使用大规模集成高压振荡电路引发核聚变反应的方法与流程

1.本发明涉及引发核聚变反应和对核聚变能的利用。


背景技术：

2.引发核聚变反应、振荡电路，大规模集成电路。


技术实现要素：

3.大规模集成“高压振荡电路”每个“高压振荡电路”可以非常小，尺寸可以只有几厘米或几毫米或几微米或几纳米大小，可以像现在的大规模集成电路芯片内部电路单元一样小，集成数量可以是几百个或几千或和几亿或几百亿个或更多；集成的“高压振荡电路”发出的射线，使其汇集到面积上尽可能小的一个点，把这个点对准氘、氚、氦3等物质，引发这些被对准物质产生核聚变反应的方法。
4.大规模集成“能产生射线的电路”，每个“能产生射线的电路”可以非常小，尺寸可以只有几厘米或几毫米或几微米或几纳米大小，可以像现在的大规模集成电路芯片内部电路单元一样小，集成数量可以是几百个或几千或和几亿或几百亿个或更多；集成的“能产生射线的电路”发出的射线，使其汇集到面积上尽可能小的一个点，把这个点对准氘、氚、氦3等物质，引发这些被对准物质产生核聚变反应的方法。
5.大规模集成“能产生射线的装置”，每个“能产生射线的装置”可以非常小，尺寸可以只有几厘米或几毫米或几微米或几纳米大小，可以像现在的大规模集成电路芯片内部电路单元一样小，集成数量可以是几百个或几千或和几亿或几百亿个或更多；集成的“能产生射线的装置”发出的射线，使其汇集到面积上尽可能小的一个点，把这个点对准氘、氚、氦3等物质，引发这些被对准物质产生核聚变反应的方法。
6.使用现在制造大规模集成电路芯片的技术，制造大规模集成“高压振荡电路”芯片，芯片内的“高压振荡电路”发出的高能射线使其汇集到面积上尽可能小的一个点，把这个点对准物质，引发被对准物质产生核聚变反应的方法。
7.使用现在制造大规模集成电路芯片的技术，制造大规模集成“能产生射线的电路”芯片，芯片内的“能产生射线的电路”发出的射线使其汇集到面积上尽可能小的一个点，把这个点对准物质，引发被对准物质产生核聚变反应的方法。
8.使用现在制造大规模集成电路芯片的技术，制造大规模集成“能产生射线的装置”芯片，芯片内的“能产生射线的装置”发出的射线使其汇集到面积上尽可能小的一个点，把这个点对准物质，引发被对准物质产生核聚变反应的方法。
9.根据大规模集成“高压振荡电路”发出的高能射线汇集到点的能量强度，选择相应的物质，使得对准的这个物质能产生核聚变反应。
10.根据大规模集成“能产生射线的电路”发出的射线汇集到点的能量强度，选择相应的物质，使得对准的这个物质能产生核聚变反应。
11.根据大规模集成“能产生射线的装置”发出的射线汇集到点的能量强度，选择相应
的物质，使得对准的这个物质能产生核聚变反应。
12.大规模集成“高压振荡电路”的每个“高压振荡电路”的尺寸大小和集成数量，可以根据引发不同物质核聚变反应所需要的能量强度进行调整。
13.大规模集成“能产生射线的电路”的每个“能产生射线的电路”的尺寸大小和集成数量，可以根据引发不同物质核聚变反应所需要的能量强度进行调整。
14.大规模集成“能产生射线的装置”的每个“能产生射线的装置”的尺寸大小和集成数量，可以根据引发不同物质核聚变反应所需要的能量强度进行调整。
15.根据本公开方法产生射线点的强度，选择相应的物质，使得能引发被射线对准的物质的核聚变反应。
16.使用一个或多个大规模集成“高压振荡电路”芯片，这些一个或多个大规模集成“高压振荡电路”芯片发出的射线使其汇集到面积上尽可能小的一个点，把这个点对准物质，引发被对准物质产生核聚变反应的方法。
