成无源装置(integrated passivedevices，ipd)滤波器等。
3.saw谐振器的品质因数值(q值)较高，由saw谐振器制作成低插入损耗、高带外抑制的射频滤波器，即saw滤波器。saw滤波器作为目前无线通信设备中使用较为广泛的滤波器，高可靠性的saw滤波器可以延长设备的使用寿命，扩大使用范围。
4.然而，现有技术中形成声表面波滤波装置的方法仍存在诸多问题。


技术实现要素：

5.本发明解决的技术问题是提供一种声表面波滤波装置及其形成方法，以提升器件的性能和良率。
6.为解决上述问题，本发明提供一种声表面波滤波装置，包括：压电基底；位于所述压电基底上的若干第一连接部、第二连接部和若干叉指电极结构，若干所述第一连接部位于所述第二连接部的两侧，所述第一连接部与至少一个所述叉指电极结构电连接，所述第二连接部与至少一个所述叉指电极结构电连接；位于所述压电基底上的钝化层，局部覆盖若干所述第一连接部，至少局部覆盖所述第二连接部，以及覆盖若干所述叉指电极结构；第三连接部，跨越所述第二连接部，与位于所述第二连接部两侧的至少两个所述第一连接部通过至少两个所述第一连接部暴露出的表面电连接。
7.可选的，还包括：位于所述第三连接部和所述钝化层之间的第一介质层。
8.可选的，位于所述第三连接部和所述钝化层之间的空腔。
9.可选的，所述钝化层的材料包括：氧化硅、氮化硅、氧化铝和氮化铝中的一种或多种。
10.可选的，所述钝化层包括单层或多层结构。
11.可选的，所述第一介质层的材料包括：聚酰亚胺、氧化硅、氮化硅、氧化铝或氮化铝。
12.可选的，所述第三连接部包括单层或多层结构。
13.可选的，还包括：若干第一通孔，贯穿所述钝化层，暴露出至少两个所述第一连接部的部分表面，所述第三连接部通过所述第一通孔与所述第一连接部接触。
14.可选的，还包括：位于所述压电基底上的第一电极层，所述钝化层还覆盖所述第一
电极层；位于所述第一电极层上方的所述钝化层上的第二介质层；位于所述第二介质层上的第二电极层；由所述第一电极层、所述第二电极层以及位于所述第一电极层与所述第二电极层之间的所述钝化层及所述第二介质层构成电容。
15.可选的，还包括：位于所述压电基底上的电感。
16.相应的，本发明技术方案中还提供一种声表面波滤波装置的形成方法，包括：提供压电基底；在所述压电基底上形成若干第一连接部、第二连接部和若干叉指电极结构，若干所述第一连接部位于所述第二连接部的两侧，所述第一连接部与至少一个所述叉指电极结构电连接，所述第二连接部与至少一个所述叉指电极结构电连接；在所述压电基底上形成钝化层，局部覆盖若干所述第一连接部，至少局部覆盖所述第二连接部，以及覆盖若干所述叉指电极结构；形成第三连接部，跨越所述第二连接部，与位于所述第二连接部两侧的至少两个所述第一连接部通过至少两个所述第一连接部暴露出的表面电连接。
17.可选的，在形成所述第三连接部之前，还包括：形成第一介质层，所述第一介质层位于所述钝化层上，跨越所述第二连接部；在形成所述第三连接部之后，所述第一介质层位于所述钝化层与所述第三连接部之间。
18.可选的，在形成所述第三连接部之后，还包括：去除所述第一介质层，在所述第三连接部和所述钝化层之间形成空腔。
19.可选的，还包括：形成若干第一通孔，贯穿所述钝化层，暴露出至少两个所述第一连接部的部分表面，所述第三连接部通过所述第一通孔与所述第一连接部接触。
20.可选的，形成若干第一通孔的方法包括：形成掩膜层，位于所述钝化层上；基于所述掩膜层，去除部分所述钝化层，暴露出所述第一连接部的表面。
21.可选的，还包括：形成所述钝化层之前，在所述压电基底上形成第一电极层；所述钝化层覆盖所述第一电极层，在所述第一电极层上方的所述钝化层上形成第二介质层；在所述第二介质层上形成第二电极层；由所述第一电极层、所述第二电极层以及位于所述第一电极层与所述第二电极层之间的所述钝化层和所述第二介质层形成电容。
