基片处理装置和基片处理装置的维护方法与流程

1.本发明的例示的实施方式涉及基片处理装置和基片处理装置的维护方法。


背景技术：

2.基片处理装置(也称为基板处理装置)用于对基片(也称为基板)进行的处理。基片处理装置具有腔室和基片支承器。基片支承器在腔室内支承基片。基片在腔室内被处理。在作为基片处理装置的一种的等离子体处理装置中，在腔室内利用来自由处理气体生成的等离子体的化学物类(chemical species)对基片进行处理。下述的专利文献1公开了这样的等离子体处理装置。
3.现有技术文献
4.专利文献
5.专利文献1：日本特开2019-197849号公报


技术实现要素：

6.发明要解决的技术问题
7.本发明提供一种能够容易地维护基片处理装置的内壁部件的技术。
8.用于解决技术问题的技术手段
9.在一个例示的实施方式中，提供一种基片处理装置。基片处理装置包括腔室、基片支承器、支承部件、内壁部件、接触部件和致动器。腔室包括提供开口的侧壁。基片支承器设置于腔室内。支承部件设置在基片支承器的上方。内壁部件包括能够配置于基片支承器的上方且支承部件的下方的顶部。接触部件安装于支承部件和内壁部件中的一者。接触部件构成为，通过对支承部件和内壁部件中的另一者施加水平方向的弹簧反作用力，将内壁部件可拆装地固定于支承部件。致动器构成为使内壁部件向下方移动而解除内壁部件相对于支承部件的固定。
10.发明效果
11.根据一个例示的实施方式，能够容易地维护基片处理装置的内壁部件。
附图说明
12.图1是表示一个例示的实施方式的基片处理系统的图。
13.图2是概略地表示一个例示的实施方式的基片处理装置的图。
14.图3是一个例示的实施方式的基片处理装置的局部放大截面图。
15.图4是一个例示的实施方式的基片处理装置的局部放大截面图。
16.图5是表示一个例示的实施方式的基片处理装置中的一例的接触部件的俯视图(平面图)。
17.图6是表示一个例示的实施方式的基片处理装置中的另一例的接触部件的俯视图。
18.图7是表示进行一个例示的实施方式的维护方法时的基片处理装置的状态的图。
19.图8是表示进行一个例示的实施方式的维护方法时的基片处理装置的状态的图。
20.图9是表示进行一个例示的实施方式的维护方法时的基片处理装置的状态的图。
21.图10是表示进行一个例示的实施方式的维护方法时的基片处理装置的状态的图。
22.图11是表示进行一个例示的实施方式的维护方法时的基片处理装置的状态的图。
23.图12是表示进行一个例示的实施方式的维护方法时的基片处理装置的状态的图。
24.图13是另一例示的实施方式的支承部件、内壁部件和接触部件的局部放大截面图。
25.图14是又一例示的实施方式的支承部件、内壁部件和接触部件的局部放大截面图。
26.图15是又一例示的实施方式的支承部件、内壁部件和接触部件的局部放大截面图。
27.图16是概略地表示另一例示的实施方式的基片处理装置的图。
28.图17是概略地表示又一例示的实施方式的基片处理装置的图。
29.图18中，图18的(a)和图18的(b)分别是将又一例示的实施方式的基片处理装置中的接触机构的一部分放大表示的俯视图。
30.图19是概略地表示又一例示的实施方式的基片处理装置的图。
31.图20是又一例示的实施方式的基片处理装置中的接触机构的局部放大截面图。
32.图21是概略地表示又一例示的实施方式的基片处理装置的图。
33.图22是将又一例示的实施方式的基片处理装置中的接触机构的一部分放大表示的立体图。
34.图23是概略地表示又一例示的实施方式的基片处理装置的图。
35.图24是又一例示的实施方式的基片处理装置中的接触机构的局部放大截面图。
36.图25是又一例示的实施方式的接触机构的局部放大截面图。
37.图26是概略地表示又一例示的实施方式的基片处理装置的图。
38.图27中，图27的(a)和图27的(b)分别是又一例示的实施方式的基片处理装置中的接触机构的局部放大截面图。
39.图28是概略地表示又一例示的实施方式的基片处理装置的图。
40.图29是又一例示的实施方式的基片处理装置的局部放大截面图。
41.图30是又一例示的实施方式的基片处理装置的局部放大截面图。
42.图31是又一例示的实施方式的基片处理装置的局部放大截面图。
43.附图标记的说明
[0044]1…
基片处理装置
[0045]
10
…
腔室
[0046]
12
…
基片支承器
[0047]
14
…
支承部件
[0048]
16
…
内壁部件
[0049]
16c
…
顶部
[0050]
18
…
接触部件
[0051]
20
…
致动器(actuator)。
具体实施方式
[0052]
下面，参照附图，详细地说明各种例示的实施方式。其中，在各附图中，对相同或者相当的部分标注相同的附图标记。
[0053]
图1是表示一个例示的实施方式的基片处理系统的图。图1所示的基片处理系统ps包括处理组件(process module，也称为工艺组件)pm1～pm6、输送组件ctm和控制部mc。
[0054]
基片处理系统ps也可以还包括台2a～2d、容器4a～4d、对准器an、负载锁定组件(load lock module，也称为装载锁定组件)ll1、ll2和输送组件tm。其中，基片处理系统ps中的台的个数、容器的个数、负载锁定组件的个数可以是一个以上的任意个数。另外，基片处理系统ps中的处理组件的个数可以是一个以上的任意个数。
[0055]
台2a～2d沿装载组件(loader module)lm的一边缘排列。容器4a～4d分别装载在台2a～2d上。容器4a～4d分别例如是被称为foup(front opening unified pod：前开式晶圆传送盒)的容器。容器4a～4d分别构成为可在其内部收纳基片w。
[0056]
装载组件lm具有腔室。装载组件lm的腔室内的压力被设定为大气压。装载组件lm具有输送装置tu1。输送装置tu1例如是输送机械臂，由控制部mc控制。输送装置tu1构成为经由装载组件lm的腔室输送基片w。输送装置tu1能够在各个容器4a～4d与对准器(aligner，也称为定位器)an之间、对准器an与各个负载锁定组件ll1、ll2之间、各个负载锁定组件ll1、ll2与各个容器4a～4d之间输送基片w。对准器an与装载组件lm连接。对准器an构成为进行基片w的位置的调节(位置的校正)。
[0057]
负载锁定组件ll1和负载锁定组件ll2分别设置在装载组件lm与输送组件tm之间。负载锁定组件ll1和负载锁定组件ll2各自提供预备减压室。负载锁定组件ll1和负载锁定组件ll2各自经由闸阀与装载组件lm连接。另外，负载锁定组件ll1和负载锁定组件ll2各自经由闸阀与输送组件tm连接。
[0058]
输送组件tm具有能够减压的输送腔室tc。输送组件tm具有输送装置tu2。输送装置tu2例如是输送机械臂，由控制部mc控制。输送装置tu2构成为经由输送腔室tc输送基片w。输送装置tu2能够在各个负载锁定组件ll1、ll2与各个处理组件pm1～pm6之间、以及处理组件pm1～pm6中的任意两个处理组件之间输送基片w。
