通过磁场分布识别晶界扩散钕铁硼磁体不可逆退磁的方法与流程

1.本技术涉及晶界扩散钕铁硼磁体不可逆退磁衡量的技术领域，更具体地说，它涉及一种通过磁场分布识别晶界扩散钕铁硼磁体不可逆退磁的方法。


背景技术：

2.永磁材料是重要的储能材料，众多的能量转换装置都离不开稀土永磁材料，诸如扬声器、震动电机、驱动电机等。
3.然而，由于稀土永磁材料的内部结构复杂，尤其是晶界扩散钕铁硼磁体，晶界扩散产品的磁化状态容易受到厚度的影响，从而影响永磁材料的性能。通常，晶界扩散钕铁硼磁体表面的矫顽力高于内部的矫顽力。然而，如何评估或者判断晶界扩散产品在其内部的退磁状态是目前较大的难题。
4.目前较为常用的衡量磁体退磁状态方法主要是将稀土永磁材料切割分成多层，并且对每一层分别进行矫顽力的检测分析，这样的操作方式，虽然能够得到每一层稀土永磁材料的检测结果，但该检测方式存在以下缺陷:(1)需要分多次进行，而待检测样品本身尺寸较小，容易导致检测效率较低；(2)磁体被破坏，未能考虑产品的宏观壳层作用，分析结果并不准确，而且该磁体无法进行使用；(3)这类检测需要用到vsm、ppms、mpms等大型设备，导致消耗资源大。
5.因此，一种不破坏晶界扩散钕铁硼磁体，又能判断稀土永磁材料是否存在退磁现象和是否符合特定要求的检测评估方法。


技术实现要素：

6.为解决精准的衡量晶界扩散产品是否发生不可逆退磁的问题，本技术提供一种通过磁场分布识别晶界扩散钕铁硼磁体不可逆退磁的方法。
7.一种通过磁场分布识别晶界扩散钕铁硼磁体不可逆退磁的方法，对饱和充磁的晶界扩散钕铁硼磁体施加反向磁场后，磁体非扩散面的磁极数量由少变多且分层，所述晶界扩散钕铁硼磁体出现不可逆退磁现象。
8.通过采用上述技术方案，本技术中的样品为晶界扩散钕铁硼磁体，该种磁体表面涂覆有重稀土材料且重稀土材料进入到磁体晶界相中，从而使钕铁硼磁体具有较高的矫顽力。
9.上述“扩散面”是指钕铁硼磁体上涂覆有重稀土材料的面，面的数量一般是两个；而“非扩散面”则是指除了扩散面以外的其他面。
10.反向磁场施加在晶界扩散钕铁硼磁体上时，通过借助器材观察到非扩散面的磁极数量从少变多，此时，表明晶界扩散钕铁硼磁体出现了不可逆退磁现象。
11.本技术中的方法不易受晶界扩散钕铁硼磁体的尺寸的影响，也不易受晶界扩散钕铁硼磁体的温度影响，操作时磁体的形状一般为柱体。本技术中所采用的方法不易对晶界
扩散钕铁硼磁体的完整性以及后续的应用造成影响。
12.优选的，操作步骤为：先对晶界扩散钕铁硼磁体进行饱和充磁，再施加反向磁场；在反向磁场的作用下，对应反向磁场值、磁极数量、磁极分布进行分析。
13.本技术中，对晶界扩散钕铁硼磁体先进行饱和充磁，使晶界扩散钕铁硼磁体获得磁性且在饱和充磁的条件下不易产生退磁现象。
14.优选的，当扩散方向与磁体的取向方向相同时，非取向面出现的磁极数量由少变多且分层，所述晶界扩散钕铁硼磁体出现不可逆退磁现象；当扩散方向与磁体的取向方向垂直时，取向面出现的磁极数量由少变多且分层，所述晶界扩散钕铁硼磁体出现不可逆退磁现象。
15.本技术中，反向施加磁场的方向为取向方向，对应在晶界扩散钕铁硼磁体上的面为取向面，其他面则为非取向面。
16.但无论是取向方向与扩散方向相同，还是取向方向与扩散方向垂直，最终的判断情况以非扩散面所显示出的情况为准。
17.优选的，当扩散方向与取向方向相同时，磁体的非取向面出现磁极数量由少变多且分层，磁极呈n/s/n/s交替分布。
18.优选的，所述晶界扩散钕铁硼磁体中，重稀土涂覆于钕铁硼磁体的取向面上，所述取向面为n极面和s极面。