22.可选的，在所述压电基底上形成第一电极层的方法包括：形成第一金属层，位于所述压电基底上；对所述第一金属层进行图形化处理，形成若干所述第一连接部、所述第二连接部、若干所述叉指电极结构以及所述第一电极层。
23.可选的，在所述第一电极层上方的所述钝化层上形成第二介质层的方法包括：形成介质材料层，位于所述钝化层上；对所述介质材料层进行图形化处理，形成所述第一介质层及所述第二介质层。
24.可选的，在所述第二介质层上形成第二电极层的方法包括：形成第二金属层，至少位于所述钝化层、至少两个所述第一连接部、所述第一介质层及所述第二介质层上；对所述第二金属层进行图形化处理，形成所述第三连接部以及所述第二电极层。
25.可选的，还包括：在所述压电基底上形成电感。
26.与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点：
27.在本发明技术方案的声表面波滤波装置中，包括：位于所述压电基底上的钝化层，局部覆盖所述第一连接部，至少局部覆盖所述第二连接部，以及覆盖所述叉指电极结构。利用所述钝化层对所述叉指电极结构进行保护，防止制程中化学药品和水汽对所述叉指电极结构造成腐蚀和氧化，进而提升器件的性能。
28.进一步，位于所述第三连接部和所述钝化层之间的空腔。所述空腔能够形成更好的电学隔离效果。
29.在本发明技术方案的声表面波滤波装置的形成方法中，在形成所述第一连接部、第二连接部和所述叉指电极结构之后，在所述压电基底上形成钝化层，局部覆盖所述第一连接部，至少局部覆盖所述第二连接部，以及覆盖所述叉指电极结构，利用所述钝化层及时对所述叉指电极结构进行保护，防止制程中化学药品和水汽对所述叉指电极结构造成腐蚀和氧化，进而提升器件的性能。此外，通过先形成所述钝化层的制程顺序，能够有效避免高温沉积所述钝化层而造成其他易挥发材料的挥发而污染机台，以此提升生产效率和器件良率。
30.进一步，在形成所述第三连接部之后，还包括：去除所述第一介质层，在所述第三连接部和所述钝化层之间形成空腔。所述空腔能够形成更好的电学隔离效果。
附图说明
31.图1和图2是一种声表面波滤波装置的形成方法的结构示意图；
32.图3至图8是本发明实施例中声表面波滤波装置的形成方法各步骤结构示意图；
33.图9至图13是本发明另一实施例中声表面波滤波装置的形成方法各步骤结构示意图；
34.图14至图18是本发明又一实施例中声表面波滤波装置的形成方法各步骤结构示意图；
35.图19是本发明又一实施例中声表面波滤波装置的形成方法各步骤结构示意图。
具体实施方式
36.正如背景技术所述，形成声表面波滤波装置的方法仍有待改善。图1和图2是一种声表面波滤波装置的形成方法的结构示意图。
37.请参考图1和图2，图2是图1中沿a-a线截面示意图，包括：提供压电基底100；在所述压电基底100上形成若干第一连接部101、第二连接部106和若干叉指电极结构102，若干所述第一连接部101位于所述第二连接部106的两侧，所述第一连接部101与至少一个所述叉指电极结构102电连接，所述第二连接部106与至少一个所述叉指电极结构102电连接；在所述压电基底100上形成第一介质层103，覆盖局部所述第二连接部106；形成第三连接部104，跨越所述第二连接部106，与位于所述第二连接部106两侧的至少两个所述第一连接部101通过至少两个所述第一连接部101暴露出的表面电连接；在若干所述第一连接部101、所述第二连接部106、若干所述叉指电极结构102表面和所述第三连接部104露出的表面形成钝化层105。
38.在本实施例中，所述第一介质层103用于隔断所述第三连接部104和所述第二连接部106之间不需要电连接的位置，避免所述第三连接部104和所述第二连接部106之间发生短接。所述第三连接部104用于减小电路传输中的电损耗。所述钝化层105用于调频以及防止外部水汽对所述金属材料造成氧化。
39.然而，所述钝化层105是在形成所述第一介质层103之后形成，在所述叉指电极结构102形成之后并没有及时的在所述叉指电极结构102的表面形成钝化层进行保护，使得在