[0059]
处理组件pm1～pm6分别经由闸阀与输送组件tm连接。处理组件pm1～pm6各自是构成为进行专用的基片处理的装置。处理组件pm1～pm6中的至少一个处理组件是后述的例示的实施方式的基片处理装置。
[0060]
输送组件ctm具有腔室和输送装置。输送组件ctm由控制部mc控制。输送组件ctm构成为能够为了与基片处理装置的腔室连接而移动。另外，输送组件ctm构成为，将基片处理装置的腔室的内部空间和输送组件ctm的腔室的内部空间在这些内部空间减压了的状态下相互连接。输送组件ctm的输送装置具有输送臂ca(参照图7)。输送臂ca构成为在基片处理装置的腔室的内部空间与外部(在一例中为输送组件ctm的腔室的内部空间)之间输送基片处理装置的内壁部件。
[0061]
控制部mc构成为控制基片处理系统ps的各部分。控制部mc能够为具有处理器、存储装置、输入装置、显示装置等的计算机。控制部mc执行存储在存储装置中控制程序，基于
存储在该存储装置中的方案数据来控制基片处理系统ps的各部分。后述的例示的实施方式的维护方法能够通过控制部mc对基片处理系统ps的各部分的控制而在基片处理系统ps中执行。
[0062]
下面，参照图2～图4，对例示的实施方式的基片处理装置进行说明。图2是概略地表示一个例示的实施方式的基片处理装置的图。图3和图4各自是一个例示的实施方式的基片处理装置的局部放大截面图。图2～图4所示的基片处理装置1能够用作基片处理系统ps的一个以上的处理组件。
[0063]
基片处理装置1是电容耦合型的等离子体处理装置。基片处理装置1包括腔室10、基片支承器12、支承部件14、内壁部件16、一个以上的接触部件18和致动器20。
[0064]
腔室10在其内部提供内部空间。腔室10由铝等金属形成。腔室10电接地。可以在腔室10的表面上形成耐腐蚀性的膜。耐腐蚀性的膜，例如由氧化铝或氧化钇等材料形成。
[0065]
腔室10包括侧壁10s。侧壁10s具有大致圆筒形状。侧壁10s的中心轴线在铅垂方向上延伸，在图2中表示为轴线ax。侧壁10s提供通路10p。腔室10的内部空间可经由通路10p与输送组件tm的输送腔室tc的内部空间连接。通路10p能够通过闸阀10g进行开闭。基片w在腔室10的内部空间与腔室10的外部(即，输送腔室tc的内部空间)之间被输送时，通过通路10p。
[0066]
侧壁10s还提供开口10o。开口10o具有内壁部件16能够通过的尺寸。腔室10的内部空间能够经由开口10o与输送组件ctm的腔室的内部空间连接。开口10o能够通过闸阀10v进行开闭。
[0067]
腔室10可以还包括上部(也可称为上方部)10u。上部10u从侧壁10s的上端在与轴线ax交叉的方向延伸。上部10u在与轴线ax交叉的区域提供开口。
[0068]
基片处理装置1还包括排气装置11。排气装置11包括自动压力控制阀等压力调节器和涡轮分子泵等减压泵。排气装置11通过腔室10的底部而与腔室10的内部空间连接。
[0069]
基片支承器12设置于腔室10内。基片支承器12构成为可支承载置于其上的基片w。基片支承器12也可以包括基座22和静电吸盘24。基座22具有大致圆盘形状。基座22的中心轴线与轴线ax大致一致。基座22由铝等导体形成。基座22在其中提供流路22f。流路22f例如呈涡旋状地延伸。流路22f与冷却单元23连接。冷却单元23设置于腔室10的外部。冷却单元23将传热介质(例如制冷剂)供给到流路22f。供给到流路22f的传热介质，在流路22f中流动，回到冷却单元23。
[0070]
静电吸盘24设置在基座22上。静电吸盘24包括主体和吸盘电极。静电吸盘24的主体具有大致圆盘形状。静电吸盘24的中心轴线与轴线ax大致一致。静电吸盘24的主体由陶瓷形成。基片w载置在静电吸盘24的主体的上表面之上。吸盘电极是由导体形成的膜。吸盘电极设置在静电吸盘24的主体内。吸盘电极经由开关与直流电源连接。当来自直流电源的电压被施加到吸盘电极时，在静电吸盘24与基片w之间产生静电引力。因产生的静电引力，基片w被吸附在静电吸盘24，从而被静电吸盘24保持。基片处理装置1也可以提供向静电吸盘24与基片w的背面之间的间隙供给传热气体(例如氦气)的气体管线。
[0071]
基片支承器12也可以支承配置于其上的边缘环(edge ring)er。基片w在由边缘环er包围的区域内载置在静电吸盘24上。边缘环er例如由硅、石英、或碳化硅形成。
[0072]
基片处理装置1还可以包括绝缘部26。绝缘部26由石英等绝缘体形成。绝缘部26具
有大致筒形状。绝缘部26沿基座22的外周和静电吸盘24的外周延伸。
[0073]
基片处理装置1还可以包括导体部28。导体部28由铝等导体形成。导体部28具有大致筒形状。导体部28沿绝缘部26的外周面延伸。导体部28在绝缘部26的径向外侧在周向延伸。其中，径向和周向分别是以轴线ax为基准的方向。导体部28接地。在一例中，导体部28经由腔室10接地。导体部28也可以是腔室10的一部分。
[0074]
基片处理装置1还可以包括高频电源31和偏置电源32。高频电源31是产生源高频电力的电源。源高频电力具有适合生成等离子体的频率。源高频电力的频率例如是27mhz以上。高频电源31经由匹配器31m与基片支承器12内的电极电连接。高频电源31也可以与基座22电连接。匹配器31m具有用于使高频电源31的负载侧的阻抗与高频电源31的输出阻抗匹配的匹配电路。其中，高频电源31也可以与基片支承器12内的另外的电极电连接。或者，高频电源31可以经由匹配器31m与上部电极连接。
[0075]
偏置电源32是产生电偏置能量的电源。电偏置能量为了将离子从等离子体引入基片w而被供给到基片支承器12的电极。电偏置能量也可以是偏置高频电力。偏置高频电力的波形是具有偏置频率的正弦波。偏置频率例如为13.56mhz以下。在此情况下，偏置电源32经匹配器32m与基片支承器12的电极电连接。偏置电源32也可以与基座22电连接。匹配器32m具有用于使偏置电源32的负载侧的阻抗与偏置电源32的输出阻抗匹配的匹配电路。其中，偏置电源32也可以与基片支承器12内的另外的电极电连接。
[0076]
或者，电偏置能量也可以是以上述的偏置频率的倒数的时间间隔周期性地产生的电压的脉冲。电压的脉冲可以具有负极性。电压的脉冲也可以是从负的直流电压生成的脉冲。
[0077]
支承部件14设置于基片支承器12的上方。支承部件14设置于腔室10的上部10u的下方且侧壁10s的内侧。支承部件14构成为能够在腔室10内向上方和下方移动。
[0078]
基片处理装置1可以还包括升降机构34。升降机构34构成为可使支承部件14向上方和下方移动。升降机构34包括产生用于使支承部件14移动的动力的驱动装置(例如，电动机)。升降机构34也可以设置于腔室10的外部且上部10u之上或上方。
[0079]
基片处理装置1还可以包括波纹管36。波纹管36设置于支承部件14与上部10u之间。波纹管36将腔室10的内部空间与腔室10的外部隔开。波纹管36的下端固定于支承部件14。波纹管36的上端固定于上部10u。