19.优选的，当扩散方向与磁体取向方向垂直时，磁体的取向面出现磁极数量由少变多且分层，磁极分布呈n/s/n或s/n/s。
20.优选的，所述晶界扩散钕铁硼磁体中，重稀土涂覆于钕铁硼磁体的非取向面上，所述非取向面为n极面、s极面以外的一组平行面上。
21.通过采用上述技术方案，扩散方向为磁体表面涂覆的重稀土材料的两个扩散面之间相对的方向，而反向磁场施加方向为取向方向，取向面为取向方向对应的面，而非取向面则为除了取向面以外的其他面。
22.当扩散方向与磁体的取向方向相同时，非取向面为非扩散面；当扩散方向与磁体的取向方向垂直时，取向面为非扩散面。
23.当扩散方向与取向方向平行或垂直时，出现的磁极分布有所区别，但磁极数量不小于2个。
24.优选的，识别磁场分布特性的器材包括磁场分布可视化设备、空间磁场分布测量仪、高斯计、磁显影片、磁极鉴别笔中的任意一种。
25.上述器材中的任意一种，均能采用本技术中的方法对晶界扩散钕铁硼磁体的磁极数量、磁极分层分布进行观察和显现，但也不限于上述器材。上述器材检测的结果也能进行相互证明晶界扩散钕铁硼磁体是否出现不可逆的退磁现象。
26.优选的，所述晶界扩散钕铁硼磁体自身的温度不低于20℃；所述晶界扩散钕铁硼磁体扩散方向的尺寸不大于12mm。
27.本技术中，即使是使用过程中且温度较高的晶界扩散钕铁硼磁体也可以直接拿过来进行检测，增大了检测可操作的空间。且涂覆有稀土材料的两个面之间的最大间距也可达到12mm，降低了对待检测的晶界扩散钕铁硼磁体尺寸的要求。
28.优选的，施加的所述反向磁场值低于该晶界扩散钕铁硼磁体的矫顽力。
29.本技术经过研究发现施加在待检测晶界扩散钕铁硼磁体表面的反向磁场值小于晶界扩散钕铁硼磁体的矫顽力，这也为检测时所需要施加多少反向磁场值提供参考和初步限定，便于检测的进行。
30.综上所述，本技术具有如下有益效果：1、通过采用本技术中的方法，仅需要对晶界扩散钕铁硼磁体进行饱和充磁，再施加反向磁场，控制施加的反向磁场大小，当反向磁场值施加到一定程度时，就可以得到晶界扩散钕铁硼磁体是否出现退磁现象的结论，本技术中的方法不仅准确性高，且不破坏晶界扩散钕铁硼磁体的整体，检测之后若被判断未出现退磁现象，则该磁体依旧可被用于对应领域；2、采用本技术中的方法时，施加反向磁场的方向(取向方向)与稀土材料的扩散方向相同时，磁体的非取向面(非扩散面)出现磁极数量由少变多，磁极呈n/s/n/s交替分布；施加反向磁场的方向(取向方向)与稀土材料的扩散方向垂直时，磁体的取向面出现磁极数量由少变多，磁极分布呈n/s/n或s/n/s；3、本技术中所采用的操作方法简单有效，待检测的晶界扩散钕铁硼磁体的尺寸大小不受限制，可以是实际应用时所需要的大小，只要晶界扩散钕铁硼磁体扩散方向的尺寸不大于12mm即可；且其形状规格只需保持柱体即可；以及检测时可以贴在磁体的表面，或者距离磁体的表面2mm及以内，均能检测出结果。
附图说明
31.图1是实施例1中样品1(晶界扩散钕铁硼磁体)以及该磁体的取向方向和涂覆面的示意图。
32.图2是实施例1中对样品1施加不同反向磁场大小得到的磁场分布图像。
33.图3是实施例2中对样品2施加不同反向磁场大小得到的磁场分布图像。
34.图4是实施例3中样品3以及该磁体的取向方向和涂覆面的示意图。
35.图5是实施例3中对样品3施加不同反向磁场大小得到的磁场分布图像。
36.图6是实施例3中样品3、三条线扫标记线以及反向磁场的取向方向的示意图。
37.图7是实施例3中对样品3在三处线扫标记线上施加不同反向磁场大小得到的表磁图。
38.图8是实施例4中在距离样品3表面不同高度进行检测得到的磁场分布图像。
