未选定子块的编程依赖偏置的制作方法

技术特征：
1.一种装置，所述装置包括：控制电路，所述控制电路被配置为连接到第一竖直子块的第一字线和第二竖直子块的第二字线，所述第一竖直子块和所述第二竖直子块包括串联连接在nand串中的存储器单元，每个nand串包括与连接到所述第二字线的存储器单元串联的耦接到所述第一字线的存储器单元，所述控制电路被配置为：沿着所述第一竖直子块的选定第一字线编程或感测存储器单元，同时向所述第二竖直子块的连接到编程存储器单元的一个或多个第二字线施加第一电压，以及向所述第二竖直子块的连接到未编程存储器单元的一个或多个第二字线施加第二电压。2.根据权利要求1所述的装置，其中：所述控制电路被进一步配置为识别位于所述第二竖直子块的连接到编程存储器单元的第二字线与连接到未编程存储器单元的第二字线之间的边界。3.根据权利要求2所述的装置，其中：所述控制电路被进一步配置为通过在所述第二字线的二进制搜索中感测所述第二竖直子块的第二字线来识别所述边界。4.根据权利要求2所述的装置，其中：所述控制电路被进一步配置为通过在所述第二字线的顺序搜索中感测所述第二竖直子块的第二字线来识别所述边界。5.根据权利要求1所述的装置，其中：所述第一电压是过驱动电压，所述过驱动电压足以接通被编程到所有数据状态的存储器单元，并且所述第二电压是旁路电压，所述旁路电压足以接通未编程存储器单元，但不足以接通被编程到一个或多个数据状态的存储器单元。6.根据权利要求5所述的装置，其中：所述控制电路被进一步配置为向所述第一竖直子块的未选定第一字线施加第三电压，所述第三电压是过驱动电压，所述过驱动电压足以接通被编程到所有数据状态的存储器单元，并且所述第三电压大于所述第一电压。7.根据权利要求6所述的装置，其中：所述控制电路被进一步配置为沿着所述第一竖直子块的所选定第一字线对所述存储器单元进行编程，同时施加约6伏至8伏的第一电压、约4伏至6伏的第二电压和约8伏至10伏的第三电压。8.根据权利要求6所述的装置，其中：所述控制电路被进一步配置为沿着所述第一竖直子块的所选定第一字线感测所述存储器单元，同时施加约6伏至8伏的第一电压、约2伏至4伏的第二电压和约6伏至8伏的第三电压。9.根据权利要求1所述的装置，其中：所述控制电路被进一步配置为独立地擦除所述第一竖直子块和所述第二竖直子块，并且被配置为将逻辑上不相关的数据分配给所述第一竖直子块和所述第二竖直子块，使得所述第一竖直子块和所述第二竖直子块的写入擦除周期计数彼此独立。10.一种方法，所述方法包括：在包括延伸穿过两个或更多个竖直子块的nand串的非易失性存储器阵列中，识别连接
到选定竖直子块的一个或多个未选定竖直子块；查找位于所述一个或多个未选定竖直子块的编程部分与未编程部分之间的边界；以及在对所选定竖直子块中的非易失性存储器单元进行编程或感测期间，向所述未选定竖直子块的在所述编程部分中的字线施加第一电压，以及向所述未选定竖直子块的在所述未编程部分中的字线施加第二电压。11.根据权利要求10所述的方法，其中所述第一电压高于所述第二电压。12.根据权利要求11所述的方法，还包括：在对所述非易失性存储器单元进行编程期间，向所选定竖直子块的选定字线施加一个或多个编程脉冲，同时向所选定竖直子块的未选定字线施加第三电压，所述第三电压高于所述第一电压和所述第二电压。13.根据权利要求11所述的方法，还包括：在感测所述非易失性存储器单元时，向所选定竖直子块的未选定字线施加第三电压，所述第三电压等于或大于所述第一电压。14.根据权利要求10所述的方法，还包括：在编程或感测期间，向连接到编程的非易失性存储器单元的字线施加所述第一电压，以及向一个或多个附加竖直子块中的连接到未编程的非易失性存储器单元的字线施加所述第二电压，所述一个或多个附加竖直子块与所选定竖直子块共享所述nand串。15.根据权利要求10所述的方法，其中查找所述边界包括对所述未选定竖直子块的字线执行二进制搜索。16.根据权利要求10所述的方法，其中查找所述边界包括对所述未选定竖直子块的字线执行顺序搜索。17.一种非易失性存储设备，所述非易失性存储设备包括：存储器单元的多个nand串，每个nand串具有第一组数据存储器单元、第二组数据存储器单元和位于所述第一组数据存储器单元与所述第二组数据存储器单元之间的第一非数据晶体管；多个字线，所述多个字线连接到所述数据存储器单元，所述字线包括连接到所述第一组数据存储器单元的第一组数据字线和连接到所述第二组数据存储器单元的第二组数据字线；和用于以下的装置：在所述第一组数据字线的选定字线上施加读取电压或编程脉冲，以沿着所选定字线读取或编程存储器单元，同时向所述第二组数据字线中的所有编程数据字线施加过驱动电压，以及向所述第二组数据字线中的所有未编程数据字线施加旁路电压。18.根据权利要求17所述的非易失性存储设备，还包括用于以下的装置：通过以串行或二进制搜索模式来搜索所述第二组数据字线，从而识别所述第二组数据字线中的编程数据字线和未编程数据字线。19.根据权利要求17所述的非易失性存储设备，其中：所述多个nand串中的每个nand串还包括至少第三组数据存储器单元和位于所述第二组数据存储器单元与所述第三组数据存储器单元之间的第二非数据晶体管；并且所述多个字线还包括连接到所述第三组数据存储器单元的第三组数据字线。20.根据权利要求17所述的非易失性存储设备，其中：
所述过驱动电压为约7伏，并且所述旁路电压在约3伏至约5伏的范围内。

技术总结
一种装置包括控制电路，该控制电路被配置为连接到第一竖直子块的第一字线和第二竖直子块的第二字线。第一竖直子块和第二竖直子块包括串联连接在NAND串中的存储器单元，每个NAND串包括与连接到第二字线的存储器单元串联的耦接到第一字线的存储器单元。该控制电路被配置为沿着第一竖直子块的选定第一字线编程或感测存储器单元，同时向连接到编程存储器单元的第二字线施加第一电压，以及向连接到未编程存储器单元的第二字线施加第二电压。编程存储器单元的第二字线施加第二电压。编程存储器单元的第二字线施加第二电压。


技术研发人员：杨翔 D
受保护的技术使用者：桑迪士克科技有限责任公司
技术研发日：2022.05.20
技术公布日：2023/3/10