[0080]
支承部件14具有大致圆盘形状。支承部件14的中心轴线是轴线ax。支承部件14由铝之类的导体形成。在一个实施方式中，支承部件14也可以构成电容耦合型等离子体处理装置的上部电极。在高频电源31与基片支承器12内的电极电连接着的情况下，支承部件14能够接地。在此情况下，支承部件14也可以经由连接部件37与腔室10的内壁面接触。
[0081]
在一个实施方式中，支承部件14也可以与内壁部件16的后述的顶部一起构成喷淋头(也可以称为喷头)。喷淋头构成为向腔室10内(或后述的处理空间s)供给气体。在该实施方式中，支承部件14提供(即，具有)气体扩散室14d和多个气体孔14h。
[0082]
气体扩散室14d形成在支承部件14中。气体供给部38与气体扩散室14d连接。气体供给部38设置于腔室10的外部。气体供给部38包括在基片处理装置1使用的一个以上的气体源、一个以上的流量控制器和一个以上的阀。一个以上的气体源分别经对应的流量控制器和对应的阀而与气体扩散室14d连接。多个气体孔14h从气体扩散室14d向下方延伸。
[0083]
在一个实施方式中，支承部件14也可以在其中提供流路14f。流路14f与冷却单元40连接。冷却单元40设置于腔室10的外部。冷却单元40将传热介质(例如制冷剂)供给到流路14f。供给到流路14f的传热介质，在流路14f中流动，回到冷却单元40。
[0084]
内壁部件16构成为能够在腔室10的内部与外部之间输送。内壁部件16也可以由输送臂ca经由开口10o在腔室10的内部与外部之间输送。
[0085]
内壁部件16由硅、碳化硅或铝这样的金属形成。可以在内壁部件16的表面上形成耐腐蚀性的膜。耐腐蚀性的膜，例如由氧化铝或氧化钇等材料形成。
[0086]
内壁部件16包括能够配置于基片支承器12的上方且支承部件14的下方的顶部16c。顶部16c为板状，且具有大致圆盘形状。顶部16c在腔室10内以其中心轴线位于轴线ax上的方式配置。顶部16c在腔室10中也可以配置于支承部件14的正下方。或者，如图3所示，传热片42也可以被夹持在支承部件14的下表面与内壁部件16的顶部16c之间。
[0087]
如上所述，顶部16c也可以与支承部件14一起提供(即，构成)喷淋头。在此情况下，顶部16c提供多个气体孔16h。多个气体孔16h贯通顶部16c。顶部16c以多个气体孔16h分别与多个气体孔14h连通的方式配置于腔室10内。来自上述的气体供给部38的气体经由气体扩散室14d、多个气体孔14h和多个气体孔16h被供给到腔室10内(或者处理空间s)。
[0088]
在一个实施方式中，内壁部件16也可以还包括侧壁部16s。侧壁部16s具有大致筒形状，从顶部16c的周缘部向下方延伸。侧壁部16s在腔室10内以其中心轴线位于轴线ax上的方式配置。内壁部件16能够与基片支承器12一起形成处理空间s，在该处理空间s中能够对载置在基片支承器12上的基片w进行处理。在此情况下，侧壁部16s的下端也可以构成为与导体部28接触。
[0089]
侧壁部16s也可以提供多个贯通孔。侧壁部16s的多个贯通孔使处理空间s与侧壁部16s的外侧的空间相互连通。处理空间s内的气体经侧壁部16s的多个贯通孔和侧壁部16s的外侧的空间被排气装置11排出。
[0090]
以下，与图2～图4一起参照图5和图6。图5是表示一个例示的实施方式的基片处理装置的一例的接触部件的俯视图。图6是表示一个例示的实施方式的基片处理装置的另一例的接触部件的俯视图。基片处理装置1也可以包括多个接触部件18作为一个以上的接触部件。
[0091]
多个接触部件18能够由金属等导体形成。多个接触部件18安装在支承部件14和内壁部件16中的一者(一个部件)。多个接触部件18各自在支承部件14和内壁部件16中的另一者(另一个部件)与一者组合时，因另一者而在水平方向上变形，对另一者施加水平方向的弹簧反作用力。由此，多个接触部件18以使内壁部件16可拆装的方式将内壁部件16固定于支承部件14。
[0092]
在图2～图4所示的实施方式中，多个接触部件18安装于支承部件14。多个接触部件18在内壁部件16与支承部件14组合时，因内壁部件16而在水平方向上变形，对内壁部件16施加水平方向的弹簧反作用力。由此，多个接触部件18以使内壁部件16可拆装的方式将内壁部件16固定于支承部件14。
[0093]
在一个实施方式中，支承部件14的下表面14b也可以提供多个凹部14r。多个凹部14r向下方开口。另外，顶部16c的上表面16t也可以提供多个凹部16r。多个凹部16r向上方开口。多个接触部件18各自也可以包括第1部分181和第2部分182。第1部分181嵌入支承部
件14的对应的凹部14r。第2部分182从第1部分181向下方延伸，具有弹簧。第2部分182的弹簧通过嵌入在顶部16c的对应的凹部16r中而发挥弹簧反作用力。
[0094]
在一个实施方式中，多个接触部件18也可以构成为相对于支承部件14可拆装。第1部分181具有弹性，以使得在将接触部件18从支承部件14拆下时，能够通过其在水平方向上的变形而从对应的凹部14r取出。在一个实施方式中，支承部件14的多个凹部14r各自也可以在其下端开口形成得窄。
[0095]
在一个实施方式中，第1部分181在包含轴线ax的任意截面中也可以呈弧形，其内部也可以是空腔。另外，第1部分181也可以在其下端开口。该第1部分181在水平方向上具有弹性。第1部分181能够以在水平方向上缩小了的状态通过多个凹部14r各自的下端开口，从对应的凹部14r取出。
[0096]
在一个实施方式中，第2部分182也可以从第1部分181的下端向下方延伸，从其下端向斜上方延伸而提供板簧。第2部分182也可以在其下端提供开口。第2部分182当嵌入在顶部16c的对应的凹部16r中时，因形成凹部16r的壁面而在水平方向上缩小，对该壁面施加弹簧反作用力。由此，多个接触部件18能够将内壁部件16以可拆装的方式固定于支承部件14。
[0097]
在一个实施方式中，如图5所示，多个接触部件18也可以具有在周向延伸的环形状。在该实施方式中，多个凹部14r和多个凹部16r也分别具有在周向延伸的环形状。其中，在该实施方式中，在腔室10内内壁部件16相对于支承部件14固定的状态下，多个接触部件18、多个凹部14r和多个凹部16r绕轴线ax在周向延伸。
[0098]
在另一实施方式中，如图6所示，多个接触部件18也可以沿着一个圆或多个同心圆排列。在该实施方式中，多个凹部14r和多个凹部16r也分别沿着一个圆或多个同心圆排列。其中，在该实施方式中，在腔室10内内壁部件16相对于支承部件14固定的状态下(内壁部件16固定在支承部件14的状态下)，多个接触部件18、多个凹部14r和多个凹部16r绕轴线ax沿周向排列。
[0099]
再次参照图2～图4。为了解除内壁部件16相对于支承部件14的固定，致动器20构成为使内壁部件16向下方移动。在一个实施方式中，致动器20包括驱动装置20d。致动器20也可以包括多个杆20r。
[0100]