39.图9是实施例5和实施例6中样品3、4九个标记点以及该磁体的取向方向的示意图。
40.图10是实施例7中对样品5施加不同反向磁场大小得到的磁场分布图像。
41.图11是实施例8中采用磁显影片对样品2进行检测得到的磁场分布图像。
42.图12是实施例9中对经过高温处理后的样品3施加不同反向磁场大小得到的磁场分布图像。
43.图13是对比例1中对样品6(非晶界扩散钕铁硼磁体)施加不同反向磁场大小得到的磁场分布图像。
具体实施方式
44.实施例和对比例中所采用的样品的具体情况如表1所示。
45.表1实施例和对比例中所采用的样品的具体参数实施例
46.实施例1，一种通过磁场分布识别晶界扩散钕铁硼磁体不可逆退磁的方法，采用样品1，且样品1的尺寸规格为20*15*4mm，且其相关参数如表1所示。
47.具体的操作步骤为：1)选择晶界扩散样品1，取向面(即涂覆重稀土的扩散面，即样品1的正上方和正下方两面；箭头方向为取向方向，也为施加反向磁场的方向，与扩散方向相同)的尺寸为20*15mm，取向方向尺寸为4mm；具体如图1所示：2)对样品1进行饱和充磁，然后放置于磁场分布可视化设备(采用magview)上，观察其每个面在饱和充磁状态下的磁场分布特征；3)给样品1施加与其饱和充磁相反的反向磁场，反向磁场大小为1.91t，然后将产品放置于magview检测窗口上观察样品1的每个面在该状态下的磁场分布特征；4)再将样品1饱和充磁，之后再次施加大小为2.03t的反向磁场，并且再观察样品1在该状态下的磁场分布特征；5)重复步骤4)，调整反向磁场的大小为2.09t；再次重复步骤4)，调整反向磁场的大小为2.15t；观察两次操作后的样品1的磁场分布特征；6)将所有得到的样品1的磁场分布特征进行整理汇总，详见图2。
48.图2中分别公开了不施加反向磁场以及施加的反向磁场大小为1.91t、2.03t、2.09t、2.15t时的图像情况，且第一列和第二列中的n和s分别对应取向面(扩散面，即上下两面)的图像情况，side1-side4分别对应非扩散面的图像情况，其中，第三列和第四列分别为side1-side2这两个相对的面(前后两面)的图像情况，第五列和第六列分别为side3-side4这两个相对的面(左右两面)的图像情况。
49.由图2可知，当反向磁场大小为2.09t时，side1-side4四个面的图像中,磁极数量以及磁极分布均发生了较为明显的变化；进一步地,当施加的反向磁场大小为2.15t时,对应四个面的图像中,磁极数量以及磁极分布均的变化情况更加明显。上述现象表明，当施加
的反向磁场大小为2.09t时，样品1已经出现了不可逆的退磁现象。且此时施加的反向磁场值要小于样品1的矫顽力。
50.实施例2，一种通过磁场分布识别晶界扩散钕铁硼磁体不可逆退磁的方法，与实施例1的区别在于，采用样品2，样品2的剩磁平均值为14.74kgs，矫顽力平均值为21.58koe，其他参数详见表1。
51.具体的操作步骤为：1)选择晶界扩散样品2，尺寸规格为20*15*6mm，取向面(即涂覆重稀土的扩散面，取向方向与扩散方向相同)的尺寸为20*15mm，取向方向尺寸为6mm；2)对样品2进行饱和充磁，然后放置于magview检测窗口上，观察其每个面在饱和充磁状态下的磁场分布特征；3)给样品2施加与其饱和充磁相反的反向磁场，反向磁场大小为1.43t，然后按照步骤2)中的方法观察样品1的每个面在该状态下的磁场分布特征；4)再将样品2饱和充磁，之后再次施加反向磁场，反向磁场大小为1.67t，然后按照步骤2)中的方法观察样品1在该状态下的磁场分布特征；5)重复步骤4)，依次分别调整反向磁场的大小为1.73t、1.79t、1.85t、1.91t和2.03t；观察每次操作后的样品2的磁场分布特征；6)将所有得到的样品2的磁场分布特征进行整理汇总，详图3。
