能够补偿电流泄漏的半导体集成电路器件及操作其的方法与流程

技术特征：
1.一种半导体集成电路器件，包括：电流泄漏检测器，其将内部电压信号与具有不同电平的多个参考电压信号相比较以生成多个电流泄漏状态信号；泄漏补偿脉冲发生器，其基于所述多个电流泄漏状态信号和温度状态信号来生成偏置电平补偿信号；以及泄漏补偿电压发生器，其基于所述偏置电平补偿信号来生成所述内部电压信号。2.如权利要求1所述的半导体集成电路器件，其中，所述电流泄漏检测器包括至少一个比较器，所述至少一个比较器将所述内部电压信号与所述参考电压信号相比较以生成所述多个电流泄漏状态信号。3.如权利要求1所述的半导体集成电路器件，其中，所述泄漏补偿脉冲发生器基于所述多个电流泄漏状态信号来控制所述偏置电平补偿信号的时钟脉冲的宽度，以及基于所述温度状态信号控制所述偏置电平补偿信号的时钟脉冲的周期以生成所述偏置电平补偿信号。4.如权利要求1所述的半导体集成电路器件，其中，所述泄漏补偿脉冲发生器包括：时钟脉冲发生器，其接收所述多个电流泄漏状态信号，以及控制时钟脉冲信号的宽度以输出所述时钟脉冲信号；计数器，其接收所述时钟脉冲信号，以及将所述时钟脉冲信号分频以生成具有不同周期的分频时钟脉冲信号；以及时钟脉冲选择器，其接收所述分频时钟脉冲信号，基于所述温度状态信号和所述分频时钟脉冲信号来生成多个时钟信号，以及输出所述时钟信号中的任一个作为所述偏置电平补偿信号。5.如权利要求4所述的半导体集成电路器件，其中，所述时钟脉冲发生器包括环形振荡器，所述环形振荡器接收所述多个电流泄漏状态信号，以及通过振荡操作控制所述时钟脉冲信号的宽度以输出所述时钟脉冲信号。6.如权利要求4所述的半导体集成电路器件，其中，所述计数器包括多个计数器，所述多个计数器接收所述时钟脉冲信号以及将所述时钟脉冲信号分频以生成具有不同周期的所述分频时钟脉冲信号。7.如权利要求4所述的半导体集成电路器件，其中，所述时钟脉冲选择器包括：多个逻辑门，其接收具有不同周期的所述分频时钟脉冲信号以生成具有不同周期的时钟信号；以及多路复用器，其基于所述温度状态信号来选择所述时钟信号中的任一个，以及输出所选择的时钟信号作为所述偏置电平补偿信号。8.如权利要求1所述的半导体集成电路器件，其中，所述泄漏补偿电压发生器在激活模式中周期性地生成处于恒定电平的所述内部电压信号，以及在掉电/备用模式中基于所述偏置电平补偿信号周期性地生成所述内部电压信号。9.一种半导体集成电路器件，包括：泄漏补偿电压发生器，其在激活模式中周期性地生成内部电压信号，以及在掉电/备用模式中基于偏置电平补偿信号的时钟脉冲周期性地生成所述内部电压信号；电流泄漏检测器，其接收所述内部电压信号和多个参考电压信号，以及将所述内部电压信号与所述参考电压信号相比较以生成多个电流泄漏状态信号；以及
泄漏补偿脉冲发生器，其接收所述多个电流泄漏状态信号和温度状态信号，以及控制所述偏置电平补偿信号的时钟脉冲的宽度和周期。10.如权利要求9所述的半导体集成电路器件，其中，所述泄漏补偿电压发生器在激活模式中周期性地生成处于恒定电平的所述内部电压信号，以及在掉电/备用模式中基于所述偏置电平补偿信号周期性地生成所述内部电压信号。11.如权利要求9所述的半导体集成电路器件，其中，所述电流泄漏检测器包括比较器，所述比较器将所述内部电压信号与所述参考电压信号相比较以生成所述电流泄漏状态信号。