形成所述第一介质层103的过程中的化学药品和水汽等会对所述叉指电极结构102造成腐蚀和氧化，因此可能会导致器件失效。另外，由于所述钝化层105沉积时的温度较高，当所述第一介质层103使用的为高温易挥发的聚酰亚胺材料时，在形成所述钝化层105时，容易造成聚酰亚胺材料的挥发而污染机台，进而降低生产效率和器件良率。
40.在此基础上，本发明提供一种声表面波滤波装置及其形成方法，在形成所述第一连接部、第二连接部和所述叉指电极结构之后，在所述压电基底上形成钝化层，局部覆盖所述第一连接部，至少局部覆盖所述第二连接部，以及覆盖所述叉指电极结构，利用所述钝化层及时对所述叉指电极结构进行保护，防止制程中化学药品和水汽对所述叉指电极结构造成腐蚀和氧化，进而提升器件的性能。此外，通过先形成所述钝化层的制程顺序，能够有效避免高温沉积所述钝化层而造成其他易挥发材料的挥发而污染机台，以此提升生产效率和器件良率。
41.为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细地说明。
42.图3至图8是本发明一实施例中声表面波滤波装置的形成方法各步骤结构示意图。
43.请参考图3，提供压电基底200。
44.在本实施例中，所述压电基底200的材料包括：钽酸锂、铌酸锂、锆钛酸铅、铌镁酸铅—钛酸铅、氮化铝、氮化铝合金、氮化镓或氧化锌。
45.请参考图4和图5，图5是图4中沿b-b线截面示意图，在所述压电基底200上形成若干第一连接部201、第二连接部206和若干叉指电极结构202，若干所述第一连接部201位于所述第二连接部206的两侧，所述第一连接部201与至少一个所述叉指电极结构202电连接，所述第二连接部206与至少一个所述叉指电极结构202电连接。
46.在本实施例中，形成所述第一连接部201、所述第二连接部206和所述叉指电极结构202的方法包括：在所述压电基底200上形成第一金属层(未图示)；对所述第一金属层进行图形化工艺处理，形成所述第一连接部201、所述第二连接部206和所述叉指电极结构202。
47.在本实施例中，所述图形化工艺采用刻蚀图形化工艺；在其他实施例中，所述图形化工艺还可以采用剥离图形化工艺。
48.所述叉指电极结构202、所述第二连接部206和所述第一连接部201的材料包括：铝、铜、镁、铬、钴、钨、铂、钼、铑和金中的一种或多种。在本实施例中，所述叉指电极结构202、所述第二连接部206和所述第一连接部201的材料包括钼和铝。
49.请继续参考图4，在本实施例中，所述叉指电极结构202包括：多个第一电极条2021及连接多个所述第一电极条2021的第一总线2022，多个第二电极条2023及连接多个所述第二电极条2023的第二总线2024，多个所述第一电极条2021和多个所述第二电极条2023位于所述第一总线2022和所述第二总线2024之间并交错放置。
50.请参考图6，图6和图5的视图方向一致，在所述压电基底200上形成钝化层203，局部覆盖若干所述第一连接部201，至少局部覆盖所述第二连接部206，以及覆盖若干所述叉指电极结构202。
51.在本实施例中，所述钝化层203的形成方法包括：在所述压电基底200上形成钝化材料层(未图示)，所述钝化材料层覆盖所述叉指电极结构202表面、所述第一连接部201表
面和所述第二连接部206的表面；对所述钝化材料层进行图形化工艺处理，形成所述钝化层203。
52.在本实施例中，所述图形化工艺采用刻蚀图形化工艺；在其他实施例中，所述图形化工艺还可以采用剥离图形化工艺。
53.在本实施例中，所述钝化层203采用双层结构；在其他实施例中，所述钝化层还可以为单层结构或三层及以上结构。
54.所述钝化层203的材料包括：氧化硅、氮化硅、氧化铝和氮化铝中的一种或多种。在本实施例中，位于下侧的所述钝化层203的材料采用氮化硅，用于保护所述叉指电极结构202免受外界水汽的影响，位于上侧的所述钝化层203的材料采用氧化硅，用于器件的频率调控。