驱动装置20d设置于腔室10的外部。驱动装置20d产生使驱动轴20m上下移动的动力。驱动装置20d也可以包括气缸这样的动力缸或电动机。驱动装置20d在腔室10的外部固定于支承部件44。
[0101]
多个杆20r与驱动轴20m结合。多个杆20r从驱动轴20m向下方延伸。多个杆20r绕轴线ax沿周向排列。多个杆20r能够等间隔地排列。
[0102]
支承部件14提供在铅垂方向上延伸的多个贯通孔。多个贯通孔从支承部件14的上表面通过气体扩散室14d直至支承部件14的下表面地贯通支承部件14。多个杆20r插入在支承部件14的多个贯通孔中。在支承部件14与多个杆20r各自之间设置有o形环这样的密封部件48。另外，多个杆20r在气体扩散室14d内穿过筒状部件46的内孔中。
[0103]
多个杆20r通过驱动装置20d的驱动而上下移动。多个杆20r配置为，在内壁部件16相对于支承部件14固定的状态下，多个杆20r的下端位于与内壁部件16的顶部16c的上表面16t相同的水平或比上表面16t靠上方的位置。多个杆20r在将内壁部件16从支承部件14拆
下时，在驱动装置20d的驱动下移动，使得在使多个杆20r的下端与内壁部件16的顶部16c的上表面16t抵接的状态下使内壁部件16向下方移动。
[0104]
根据基片处理装置1，多个接触部件18通过内壁部件16而变形，从而在水平方向上对内壁部件16施加弹簧反作用力。由此，内壁部件16被固定于支承部件14。另外，通过克服多个接触部件18的弹簧反作用力而利用致动器20使内壁部件16向下方移动，能够容易地解除内壁部件16相对于支承部件14的固定。解除了相对于支承部件14的固定的内壁部件16，能够经由腔室10的侧壁10s的开口10o从腔室10的内部输送到外部。因此，根据基片处理装置1，能够容易地维护内壁部件16。
[0105]
此外，基片处理装置1也可以包括单个接触部件18。在此情况下，凹部14r和凹部16r各自的个数为一个。
[0106]
以下，参照图7～图12，对一个例示的实施方式的基片处理装置的维护方法进行说明。图7～图12分别是表示进行一个例示的实施方式的维护方法时的基片处理装置的状态的图。在维护方法中，基片处理系统ps的各部分(各个构成部)由控制部mc控制。
[0107]
在维护方法中，多个接触部件18安装于支承部件14和内壁部件16中的一者。在维护方法应用于基片处理装置1的情况下，在支承部件14安装有多个接触部件18。具体而言，如图7所示，基座(base)50从腔室10的外部通过输送臂ca被输送到腔室10内。基座50在其上表面提供(形成了)多个凹部。多个接触部件18的第2部分182嵌入在基座50的多个凹部中。基座50以多个接触部件18分别位于支承部件14的多个凹部14r的下方的方式被输送到腔室10内。
[0108]
接着，使输送臂ca向上方移动，或者利用升降机构34使支承部件14向下方移动。其结果是，如图8所示，多个接触部件18的第1部分181嵌入在支承部件14的多个凹部14r中，多个接触部件18安装于支承部件14。然后，输送臂ca从腔室10的内部退避到外部。
[0109]
接着，利用输送臂ca将内壁部件16从腔室10的外部经由开口10o输送到腔室10的内部。接着，使支承部件14或内壁部件16沿铅垂方向移动。即，利用升降机构34使支承部件14向下方移动，或者利用输送臂ca使内壁部件16向上方移动。其结果是，如图9所示，内壁部件16以可拆装的方式被固定在支承部件14。
[0110]
多个接触部件18因支承部件14和内壁部件16中的另一者而在水平方向上变形，对该另一者施加弹簧反作用力。在基片处理装置1中，另一者是内壁部件16。具体而言，多个接触部件18各自的第2部分182嵌入在对应的凹部16r中而在水平方向上缩小，对形成对应的凹部16r的壁面施加弹簧反作用力。由此，内壁部件16被固定于支承部件14。在将内壁部件16固定于支承部件14之后，输送臂ca从腔室10的内部退避到外部。
[0111]
在维护方法中，为了对内壁部件16进行维护(例如，更换)而将内壁部件16从腔室10的内部搬运至腔室10的外部。因此，输送臂ca从腔室10的外部经开口10o进入到腔室10的内部。
[0112]
接着，利用致动器20使内壁部件16克服多个接触部件18的弹簧反作用力而向下方移动。由此，解除多个接触部件18对内壁部件16的固定。如图10所示，移动到下方的内壁部件16被交给输送臂ca。接着，利用输送臂ca将内壁部件16从腔室10的内部经开口10o搬运到腔室10的外部。
[0113]
在维护方法中，为了对多个接触部件18进行维护(例如，更换)也可以拆卸这多个
接触部件18。因此，如图11所示，基座54通过输送臂ca从腔室10的外部经由开口10o被搬运到腔室10的内部。基座54在其上表面提供多个凹部54r。多个凹部54r分别在其上端开口因突出部54p而变窄。基座54以多个凹部54r位于多个接触部件18的下方的方式配置。
[0114]
接着，使输送臂ca向上方移动，或者利用升降机构34使支承部件14向下方移动。其结果是，多个接触部件18各自的第2部分182嵌入在对应的凹部54r中。多个接触部件18各自的第2部分182在通过了对应的凹部54r的上端开口之后扩展而具有比该上端开口的宽度大的宽度。接着，使输送臂ca向下方移动，或者利用升降机构34使支承部件14向上方移动。其结果是，如图12所示，多个接触部件18被从支承部件14拆下而交接到基座54。然后，多个接触部件18通过输送臂ca从腔室10的内部被搬运到腔室10的外部。
[0115]
以下，参照图13，对另一例示的实施方式的支承部件、内壁部件和接触部件进行说明。图13是另一例示的实施方式的支承部件、内壁部件和接触部件的局部放大截面图。图13所示的实施方式的支承部件、内壁部件和接触部件能够在基片处理装置1中采用。
[0116]
在图13所示的实施方式中，顶部16c的上表面16t提供多个凸部16p。多个凸部16p与顶部16c的上表面16t的其他部分相比向上方突出。另外，在图13所示的实施方式中，支承部件14的下表面14b提供多个凹部14r。多个凹部14r向下方开口。
[0117]
在图13所示的实施方式中，多个接触部件18能够由金属等导体形成。多个接触部件18固定在多个凹部14r内。界定(形成)多个凹部14r的各个凹部14r的支承部件14的壁面也可以提供阴螺纹。多个接触部件18各自的外周面也可以提供阳螺纹。多个接触部件18分别通过在对应的凹部14r中与阴螺纹螺合而固定在对应的凹部14r内。
[0118]
多个接触部件18分别提供向下方开口的凹部18r。多个接触部件18分别包括弹簧183。弹簧183设置在凹部18r中。弹簧183的下端以弹簧183能够在水平方向上变形的方式直接或间接地固定于界定(形成)凹部18r的壁面。当对应的凸部16p嵌入在凹部18r中时，弹簧183在水平方向上变形，在水平方向上对凸部16p施加弹簧反作用力。由此，内壁部件16被固定于支承部件14。在图13所示的实施方式中，当通过致动器20使内壁部件16向下方移动时，内壁部件16相对于支承部件14的固定能够容易地被解除。
[0119]