12.如权利要求9所述的半导体集成电路器件，其中，所述泄漏补偿脉冲发生器基于所述电流泄漏状态信号来控制所述偏置电平补偿信号的时钟脉冲的宽度，以及基于所述温度状态信号来控制所述偏置电平补偿信号的时钟脉冲的周期以生成所述偏置电平补偿信号。13.如权利要求9所述的半导体集成电路器件，其中，所述泄漏补偿脉冲发生器包括：时钟脉冲发生器，其接收所述多个电流泄漏状态信号，以及控制所述时钟脉冲信号的宽度以输出所述时钟脉冲信号；计数器，其接收所述时钟脉冲信号，以及将所述时钟脉冲信号分频以生成具有不同周期的分频时钟脉冲信号；以及时钟脉冲选择器，其接收所述分频时钟脉冲信号，基于所述温度状态信号和所述分频时钟脉冲信号来生成多个时钟信号，以及输出所述时钟信号中的任一个作为所述偏置电平补偿信号。14.如权利要求13所述的半导体集成电路器件，其中，所述时钟脉冲选择器包括：多个逻辑门，其接收具有不同周期的所述分频时钟脉冲信号以生成具有不同周期的时钟信号；以及多路复用器，其基于所述温度状态信号来选择所述时钟信号中的任一个，以及输出所选择的时钟信号作为所述偏置电平补偿信号。15.如权利要求13所述的半导体集成电路器件，其中，所述计数器包括多个计数器，所述多个计数器接收所述时钟脉冲信号以及将所述时钟脉冲信号分频以生成具有不同周期的所述分频时钟脉冲信号。16.如权利要求13所述的半导体集成电路器件，其中，所述时钟脉冲选择器接收具有不同周期的所述分频时钟脉冲信号，基于所述温度状态信号来选择所述时钟信号中的任一个，以及输出所选择的时钟信号作为所述偏置电平补偿信号。17.一种在半导体集成电路器件中补偿电流泄漏的方法，所述方法包括：将内部电压信号与参考电压信号相比较以生成电流泄漏状态信号；基于所述电流泄漏状态信号和温度状态信号来控制偏置电平补偿信号的时钟脉冲的宽度和周期；以及基于所述偏置电平补偿信号来生成内部电压。18.如权利要求17所述的方法，其中，生成所述电流泄漏状态信号包括：将所述内部电压信号与所述参考电压信号相比较；以及当所述内部电压信号低于所述参考电压信号时，使能所述电流泄漏状态信号。19.如权利要求17所述的方法，其中，控制所述偏置电平补偿信号的时钟脉冲包括：
基于所述电流泄漏状态信号来控制所述偏置电平补偿信号的时钟脉冲的宽度；以及基于所述温度状态信号来控制所述偏置电平补偿信号的时钟脉冲的周期。20.如权利要求17所述的方法，其中，基于所述偏置电平补偿信号来生成所述内部电压包括：基于掉电信号的互补信号或所述偏置电平补偿信号在掉电/备用模式中周期性地生成其中电流泄漏被补偿的所述内部电压信号，以及基于所述偏置电平补偿信号在激活模式中周期性地生成处于恒定电平的所述内部电压信号。

技术总结
本申请公开了半导体集成电路器件及操作其的方法。该半导体集成电路器件包括电流泄漏检测器、泄漏补偿脉冲发生器以及泄漏补偿电压发生器。电流泄漏检测器被配置为将内部电压信号与具有不同电平的多个参考电压信号相比较以生成电流泄漏状态信号。泄漏补偿脉冲发生器被配置为基于电流泄漏状态信号和温度状态信号来生成偏置电平补偿信号。泄漏补偿电压发生器被配置为基于偏置电平补偿信号来生成内部电压信号。电压信号。电压信号。


技术研发人员：吴敏煜 白昶基
受保护的技术使用者：爱思开海力士有限公司
技术研发日：2022.05.19
技术公布日：2023/3/10