55.请参考图7，形成第一介质层204，所述第一介质层204位于所述钝化层203上，跨越所述第二连接部206。
56.在本实施例中，所述第一介质层204的形成方法包括：在所述钝化层203上形成介质材料层(未图示)，所述介质材料层覆盖所述钝化层203表面以及暴露出的所述第一连接部201表面；对所述介质材料层进行图形化工艺处理，形成所述第一介质层204。
57.在本实施例中，所述图形化工艺采用刻蚀图形化工艺；在其他实施例中，所述图形化工艺还可以采用剥离图形化工艺。
58.所述第一介质层204的材料包括：聚酰亚胺、氧化硅、氮化硅、氧化铝或氮化铝。在本实施例中，所述第一介质层204的材料采用聚酰亚胺。
59.请参考图8，形成第三连接部205，跨越所述第二连接部206，与位于所述第二连接部206两侧的至少两个所述第一连接部201通过至少两个所述第一连接部201暴露出的表面电连接。
60.在本实施例中，在形成所述第三连接部205之后，所述第一介质层204位于所述钝化层203与所述第三连接部205之间。
61.在本实施例中，所述第三连接部205的形成方法包括：在所述钝化层203上形成第二金属层(未图示)，所述第二金属层覆盖所述钝化层203表面和所述第一介质层204表面；对所述第二金属层进行图形化工艺处理，形成所述第三连接部205。
62.在本实施例中，所述图形化工艺采用刻蚀图形化工艺；在其他实施例中，所述图形化工艺还可以采用剥离图形化工艺。
63.在本实施例中，所述第三连接部205和所述第一连接部201电连接的方法包括：形成若干第一通孔(未标示)，贯穿所述钝化层203，暴露出至少两个所述第一连接部201的部分表面，所述第三连接部205通过所述第一通孔与所述第一连接部201接触。
64.在本实施例中，形成第一通孔的方法包括：形成掩膜层(未图示)，位于所述钝化层203上；基于所述掩膜层，去除部分所述钝化层203，暴露出所述第一连接部201的表面。
65.在本实施例中，所述第三连接部205采用四层结构。在其他实施例中，所述第三连接部还可以采用少于四层或高于四层的结构。
66.在本实施例中，所述第三连接部205的材料包括：铝、铜、金、钛、铂、镁、镍铬合金和钛钨合金中的一种或多种。在本实施例中，位于所述第三连接部205最底的第一层的材料为钛；位于所述第一层上的第二层的材料采用铝；位于所述第二层上的第三层的材料采用铂；
位于所述第三层上的第四层的材料采用金。其中，钛材料用于加强所述第一连接部201与所述第三连接部205之间的粘附力；铂材料作为阻挡层，用于防止铝材料和金材料的相互扩散；金材料可以提高芯片封装植金球时的可靠性。
67.在本实施例中，在形成所述第一连接部201、第二连接部206和所述叉指电极结构202之后，在所述压电基底200上形成钝化层203，局部覆盖所述第一连接部201，至少局部覆盖所述第二连接部206，以及覆盖所述叉指电极结构202，利用所述钝化层203对所述叉指电极结构202进行保护，防止在形成所述第一介质层204的过程中化学药品和水汽对所述叉指电极结构202造成腐蚀和氧化，进而提升器件的性能。通过先形成所述钝化层203再形成所述第一介质层204的制程顺序，能够有效避免高温沉积所述钝化层203而造成所述第一介质层204的材料挥发而造成机台污染，以此提升生产效率和器件良率。
68.相应的，本发明实施例中还提供一种声表面波滤波装置，请继续参考图8，包括：压电基底200；位于所述压电基底200上的若干第一连接部201、第二连接部206和若干叉指电极结构202，若干所述第一连接部201位于所述第二连接部206的两侧，所述第一连接部201与至少一个所述叉指电极结构202电连接，所述第二连接部206与至少一个所述叉指电极结构202电连接；位于所述压电基底200上的钝化层203，局部覆盖若干所述第一连接部201，至少局部覆盖所述第二连接部206，以及覆盖若干所述叉指电极结构202；第三连接部205，跨越所述第二连接部206，与位于所述第二连接部206两侧的至少两个所述第一连接部201通过至少两个所述第一连接部201暴露出的表面电连接。