如图13所示，弹簧183也可以通过浮动机构(floating mechanism)184固定于界定凹部18r的壁面。能够利用浮动机构184吸收凸部16p在水平方向上的位置偏移。
[0120]
以下，参照图14，对另一例示的实施方式的支承部件、内壁部件和接触部件进行说明。图14是又一例示的实施方式的支承部件、内壁部件和接触部件的局部放大截面图。图14所示的实施方式的支承部件、内壁部件和接触部件能够在基片处理装置1中采用。
[0121]
在图14所示的实施方式中，支承部件14的下表面14b提供多个凹部14r。多个凹部14r向下方开口。在图14所示的实施方式中，顶部16c的上表面提供多个凸部16p。多个凸部16p也可以包括上部161和下部162。上部161设置在下部162之上。上部161的宽度也可以比下部162的宽度大。
[0122]
在图14所示的实施方式中，多个接触部件18能够由金属等导体形成。多个接触部件18分别以覆盖对应的凸部16p的方式固定于顶部16c。多个接触部件18各自包括罩部185。罩部185提供在其下端开口的空腔。罩部185覆盖收纳在其空腔内的对应的凸部16p。界定出该空腔的罩部185的壁面与对应的凸部16p的上部161和下部162的外表面接触。罩部185在安装于对应的凸部16p时，在其下端的开口扩大了的状态下覆盖于对应的凸部16p。
[0123]
多个接触部件18各自还包括弹簧186。弹簧186设置在罩部185的侧方。弹簧186的下端固定于罩部185的下端。弹簧186以能够在水平方向上变形的方式从罩部185的下端向上方延伸。当多个接触部件18各自和对应的凸部16p嵌入在对应的凹部14r中时，弹簧186在水平方向上变形，在水平方向上对支承部件14施加弹簧反作用力。由此，内壁部件16被固定于支承部件14。在图14所示的实施方式中，当通过致动器20使内壁部件16向下方移动时，内壁部件16相对于支承部件14的固定能够容易地被解除。
[0124]
以下，参照图15，对另一例示的实施方式的支承部件、内壁部件和接触部件进行说明。图15是又一例示的实施方式的支承部件、内壁部件和接触部件的局部放大截面图。图15所示的实施方式的支承部件、内壁部件和接触部件能够在基片处理装置1中采用。
[0125]
在图15所示的实施方式中，支承部件14的下表面14b提供单个凹部。支承部件14的下表面14b提供的凹部在俯视时为大致圆形。在图15所示的实施方式中，顶部16c的上表面16t提供单个凸部。顶部16c的上表面16t提供的凸部在俯视时为大致圆形。
[0126]
在图15所示的实施方式中，接触部件18是螺旋弹簧垫圈(spiral spring gasket)。在图15所示的实施方式中，接触部件18能够由金属等导体形成。接触部件18以沿着界定支承部件14的凹部的内壁面在周向延伸的方式设置。通过将顶部16c的凸部嵌入在支承部件14的凹部中，接触部件18、即螺旋弹簧垫圈被夹持在顶部16c的凸部的外周面与界定支承部件14的凹部的内壁面之间。由此，接触部件18在水平方向上变形，对内壁部件16、即顶部16c的凸部的外周面施加弹簧反作用力。由此，内壁部件16被固定于支承部件14。在图15所示的实施方式中，当通过致动器20使内壁部件16向下方移动时，内壁部件16相对于支承部件14的固定能够容易地被解除。
[0127]
以下，参照图16对另一例示的实施方式的基片处理装置进行说明。图16是概略地表示另一例示的实施方式的基片处理装置的图。图16所示的基片处理装置1b具有内壁部件16b来代替内壁部件16，这点与基片处理装置1不同。内壁部件16b与内壁部件16同样地具有顶部16c，但不具有侧壁部16s。基片处理装置1b的其他结构与基片处理装置1的对应的结构相同。
[0128]
以下，对几个进一步例示的实施方式的基片处理装置进行说明。以下说明的例示的实施方式各自具有使内壁部件16与接地的导体部28电连接的接触机构。内壁部件16由具有导电性的材料形成。导体部28具有筒形状，沿基片支承器12的外周延伸。接触机构使内壁部件16的侧壁部16s的下端16e与导体部28电连接。
[0129]
参照图17、图18(a)和图18(b)。图17是概略地表示又一例示的实施方式的基片处理装置的图。图18的(a)和图18的(b)分别是将又一例示的实施方式的基片处理装置中的接触机构的一部分放大表示的俯视图。图17所示的基片处理装置1c包括接触机构60c，这点与基片处理装置1不同。如图17、图18(a)和图18(b)所示，接触机构60c包括筒状体61、按压体62和驱动部63。
[0130]
筒状体61由铝这样的导电性材料形成。筒状体61与导体部28电连接，沿着导体部28的外周延伸。按压体62由铝这样的导电性材料形成。按压体62配置在基片支承器12与筒状体61之间。驱动部63构成为能够使筒状体61沿周向转动(旋转)。驱动部63例如包括电动机。接触机构60c通过筒状体61在周向的转动而将按压体62按压于侧壁部16s的下端16e的外周面。由此，接触机构60c使内壁部件16经按压体62及筒状体61与导体部28电连接。
[0131]
在一例中，导体部28包括沿径向突出的多个引导件28p。多个引导件28p沿周向排列。另外，接触机构60c包括多个按压体62。多个按压体62沿周向排列。多个按压体62各自提供(形成了)供多个引导件28p中的对应的引导件插入其中的孔62h。多个按压体62各自能够通过插入在该孔62h中的对应的引导件沿着径向移动。多个按压体62各自还包括向径向外侧突出的凸部62p。在图示的例子中，多个按压体62各自在孔62h的两侧具有肋状的一对凸部62p。筒状体61包括向径向内侧突出的多个凸部61p。多个凸部61p沿周向排列。
[0132]
如图18的(a)所示，在多个凸部61p中的对应的凸部未与多个按压体62各自的凸部62p抵接的状态下，多个按压体62与侧壁部16s的下端16e不抵接。如图18的(b)所示，当使筒状体61旋转而使多个凸部61p中的对应的凸部与多个按压体62各自的凸部62p抵接时，按压体62被按压于侧壁部16s的下端16e的外周面。其结果是，内壁部件16经由按压体62及筒状体61与导体部28电连接。此外，在图18的(b)所示的状态下，侧壁部16s的下端16e能够被夹持在多个按压体62各自与绝缘部26之间。
[0133]
下面，参照图19和图20。图19是概略地表示又一例示的实施方式的基片处理装置的图。图20是又一例示的实施方式的基片处理装置中的接触机构的局部放大截面图。图19所示的基片处理装置1d包括接触机构60d，这点与基片处理装置1不同。
[0134]
如图19和图20所示，在基片处理装置1d中，导体部28在其上端部提供在周向延伸的凹部28r。接触机构60d包括接触部件64。接触部件64是具有弹性的导电性部件，例如是螺旋弹簧垫圈。接触部件64在凹部28r中在周向延伸，与导体部28电连接。在接触机构60d中，接触部件64与配置在凹部28r中的侧壁部16s的下端16e弹性地接触。由此，接触机构60d使内壁部件16经接触部件64与导体部28电连接。另外，如图所示，也可以构成为，一对接触部件64在凹部28r中夹持侧壁部16s的下端16e。