52.图3中分别公开了不施加反向磁场以及施加的反向磁场大小为1.43t、1.67t、1.73t、1.79t、1.85t、1.91t、2.03t时的图像情况，第一列至第四列中的side1-side4分别对应非扩散面的图像情况，第五列和第六列中的n和s分别对应扩散面的图像情况。其中，第一列和第二列分别为side1-side2这两个相对的面(前后两面)的图像情况，第三列和第四列分别为side3-side4这两个相对的面(左右两面)的图像情况。
53.由图3可知，当反向磁场大小为1.67t时，side1-side4四个面的图像中,磁极数量以及磁极分布均发生了变化；进一步地,当施加的反向磁场大小为1.73t时,样品2对应四个面的图像中,磁极数量以及磁极分布均的变化情况更加明显。上述现象表明，当施加的反向磁场大小为1.67t时，样品2已经出现了不可逆的退磁现象。
54.实施例3，一种通过磁场分布识别晶界扩散钕铁硼磁体不可逆退磁的方法，与实施例1的区别在于，采用样品3，样品3的磁场强度平均值为14.79kgs，矫顽力平均值为22.08koe，其他参数详见表1。
55.具体的操作步骤为：1)选择晶界扩散样品3，尺寸规格为20*15*6mm，涂覆重稀土的扩散面，即样品3的正上方和正下方两面，尺寸为20*15mm；取向面(箭头方向，也叫施加反向磁场的方向，与涂覆重稀土的扩散面垂直，即与扩散方向垂直)的尺寸为20*6mm，取向方向尺寸为15mm,详见图4。
56.2)对样品3进行饱和充磁，然后放置于magview检测窗口上，观察其每个面在饱和充磁状态下的磁场分布特征；3)给样品3施加与其饱和充磁相反的反向磁场，反向磁场大小为1.55t，按照步骤2)中的方法观察样品1的每个面在该状态下的磁场分布特征；4)再将样品3饱和充磁，之后再次施加反向磁场，反向磁场大小为1.67t，按照步骤
2)中的方法观察样品1在该状态下的磁场分布特征；5)重复步骤4)，依次分别调整反向磁场的大小为1.79t、1.91t、2.03t、2.15t和2.27t；观察每次操作后的样品3的磁场分布特征；6)将所有得到的样品3的磁场分布特征进行整理汇总，详见图5；7)进一步地，根据磁场分布特征汇总的图，对施加反向磁场大小为0t、1.67t、1.91t的状态下的样品3采用空间磁场分布测量仪进行测试，将样品3沿图6中
①②③
三个位置进行线扫：且测试的过程中，空间磁场分布测量仪的探头与样品3之间的间距为0.5mm，结果如图7所示：从步骤6)中得到的图5中分别公开了不施加反向磁场以及施加的反向磁场大小为1.55t、1.67t、1.79t、1.91t、2.03t、2.27t时的图像情况。side1-side4分别对应样品3中上下(扩散面)、左右面的图像情况，第五列和第六列分别为两个取向面的图像情况。
57.从图5可知，当施加的反向磁场大小为1.79t时，1.79t-3、1.79t-4、1.79t-n、1.79t-s这四个非扩散面的磁极数量已经开始在增加，且磁极分布也出现分层的变化；当施加的反向磁场大小为1.91t时，对应非扩散面的磁极数量增加以及磁极分布情况的变化已经非常明显。因此，在施加1.79t的反向磁场时，样品3已经出现了不可逆的退磁现象。
58.由步骤7)中得到的图7可知，当施加的反向磁场大小为1.67t时，
①②③
线扫得到的表磁的结果显示为同一磁极，但当施加的反向磁场大小增加至1.91t时，