69.在本实施例中，利用所述钝化层203对所述叉指电极结构202进行保护，防止后续制程中化学药品和水汽对所述叉指电极结构202造成腐蚀和氧化，进而提升器件的性能。
70.在本实施例中，还包括：位于所述第三连接部205和所述钝化层203之间的第一介质层204。
71.所述叉指电极结构202、所述第二连接部206和所述第一连接部201的材料包括：铝、铜、镁、铬、钴、钨、铂、钼、铑和金中的一种或多种。在本实施例中，所述叉指电极结构202、所述第二连接部206和所述第一连接部201的材料包括钼和铝。
72.在本实施例中，所述钝化层203采用双层结构；在其他实施例中，所述钝化层还可以为单层结构或三层及以上结构。
73.所述钝化层203的材料包括：氧化硅、氮化硅、氧化铝和氮化铝中的一种或多种。在本实施例中，位于下侧的所述钝化层203的材料采用氮化硅，用于保护所述叉指电极结构202免受外界水汽的影响，位于上侧的所述钝化层203的材料采用氧化硅，用于器件的频率调控。
74.所述第一介质层204的材料包括：聚酰亚胺、氧化硅、氮化硅、氧化铝或氮化铝。在本实施例中，所述第一介质层204的材料采用聚酰亚胺。
75.在本实施例中，所述第三连接部205采用四层结构。在其他实施例中，所述第二连接部还可以采用少于四层或高于四层的结构。
76.在本实施例中，所述第三连接部205的材料包括：铝、铜、金、钛、铂、镁、镍铬合金和钛钨合金中的一种或多种。在本实施例中，位于所述第三连接部205最底的第一层的材料为钛；位于所述第一层上的第二层的材料采用铝；位于所述第二层上的第三层的材料采用铂；位于所述第三层上的第四层的材料采用金。其中，钛材料用于加强所述第一连接部201与所
述第三连接部205之间的粘附力；铂材料作为阻挡层，用于防止铝材料和金材料的相互扩散；金材料可以提高芯片封装植金球时的可靠性。
77.在本实施例中，还包括：若干第一通孔，贯穿所述钝化层203，暴露出至少两个所述第一连接部201的部分表面，所述第三连接部205通过所述第一通孔与所述第一连接部201接触。
78.图9至图13示出了本发明另一实施例中声表面波滤波装置的形成方法各步骤结构示意图。
79.本实施例是在上述实施例中声表面波滤波装置的基础(图3)上继续对声表面波滤波装置进行说明，本实施例和上述实施例的不同点在于：还在所述压电基底上形成电容。以下将结合附图进行具体说明。
80.请参考图9和图10，图10是图9中沿c-c线截面示意图，在型所述第一连接部201、所述第二连接部206和所述叉指电极结构202的过程中，在所述压电基底200上形成第一电极层301。
81.在本实施例中，在所述压电基底200上形成第一电极层301的方法包括：形成第一金属层(未图示)，位于所述压电基底200上方；对所述第一金属层进行图形化处理，形成所述第一连接部201、所述第二连接部206、所述叉指电极结构202以及所述第一电极层301。
82.在本实施例中，所述第一连接部201、所述第二连接部206、叉指电极结构202和第一电极层301的材料具体请参考图4和图5的相关说明所述，在此将不再进行赘述。
83.需要说明的是，由于额外形成了所述第一电极层301，因此通过对图4和图5中的所述图形化工艺处理进行相应的调整即可。
84.请参考图11，图11和图10的视图方向一致，在所述压电基底200上形成钝化层203，局部覆盖若干所述第一连接部201，至少局部覆盖所述第二连接部206，以及覆盖若干所述叉指电极结构202。
85.在本实施例中，所述钝化层203还覆盖所述第一电极层301的表面。
86.在本实施例中，所述钝化层203的形成方法、结构以及材料具体参考图6相关的说明所述，在此将不再进行赘述。