[0135]
下面，参照图21和图22。图21是概略地表示又一例示的实施方式的基片处理装置的图。图22是将又一例示的实施方式的基片处理装置中的接触机构的一部分放大表示的立体图。图21所示的基片处理装置1e包括接触机构60e，这点与基片处理装置1不同。
[0136]
如图21和图22所示，接触机构60e包括多个阳连接器601e和多个阴连接器602e。多个阳连接器601e安装于侧壁部16s的下端16e，沿周向排列。多个阴连接器602e安装于导体部28的上端，沿周向排列。接触机构60e通过将多个阳连接器601e的每一个与多个阴连接器602e中的对应的阴连接器相互结合，使内壁部件16与导体部28电连接。此外，也可以构成为，多个阳连接器601e安装于导体部28的上端，多个阴连接器602e安装于侧壁部16s的下端16e。
[0137]
下面，参照图23和图24。图23是概略地表示又一例示的实施方式的基片处理装置的图。图24是又一例示的实施方式的基片处理装置中的接触机构的局部放大截面图。图23所示的基片处理装置1f包括接触机构60f，这点与基片处理装置1不同。
[0138]
接触机构60f包括接触部件65。接触部件65是具有挠性的薄膜，由导电性材料形成。接触部件65设置在导体部28提供的凹部中。接触部件65由导体部28支承，与导体部28电连接。另外，接触部件65设置成能够与侧壁部16s的下端16e提供的下表面抵接。接触机构60f通过将接触部件65按压于侧壁部16s的下表面，经接触部件65将内壁部件16与导体部28电连接。此外，也可以构成为，侧壁部16s的下端16e的下表面由下端16e的膜16f提供。膜16f也可以由导体膜或碳纳米管形成。
[0139]
在一例中，接触机构60f也可以通过流体(例如，气体)的压力将接触部件64按压于侧壁部16s的下表面。在该例子中，接触机构60f也可以还包括按压销66。按压销66以接触部件65位于按压销66的前端与侧壁部16s的下表面之间的方式配置。按压销66利用从气体供给器67供给的气体的压力，将接触部件65按压于侧壁部16s的下表面。也可以构成为，在按压销66连接有在使按压销66从接触部件65分离的方向上施力的弹簧66s。
[0140]
以下，参照图25。图25是又一例示的实施方式的接触机构的局部放大截面图。图25所示的接触机构包括压电元件68。压电元件68由绝缘部2支承，设置于侧壁部16s的下端16e的下方。压电元件68包括压电陶瓷部68a和一对电极68b、68c。压电陶瓷部68a设置在一对电极68b、68c之间。在压电元件68的上表面固定有导电体69。导电体69与导体部28电连接。通过向电极68c施加来自电源68p的电压，压电元件68向侧壁部16s的下端16e伸展。由此，导电体69被按压于侧壁部16s的下端16e的下表面。其结果是，内壁部件16与导体部28电连接。
[0141]
以下，参照图26、图27的(a)和图27的(b)。图26是概略地表示又一例示的实施方式的基片处理装置的图。图27的(a)和图27的(b)分别是又一例示的实施方式的基片处理装置中的接触机构的局部放大截面图。图26所示的基片处理装置1g在包括接触机构60g这点与基片处理装置1不同。
[0142]
在基片处理装置1g中，导体部28具有大致筒形状。导体部28提供相对于其中心轴线(即轴线ax)沿周向延伸的空腔28h。另外，导体部28提供在空腔28h与导体部28的外侧的空间之间延伸的多个开口28o。多个开口28o可以沿周向排列。另外，多个开口28o也可以等间隔地排列。
[0143]
接触机构60g包括可膨胀的密封件71、多个按压体72、一个以上的弹性体73和空气供给部74。可膨胀的密封件71设置于空腔28h中。可膨胀的密封件71可以具有环形状，也可以在空腔28h内在周向延伸。空气供给部74构成为向可膨胀的密封件71供给空气。可膨胀的密封件71构成为因来自空气供给部74的空气而在径向膨胀。
[0144]
多个按压体72分别由金属(例如铝)这样的导电性材料形成。多个按压体72各自包括第1部分721和第2部分722。第1部分721设置在可膨胀的密封件71与界定多个开口28o的导体部28的壁28w之间。第2部分722从第1部分721延伸至多个开口28o中的对应的开口中。在一个实施方式中，第2部分722的前端723(径向前端)也可以由接触带(contact band，也称为接触环)形成。
[0145]
一个以上的弹性体73各自由导电性材料形成。一个以上的弹性体73设置在第1部分721与壁28w之间。一个以上的弹性体73各自可以具有环形状，也可以在空腔28h中在周向延伸。一个以上的弹性体73的每一个例如也可以是斜绕螺旋弹簧(斜
め
巻
きコイルスプリング
)。此外，在图示的例子中，两个弹性体73中的一者设置于第2部分722的上方，两个弹性体73中的另一者设置于第2部分722的下方。
[0146]
如图27的(a)所示，多个按压体72各自的第2部分722在可膨胀的密封件71未膨胀的状态下，与内壁部件16的下端12e的内周面不接触。另一方面，如图27的(b)所示，通过可膨胀的密封件71在径向上膨胀，多个按压体72各自将一个以上的弹性体73夹持在第1部分721与壁28w之间，使第2部分722的前端723与下端12e的内周面抵接。
[0147]
接触机构60g通过使多个按压体72分别沿径向移动而使第2部分722的前端723与下端12e的内周面抵接，使内壁部件16经多个按压体72及一个以上的弹性体73与导体部28
电连接。因此，能够在接触机构60g的部件与内壁部件16之间不产生摩擦地将内壁部件16与导体部28电连接。因此，根据接触机构60g，能够抑制由摩擦引起的微粒的产生。其中，在基片处理装置1g中，按压体72的个数和开口28o的个数也可以分别为一个。
[0148]
下面，参照图28和图29。图28是概略地表示又一例示的实施方式的基片处理装置的图。图29是又一例示的实施方式的基片处理装置的局部放大截面图。以下，对图28所示的基片处理装置1h与基片处理装置1的不同点进行说明。
[0149]
在基片处理装置1h中，导体部28具有大致筒形状。导体部28在腔室10的底部的上方设置成能够沿任意的水平方向滑动。在一个实施方式中，基片处理装置1h还可以包括推力轴承(thrust bearing)77。推力轴承77配置于腔室10的底部和与该底部螺合的螺栓78的头部之间。导体部28在腔室10的底部的上方可滑动地由推力轴承77支承。在一个实施方式中，导体部28在其下端部分具有缩径部(小径部)28s。缩径部28s配置在推力轴承77与螺栓78的头部之间。在图示的例子中，在腔室10的底部与螺栓78的头部之间，设置了2个推力轴承77。该2个推力轴承77中的一个推力轴承配置在腔室10的底部与缩径部28s之间。2个推力轴承77中的另一个推力轴承配置在缩径部28s与螺栓78的头部之间。在2个推力轴承77中的另一个推力轴承与螺栓78的头部之间，配置了垫圈79。
[0150]