①②③
线扫得到的表磁的结果显示为出现了不同磁极，且从曲线波动的情况可以得出磁极分层分布。因此，表明施加的反向磁场大小从1.67t上升至1.91t的过程中，会出现磁极数量增多以及磁极分层分布的现象，这表明该过程中样品3已经出现了不可逆的退磁现象。
59.综上，将实施例3中得到的图5和图7进行比对后可明确得知，magview、空间磁场分布测量仪均可用于检测样品3是否出现退磁现象，且通过步骤7)中空间磁场分布测量仪的检测结果跟步骤6)中magview的检测结果相同，相互证明了两种器材对样品3结果判断的准确性。
60.实施例4，一种通过磁场分布识别晶界扩散钕铁硼磁体不可逆退磁的方法，与实施例3的区别在于，在步骤3)中，给样品3施加与其饱和充磁相反的反向磁场，反向磁场大小为1.91t，然后将产品放置于magview的检测窗口上，且样品3与检测窗口之间的间距分别为0mm、0.5mm、1mm、1.5mm、2mm和2.5mm，将所有得到的样品3的磁场分布特征进行整理汇总，详见图8。
61.表明当样品3与magview检测窗口之间的间距在0-2.0mm的间距都能达到比较好的检测效果。当间距达到2.5mm及以上时，容易出现磁极分布不够清晰的现象。
62.实施例5，一种通过磁场分布识别晶界扩散钕铁硼磁体不可逆退磁的方法，与实施例3的区别在于，采用高斯计进行检测，具体的检测方式为：将样品3按图9的方式等间距平分并且做好标记，从上到下分成三排，第一排的标记点分别为：a1、a2、a3；第二排的标记点分别为：b1、b2、b3；第三排的标记点分别为：c1、c2、c3。
63.分别在饱和充磁、施加反向磁场大小为1.67t、1.91t的条件下，再采用高斯计对所有的标记点进行检测，最终得到对应的试验结果，详见表2。
64.表2实施例5中a1-a9的表磁变化此处的检测位于同一个面上，检测得到的结果为表磁的参数。
65.饱和充磁状态下，即并未施加反向磁场，即也不容易出现退磁现象，用于跟施加反向磁场时作为比对。
66.当反向磁场大小增加到1.91t时，可以明显发现b1、b2、b3的变化，这也表明当反向磁场施加到1.91t时，样品3出现了退磁的现象。
67.再结合实施例3可以了解到，无论是采用magview还是采用高斯计，均可以从检测结果中直接得到证明出现退磁现象的情况。
68.实施例6，一种通过磁场分布识别晶界扩散钕铁硼磁体不可逆退磁的方法，与实施例3的区别在于，采用样品4，样品4的尺寸为20*15*6mm，取向面的尺寸为20*6mm，取向方向尺寸为15mm,剩磁平均值为12.52kgs，矫顽力平均值为45.1koe；且检测器材为磁极鉴别笔。
69.将样品4按图9的方式等间距平分并且做好标记，从上到下分成三排，第一排的标记点为：a1、a2、a3；第二排的标记点为：b1、b2、b3；第三排的标记点为：c1、c2、c3；再分别在饱和充磁、施加反向磁场大小为3.42t和3.91t后，在对应的反向磁场大小施加条件下，再采用磁极鉴别笔对所有的标记点进行极性检测，最终得到对应的试验结果，详见表3。
70.表3实施例6中a1-a9的磁极变化由上表可知，在饱和充磁状态下，检测到样品4的检测面上全部显示为s极；当施加反向磁场大小至3.42t时，依旧保持同样的极性；但当施加的反向磁场大小为3.91t时，标记点b1、b2、b3处的磁极均变成了n极，且a1、b1、c1或者三点处的磁极分别出现了s/n/s的变化。该结果表明，在施加的反向磁场大小为3.91t时，b点处的磁极因为施加反向磁场到一定大小之后出现了退磁状态，从而磁极从原本的s极变成n极。