87.请参考图12，在形成所述第一介质层204的过程中，在所述第一电极层301上方的所述钝化层203形成第二介质层302。
88.在本实施例中，在所述第一电极层301上方的所述钝化层203上形成第二介质层302的方法包括：形成介质材料层(未图示)，位于所述钝化层203上方；对所述介质材料层进行图形化处理，形成所述第一介质层204及所述第二介质层302。
89.在本实施例中，所述第一介质层204和第二介质层302的材料具体请参考图7的相关说明所述，在此将不再进行赘述。
90.需要说明的是，由于额外形成了所述第二介质层302，因此通过对图7中的所述图形化工艺处理进行相应的调整即可。
91.请参考图13，在形成所述第三连接部205的过程中，在所述第二介质层302上形成第二电极层303；由所述第一电极层301、所述第二电极层303以及位于所述第一电极层301与所述第二电极层303之间的所述钝化层203和所述第二介质层302形成电容。
92.在本实施例中，在所述第二介质层302上形成第二电极层303的方法包括：形成第
二金属层(未图示)，位于所述钝化层203、所述第一介质层204及所述第二介质层302上方；对所述第二金属层进行图形化处理，形成所述第三连接部205以及所述第二电极层303。
93.在本实施例中，所述第三连接部205和所述第二电极层303的材料具体请参考图8的相关说明所述，在此将不再进行赘述。
94.需要说明的是，由于额外形成了所述第二电极层303，因此通过对图8中的所述图形化工艺处理进行相应的调整即可。
95.在本实施例中，在利用固有制程的过程中形成所述电容，整合了制作工艺，提高了制程效率。
96.相应的，本发明实施例中还提供一种声表面波滤波装置，请继续参考图13，包括：压电基底200；位于所述压电基底200上的若干第一连接部201、第二连接部206和若干叉指电极结构202，若干所述第一连接部201位于所述第二连接部206的两侧，所述第一连接部201与至少一个所述叉指电极结构202电连接，所述第二连接部206与至少一个所述叉指电极结构202电连接；位于所述压电基底200上的钝化层203，局部覆盖若干所述第一连接部201，至少局部覆盖所述第二连接部206，以及覆盖若干所述叉指电极结构202；第三连接部205，跨越所述第二连接部206，与位于所述第二连接部206两侧的至少两个所述第一连接部201通过至少两个所述第一连接部201暴露出的表面电连接；位于所述压电基底200上的第一电极层301，所述钝化层203覆盖所述第一电极层301；位于所述第一电极层301上方的所述钝化层203上的第二介质层302；位于所述第二介质层302上的第二电极层303；由所述第一电极层301、所述第二电极层303以及位于所述第一电极层301与所述第二电极层303之间的所述钝化层203及所述第二介质层302构成电容。
97.在本实施例中，还包括：位于所述第三连接部205和所述钝化层203之间的第一介质层204。
98.图14至图18示出了本发明另一实施例中声表面波滤波装置的形成方法各步骤结构示意图。
99.本实施例是在上述实施例中声表面波滤波装置的基础(图3)上继续对声表面波滤波装置进行说明，本实施例和上述实施例的不同点在于：还在所述压电基底上形成电感。以下将结合附图进行具体说明。
100.请参考图14和图15，图15是图14中沿d-d线截面示意图，在形成所述第一连接部201、所述第二连接部206和所述叉指电极结构202的过程中，在所述压电基底200上形成电感401。
101.在本实施例中，所述第一连接部201、所述第二连接部206、所述叉指电极结构202和所述电感401的形成方法、以及所述第一连接部201、所述第二连接部206、所述叉指电极结构202和所述电感401的材料具体请参考图4和图15的相关说明所述，在此将不再进行赘述。
102.需要说明的是，由于额外形成了所述电感401，因此通过对图4和图5中的所述图形化工艺处理进行相应的调整即可。