导体部28具有大致筒形状，其顶部28u的外周面28t形成为锥形。内壁部件16的侧壁部16s的下端16e的内周面16i以与外周面28t对应的方式形成为锥形。外周面28t与内周面16i直接或间接地接触。由此，内壁部件16与导体部28电连接。在一个实施方式中，接触带28b设置在外周面28t上。外周面28t和内周面16i隔着接触带28b间接地相互接触。导体部28的下端与腔室10的底部可以经连接部件76电连接。连接部件76是具有弹性和导电性的部件，固定在腔室10的底部。连接部件76例如是接触带或导电性螺旋件。
[0151]
在基片处理装置1h中，即使内壁部件16的中心轴线与导体部28的中心轴线之间产生了偏移，通过导体部28在水平方向上的移动，也能够在周向上均匀地确保内壁部件16的下端16e与导体部28的顶部28u之间的电接触。另外，由于内壁部件16的下端16e与导体部28的顶部28u(或接触带28b)之间的摩擦少，所以能够抑制微粒(颗粒)的产生。
[0152]
以下，参照图30。图30是又一例示的实施方式的基片处理装置的局部放大截面图。以下，关于图30所示的结构，对与图28、29所示的基片处理装置的结构的不同之处进行说明。如图30所示，可以构成为，螺栓78与设置在缩径部28s的下方的推力螺母(thrust nut)78n螺合，缩径部28s夹持在螺栓78的头部与推力螺母78n之间。此外，也可以构成为，推力轴承77设置在腔室10的底部内的空腔中，配置在界定该空腔的上壁与推力螺母78n之间。
[0153]
以下，参照图31。图31是又一例示的实施方式的基片处理装置的局部放大截面图。在上述的各种例示的实施方式中，如图31所示，为了解除内壁部件16相对于支承部件14的固定，也可以不使用致动器20而使用可膨胀的密封件80。
[0154]
具体而言，可膨胀的密封件80设置在由支承部件14的下表面14b提供的凹部中。通过从空气供给器81供给空气，使可膨胀的密封件80向下方膨胀。通过可膨胀的密封件80向下方的膨胀，内壁部件16向下方移动，内壁部件16相对于支承部件14的固定被解除。
[0155]
以上，对各种例示的实施方式进行了说明，但是本发明并不限定于上述的例示的实施方式，可以进行各种省略、替换和改变。另外，能够组合不同的实施方式的要素来形成其他实施方式。
[0156]
输送组件ctm也可以构成为不能够移动，也可以与上述各种例示的实施方式的基片处理装置的腔室连接而固定。另外，也可以代替输送组件ctm，将输送组件tm用作在腔室10的内部与腔室10的外部之间输送内壁部件16的组件。
[0157]
在此，将本发明包括的各种例示的实施方式记载于以下的[e1]～[e31]。
[0158]
[e1]一种基片处理装置，其特征在于，包括：
[0159]
包括提供开口的侧壁的腔室；
[0160]
设置在所述腔室内的基片支承器；
[0161]
设置在所述基片支承器的上方的支承部件；
[0162]
内壁部件，其包括能够配置在所述基片支承器的上方且所述支承部件之下的顶部；
[0163]
接触部件，其安装在所述支承部件和所述内壁部件中的一者，通过对所述支承部件和所述内壁部件中的另一者施加水平方向的弹簧反作用力，将所述内壁部件可拆装地固定在所述支承部件；和
[0164]
致动器，其构成为通过使所述内壁部件向下方移动而解除所述内壁部件相对于所述支承部件的固定。
[0165]
在[e1]的实施方式的基片处理装置中，接触部件因支承部件和内壁部件中的另一者而变形，从而在水平方向上对该另一者施加弹簧反作用力。由此，内壁部件被固定在支承部件。另外，通过克服接触部件的弹簧反作用力而利用致动器使内壁部件向下方移动，能够容易地解除内壁部件相对于支承部件的固定。解除了相对于支承部件的固定的内壁部件能够从腔室的内部经腔室的侧壁的开口输送到外部。因此，根据[e1]的实施方式，能够容易地维护内壁部件。
[0166]
[e2]根据[e1]所述的基片处理装置，其中，
[0167]
所述支承部件的下表面提供凹部，
[0168]
所述顶部的上表面提供凹部，
[0169]
所述接触部件包括：
[0170]
嵌入在所述支承部件的所述凹部中的第1部分；和
[0171]
第2部分，其从所述第1部分向下方延伸，具有通过嵌入在所述顶部的所述凹部中而施加所述弹簧反作用力的弹簧。
[0172]
[e3]根据[e2]所述的基片处理装置，其中，
[0173]
所述接触部件构成为能够相对于所述支承部件拆装，
[0174]
所述第1部分具有弹性，使得在将所述接触部件从所述支承部件拆卸时，能够通过所述第1部分在水平方向上的变形将所述第1部分从所述支承部件的所述凹部取出。
[0175]
[e4]根据[e3]所述的基片处理装置，其中，所述支承部件的所述凹部在所述支承部件的该凹部的下端开口处变窄。
[0176]
[e5]根据[e1]所述的基片处理装置，其中，
[0177]
所述顶部的上表面提供凸部，
[0178]
所述接触部件固定在由所述支承部件的下表面提供的凹部内，提供向下方开口的凹部，
[0179]
所述接触部件包括设置在该接触部件的所述凹部中的弹簧，
[0180]
所述接触部件的所述弹簧在所述顶部的所述凸部嵌入在该接触部件的所述凹部中时施加所述弹簧反作用力。
[0181]
[e6]根据[e5]所述的基片处理装置，其中，所述接触部件还包括支承所述弹簧的浮动机构。
[0182]
[e7]根据[e5]或[e6]所述的基片处理装置，其中，
[0183]
所述支承部件的所述下表面提供阴螺纹，
[0184]
所述接触部件的外周面提供与所述阴螺纹螺合的阳螺纹。
[0185]
[e8]根据[e1]所述的基片处理装置，其中，
[0186]
所述支承部件的下表面提供凹部，
[0187]
所述顶部的上表面提供凸部，
[0188]
所述接触部件以覆盖所述凸部的方式固定在所述顶部，所述接触部件具有在所述凸部和该接触部件嵌入在所述支承部件的所述凹部中时施加所述弹簧反作用力的弹簧。
[0189]
[e9]根据[e1]所述的基片处理装置，其中，
[0190]
所述支承部件的下表面提供凹部，
[0191]
所述顶部的上表面提供凸部，
[0192]
所述接触部件是沿着界定所述凹部的内壁面设置的螺旋弹簧垫圈，
[0193]
所述螺旋弹簧垫圈在所述凸部嵌入在所述凹部中时施加所述弹簧反作用力。
[0194]
[e10]根据[e1]～[e9]中任一项所述的基片处理装置，其中，所述内壁部件构成为能够由输送臂经所述开口在所述腔室的内部与外部之间输送。
[0195]
[e11]根据[e1]～[e10]中任一项所述的基片处理装置，其中，还包括夹持在所述支承部件与所述顶部之间的传热片。
[0196]
[e12]根据[e1]～[e11]中任一项所述的基片处理装置，其中，所述支承部件和所述顶部构成可向所述腔室内供给气体的喷淋头。
[0197]
[e13]根据[e1]～[e12]中任一项所述的基片处理装置，其中，所述支承部件提供供传热介质在其中流动的流路。
[0198]
[e14]根据[e1]～[e13]中任一项所述的基片处理装置，其中，所述内壁部件还包括从所述顶部的周缘部向下方延伸的侧壁部，所述内壁部件与所述基片支承器一起形成处理空间，可在该处理空间中对载置在所述基片支承器上的基片进行处理。
