具有缺陷层的半导体装置和其制造方法与流程

技术特征：
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：半导体基板；第一半导体类型的第一半导体区，其形成于所述半导体基板内，其中所述第一半导体区包括形成于所述第一半导体区的下部部分中的第一掺杂区和形成于所述第一半导体区的上部部分中的处于所述第一掺杂区上方的第二掺杂区，以及形成于所述第一掺杂区的上部部分中的具有上表面的缺陷层；以及第二半导体类型的第二半导体区，其形成于所述第一半导体区上方。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述缺陷层包括在所述缺陷层的所述上表面下方聚结的位错环，并且其中所述缺陷层的所述上表面接触所述第二掺杂区。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一半导体类型是n型，并且所述第二半导体类型是p型。4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第二掺杂区具有大于1e19 cm-3
的掺杂剂浓度。5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，另外包括形成于所述第二半导体区上方的第三半导体区，其中所述第一半导体区被配置为集电极区，所述第二半导体区被配置为基极区，并且所述第三半导体区被配置为发射极区。6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，另外包括发射器层，所述发射器层包括设置在所述集电极区与所述基极区之间的具有5e16 cm-3
与1e18 cm-3
之间的掺杂剂浓度的所述第一半导体类型的半导体材料。7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，另外包括形成于所述第二半导体区下方并且在所述第一掺杂区、所述第二掺杂区与侧向邻近所述第一掺杂区和所述第二掺杂区形成的隔离区侧壁之间的第四半导体区，其中所述第四半导体区包括低于所述第二掺杂区的掺杂度的掺杂度。8.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区包括预非晶化掺杂剂。9.一种双极晶体管装置，其特征在于，包括：半导体基板，其包括硅；集电极区，其形成于所述半导体基板内，其中所述集电极区包括形成于所述集电极区的下部部分中的第一掺杂区、形成于所述集电极区的上部部分中的处于所述第一掺杂区上方的第二掺杂区，以及形成于所述第一掺杂区的上部部分中的具有上表面的缺陷层；基极区，其形成于所述集电极区上方，其中所述基极区包括硅和锗；以及发射极区，其形成于所述基极区上方，其中所述发射极区包括硅。10.一种用于形成双极晶体管装置的方法，其特征在于，所述方法包括：形成半导体基板；在所述半导体基板内形成集电极区，其中形成所述集电极区包括在所述集电极区的下部部分中形成第一掺杂区、在所述集电极区的上部部分中在所述第一掺杂区上方形成第二掺杂区，以及在所述第一掺杂区与所述第二掺杂区之间形成缺陷区；形成基极区，所述基极区形成于所述集电极区上方；以及形成发射极区，所述发射极区形成于所述基极区上方。

技术总结
一种半导体装置包括：半导体基板；第一半导体类型的第一半导体区，其形成于所述半导体基板内，其中所述第一半导体区包括形成于所述第一半导体区的下部部分中的第一掺杂区和形成于所述第一半导体区的上部部分中的处于所述第一掺杂区上方的第二掺杂区。具有上表面的缺陷层形成于所述第一掺杂区的上部部分中。第二半导体类型的第二半导体区形成于所述第一半导体区上方。半导体区上方。半导体区上方。


技术研发人员：柳博
受保护的技术使用者：恩智浦有限公司
技术研发日：2022.07.04
技术公布日：2023/3/10