103.请参考图16，图16和图15的视图方向一致，在所述压电基底200上形成钝化层203，局部覆盖若干所述第一连接部201，至少局部覆盖所述第二连接部206，以及覆盖若干所述叉指电极结构202。
104.在本实施例中，所述钝化层203的形成方法、以及所述钝化层203的材料具体请参考图6的相关说明所述，在此将不再进行赘述。
105.需要说明的是，所述钝化层203还形成于所述电感401的表面。
106.请参考图17，在覆盖所述第一连接部201的所述钝化层203上形成第一介质层204。
107.在本实施例中，所述第一介质层204的形成方法、以及所述第一介质层204的材料具体请参考图7的相关说明所述，在此将不再进行赘述。
108.请参考图18，形成第三连接部205，跨越所述第二连接部206，与位于所述第二连接部206两侧的至少两个所述第一连接部201通过至少两个所述第一连接部201暴露出的表面电连接。
109.在本实施例中，所述第三连接部205的形成方法、以及所述第三连接部205的材料具体请参考图8的相关说明所述，在此将不再进行赘述。
110.需要说明的是，所述电感401的电连接可以通过在位于所述电感401上的所述钝化层203开孔，通过在形成所述第三连接部205的过程中将所述电感401引出。
111.在本实施例中，在利用固有制程的过程中形成所述电感401，整合了制作工艺，提高了制程效率。
112.相应的，本发明实施例中还提供一种声表面波滤波装置，请继续参考图18，包括：压电基底200；位于所述压电基底200上的若干第一连接部201、第二连接部206和若干叉指电极结构202，若干所述第一连接部201位于所述第二连接部206的两侧，所述第一连接部201与至少一个所述叉指电极结构202电连接，所述第二连接部206与至少一个所述叉指电极结构202电连接；位于所述压电基底200上的钝化层203，局部覆盖若干所述第一连接部201，至少局部覆盖所述第二连接部206，以及覆盖若干所述叉指电极结构202；第三连接部205，跨越所述第二连接部206，与位于所述第二连接部206两侧的至少两个所述第一连接部201通过至少两个所述第一连接部201暴露出的表面电连接；位于所述压电基底200上的电感401。
113.在本实施例中，还包括：位于所述第三连接部205和所述钝化层203之间的第一介质层204。
114.图19示出了本发明另一实施例中声表面波滤波装置的形成方法各步骤结构示意图。
115.本实施例是在上述实施例中声表面波滤波装置的基础(图8)上继续对声表面波滤波装置进行说明，本实施例和上述实施例的不同点在于：去除所述第一介质层。以下将结合附图进行具体说明。
116.请参考图19，去除所述第一介质层204，在所述第三连接部205和所述钝化层203之间形成空腔501。
117.在本实施例中，通过形成的空腔501能够形成更好的电学隔离效果。
118.相应的，本发明实施例中还提供一种声表面波滤波装置，请继续参考图19，包括：压电基底200；位于所述压电基底200上的若干第一连接部201、第二连接部206和若干叉指电极结构202，若干所述第一连接部201位于所述第二连接部206的两侧，所述第一连接部201与至少一个所述叉指电极结构202电连接，所述第二连接部206与至少一个所述叉指电极结构202电连接；位于所述压电基底200上的钝化层203，局部覆盖若干所述第一连接部
201，至少局部覆盖所述第二连接部206，以及覆盖若干所述叉指电极结构202；第三连接部205，跨越所述第二连接部206，与位于所述第二连接部206两侧的至少两个所述第一连接部201通过至少两个所述第一连接部201暴露出的表面电连接；位于第三连接部205和所述钝化层203之间的空腔501。
119.在本实施例中，通过形成的空腔501能够形成更好的电学隔离效果。
120.虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。