[0199]
[e15]根据[e14]所述的基片处理装置，其中，所述基片处理装置是等离子体处理装置。
[0200]
[e16]根据[e15]所述的基片处理装置，其包括：
[0201]
接地的导体部，其具有筒形状，沿所述基片支承器的外周延伸；和
[0202]
通过使所述侧壁部的下端与所述导体部电连接而使所述内壁部件与所述导体部电连接的接触机构。
[0203]
[e17]根据[e16]所述的基片处理装置，其中，
[0204]
所述接触机构包括：
[0205]
筒状体，其由导电性材料形成，与所述导体部电连接，沿着所述导体部的外周延伸；
[0206]
按压体，其由导电性材料形成，配置在所述基片支承器与所述筒状体之间；和
[0207]
驱动部，其可使所述筒状体沿周向转动，
[0208]
所述接触机构构成为，通过所述筒状体的周向转动而将所述按压体按压在所述侧壁部的下端的外周面，从而使所述内壁部件经所述按压体及所述筒状体与所述导体部电连接。
[0209]
[e18]根据[e16]所述的基片处理装置，其中，
[0210]
所述导体部的上端提供在周向延伸的凹部，
[0211]
所述接触机构包括具有弹性的另一接触部件，
[0212]
所述另一接触部件在所述导体部的所述凹部中在周向延伸，并与所述导体部电连接，
[0213]
所述另一接触部件构成为，通过在所述凹部中与所述侧壁部的所述下端弹性地接触，使所述内壁部件经该另一接触部件与所述导体部电连接。
[0214]
[e19]根据[e16]所述的基片处理装置，其中，
[0215]
所述接触机构包括：
[0216]
安装在所述侧壁部的下端和所述导体部的上端中的一者的多个阳连接器；和
[0217]
安装在所述侧壁部的下端和所述导体部的上端中的另一者的多个阴连接器，
[0218]
所述接触机构构成为，通过将所述多个阳连接器的各个阳连接器与所述多个阴连接器中的对应的阴连接器彼此结合而使所述内壁部件与所述导体部电连接。
[0219]
[e20]根据[e16]所述的基片处理装置，其中，
[0220]
所述接触机构包括另一接触部件，该另一接触部件设置成能够与所述侧壁部的所述下端提供的下表面抵接，
[0221]
所述接触机构构成为，通过将所述另一接触部件按压在所述侧壁部的所述下表面，使所述内壁部件经所述另一接触部件与所述导体部电连接。
[0222]
[e21]根据[e20]所述的基片处理装置，其中，所述接触机构构成为，利用流体的压力将所述另一接触部件按压在所述侧壁部的所述下表面。
[0223]
[e22]根据[e20]所述的基片处理装置，其中，所述接触机构还包括压电元件，该压电元件构成为可将所述另一接触部件按压在所述侧壁部的所述下表面。
[0224]
[e23]根据[e1]～[e22]中任一项所述的基片处理装置，其中，所述支承部件构成电容耦合型等离子体处理装置的上部电极。
[0225]
[e24]根据[e16]所述的基片处理装置，其中，
[0226]
所述导体部提供：相对于该导体部的中心轴线沿周向延伸的空腔和在该空腔与该导体部的外侧的空间之间延伸的开口，
[0227]
所述接触机构包括：
[0228]
设置在所述空腔中的可膨胀的密封件；
[0229]
由导电性材料形成的按压体，其包括：在所述空腔中设置在所述可膨胀的密封件与界定所述开口的所述导体部的壁之间的第1部分、和从该第1部分延伸至所述开口中的第2部分；
[0230]
由导电性材料形成的弹性体，其设置在所述第1部分与所述导体部的所述壁之间；和
[0231]
构成为可向所述可膨胀的密封件供给空气的空气供给部，
[0232]
所述按压体构成为，通过利用来自所述空气供给部的所述空气使所述可膨胀的密封件膨胀，在所述第1部分与所述导体部的所述壁之间夹持所述弹性体，使所述第2部分的前端与所述侧壁部的所述下端的内周面抵接。
[0233]
[e25]根据[e24]所述的基片处理装置，其中，所述第2部分的所述前端由接触带形成。
[0234]
[e26]根据[e24]或[e25]所述的基片处理装置，其中，所述弹性体是斜绕螺旋弹簧。
[0235]
[e27]根据[e15]所述的基片处理装置，其中，还包括接地的导体部，其具有筒形状，沿着所述基片支承器的外周延伸，该导体部在所述腔室的底部的上方设置成能够在水平方向上滑动，
[0236]
所述导体部的顶部的外周面是锥形面，
[0237]
所述侧壁部的下端的内周面是与所述导体部的顶部的外周面对应的锥形面，
[0238]
所述导体部的所述顶部的所述外周面与所述侧壁部的所述下端的所述内周面直接或间接地接触。
[0239]
[e28]根据[e27]所述的基片处理装置，其中，还包括：设置在所述导体部的所述顶部的所述外周面上的接触带。
[0240]
[e29]根据[e27]或[e28]所述的基片处理装置，其中，
[0241]
还包括推力轴承，该推力轴承配置在所述腔室的所述底部与同该底部螺合的螺栓的头部之间，
[0242]
所述导体部在所述腔室的所述底部的上方可滑动地由推力轴承支承。
[0243]
[e30]一种基片处理装置的维护方法，其包括：
[0244]
利用输送臂将内壁部件从基片处理装置的腔室的外部经设置于该腔室的侧壁的开口输送至该腔室的内部的工序，
[0245]
其中，所述基片处理装置包括所述腔室、设置在该腔室内的基片支承器和设置在该基片支承器的上方的支承部件，所述内壁部件包括能够配置在所述基片支承器的上方且所述支承部件之下的顶部；和
[0246]
通过使所述支承部件和所述内壁部件中的一者沿着铅垂方向移动而将所述内壁部件可拆装地固定在所述支承部件的固定工序，
[0247]
在所述固定工序中，通过安装在所述支承部件和所述内壁部件中的一者的接触部件对所述支承部件和所述内壁部件中的另一者施加水平方向的弹簧反作用力，将所述内壁部件固定在所述支承部件。
[0248]
[e31]一种基片处理装置的维护方法，其包括：
[0249]
使输送臂从基片处理装置的腔室的外部经设置于该腔室的侧壁的开口进入该腔室的内部的工序，
[0250]
其中，所述基片处理装置包括：所述腔室、设置在该腔室内的基片支承器、设置在该基片支承器的上方的支承部件、包括配置在所述基片支承器的上方且所述支承部件之下的顶部的内壁部件、和安装在所述支承部件和所述内壁部件中的一者的接触部件，
[0251]
所述接触部件构成为，通过对所述支承部件和所述内壁部件中的另一者施加水平方向的弹簧反作用力，将所述内壁部件可拆装地固定在所述支承部件；
[0252]
通过利用致动器使所述内壁部件向下方移动而解除所述接触部件对所述内壁部件的固定，将所述内壁部件交给所述输送臂的工序；和
[0253]
将所述内壁部件从所述腔室的内部经所述开口输送到所述腔室的外部的工序。
[0254]
根据以上的说明，在本说明书中以说明的目的对本发明的各种实施方式进行了说明，应当理解在不脱离本发明的范围和主旨的范围内能够进行各种改变。因此，本说明书中记载的各种实施方式并没有限定的意图，真正的范围和主旨由说明书中的发明内容的部分以及e1-e31的部分(权利要求书)所示。