17.使用一个或多个大规模集成“能产生射线的电路”芯片，这些一个或多个大规模集成“能产生射线的电路”芯片发出的射线使其汇集到面积上尽可能小的一个点，把这个点对准物质，引发被对准物质产生核聚变反应的方法。
18.使用一个或多个大规模集成“能产生射线的装置”芯片，这些一个或多个大规模集成“能产生射线的装置”芯片发出的射线使其汇集到面积上尽可能小的一个点，把这个点对准物质，引发被对准物质产生核聚变反应的方法。
19.本公开方法适用于引发所有物质的核聚变反应。
20.本公开所说的射线，包括各种频率的光线，或者各种放射性核素，或者原子、电子、中子等粒子在能量交换过程中发射出的、具有特定能量的粒子束或光子束流。
附图说明
21.图1：具体实施方式用图。
22.a：表示一个大规模集成“高压振荡电路”芯片或大规模集成“能产生射线的电路”芯片或大规模集成“能产生射线的装置”芯片。
23.b：大规模集成“高压振荡电路”芯片或大规模集成“能产生射线的电路”芯片或大规模集成“能产生射线的装置”芯片发出的射线。
24.c：被射线引发核聚变反应的物质。
25.图2：具体实施方式用图。
26.a：表示一个大规模集成“高压振荡电路”芯片或大规模集成“能产生射线的电路”芯片或大规模集成“能产生射线的装置”芯片。
27.b：表示一个大规模集成“高压振荡电路”芯片或大规模集成“能产生射线的电路”芯片或大规模集成“能产生射线的装置”芯片。
28.c：表示一个大规模集成“高压振荡电路”芯片或大规模集成“能产生射线的电路”芯片或大规模集成“能产生射线的装置”芯片。
29.d：a、b、c大规模集成“高压振荡电路”芯片或大规模集成“能产生射线的电路”芯片或大规模集成“能产生射线的装置”芯片发出的射线。
30.e：被射线引发核聚变反应的物质。
31.图3：具体实施方式用图。
32.a：表示一个大规模集成“高压振荡电路”芯片或大规模集成“能产生射线的电路”芯片或大规模集成“能产生射线的装置”芯片引发核聚变方法，1千万吨tnt当量的引爆核聚变装置。
33.b：半个罐体内装载的21亿吨水。
34.c：直径2千米的罐体。
35.d：地平线。
36.e：储能塔。
37.f：发电厂房。
具体实施方式
38.具体实施方式1：如图1所述，一个大规模集成“高压振荡电路”芯片或大规模集成“能产生射线的电路”芯片或大规模集成“能产生射线的装置”芯片（a）发出无数条射线（b），并把射线的焦点对准物质（c），然后引发物质（c）的核聚变反应。
39.具体实施方式2：如图2所述，3个大规模集成“高压振荡电路”芯片或大规模集成“能产生射线的电路”芯片或大规模集成“能产生射线的装置”芯片（a、b、c）发出无数条射线（d），并把射线的焦点对准物质（e），然后引发物质（e）的核聚变反应。
40.具体实施方式3：如图3所述，建造一个直径2千米的罐体（c），在罐体内放入传热介质21亿吨的水（b），并将大规模集成“高压振荡电路”芯片或大规模集成“能产生射线的电路”芯片或大规模集成“能产生射线的装置”芯片引爆核聚变反应的装置（a）放入罐体内并用传热价质水（b）将装置（a）包裹，然后装置（a）引爆核聚变反应，核聚变反应的能量摧毁装置（a）并加热传热介质水（b），然后通过核聚变反应产生的压力通过管道把传热介质水（b）输送到储能塔（e），储能塔能过管道把传热介质（b）输送到发电厂房，发电厂房使用传热介质（b）的势能和热能进行发电。