71.实施例7，一种通过磁场分布识别晶界扩散钕铁硼磁体不可逆退磁的方法，与实施例3的区别在于，采用样品5，样品5的平均的磁场强度为13.79kgs，平均的矫顽力为28.16koe，且样品5中的参数如表1所示。
72.具体的操作方法区别为：在步骤3)中，给样品5施加与其饱和充磁相反的反向磁场，反向磁场大小为2.77t，然后将产品放置于magview检测窗口上，观察样品5的每个面在
该状态下的磁场分布特征；步骤4)再将样品5饱和充磁，之后再次施加反向磁场，反向磁场大小为2.51t，按照步骤3)中的方式观察样品5在该状态下的磁场分布特征；步骤5)重复步骤4)的操作，但将反向磁场大小调节为2.75t；步骤6)将所有得到的样品5的磁场分布特征进行整理汇总，详见图10。
73.从图10可知，当施加的反向磁场大小为2.27t时，2.27t-n和2.27t-s这两个图像中，磁极的数量以及磁极的分布出现了变化，进一步地，在反向磁场大小为2.51t以及2.75t时，对应图像所显示出的磁极的数量以及磁极的分布更为明显和突出。该结果表明，样品5在反向磁场为2.27t时已经发生了退磁现象。
74.实施例8，一种通过磁场分布识别晶界扩散钕铁硼磁体不可逆退磁的方法，与实施例2的区别在于，采用的器材为磁显影片。具体的操作方法为：1)将样品2饱和充磁，然后对样品2施加与其饱和充磁相反的反向磁场，反向磁场大小为1.79t；2)将磁显影片置于样品2的上方，观察在该状态下样品2中6个面的磁场分布特征，详见图11。
75.由图11可知，在施加的反向磁场大小为1.79t时，磁显影片中显示出4个磁极分布，在饱和充磁的情况下，仅有2个磁极分布。
76.再结合实施例2中的图可以得知，的那个反向磁场大小为1.79t时，磁极数量已经明显增加，磁极分布情况也发生了明显的变化。
77.因此，上述结果表明，采用磁显影片可以通过磁极分布的情况来显示样品2出现的退磁现象。
78.实施例9，一种通过磁场分布识别晶界扩散钕铁硼磁体不可逆退磁的方法，与实施例3的区别在于，具体的操作方法为：将样品3饱和充磁后，置于80℃的烘箱内保温10min，再给样品3施加与其饱和充磁相反的反向磁场，反向磁场大小为1.31t。然后将产品从烘箱中取出，待冷却至室温后，放置于magview检测窗口上观察样品1的每个面在该状态下的磁场分布特征；再重复上述步骤，依次分别调整反向磁场的大小为1.43t、1.55t、1.67t；观察每次操作后的样品3的磁场分布特征；将所有得到的样品3的磁场分布特征进行整理汇总，详见图12。
79.实施例3的图5中，当施加反向磁场之前，样品3的温度为室温，施加的反向磁场大小为1.67t时才逐渐显现出磁极数量的增多以及磁极分布的变化。
80.再结合图12可知，在施加反向磁场之前先对样品3进行80℃的较高温度处理，可以在反向磁场大小为1.55t时就可以看出磁极数量的增加以及磁极分布的变化；且随着反向磁场大小的逐渐增大，磁极增加的数量以及磁极分布的效果更加明显。
81.因此，上述结果表明，本技术中的方法不仅适用于室温状态下的晶界扩散钕铁硼磁体样品，也适用于经过较高温度高反向磁场处理后的晶界扩散钕铁硼磁体样品，且相对而言，经过较高温度处理之后再进行反向充磁的磁体样品可在较低的反向磁场大小的施加下即可观察到磁极数量以及磁极分布的变化，这也表明，在较高温度的工况中应用的磁体也可以采用本技术中的方法进行辨别是否具有退磁现象出现。
82.对比例对比例1，一种磁体的检测方法，与实施例1的区别在于，采用样品6，且样品6为非晶界扩散磁体，牌号为n52sh，尺寸大小为20*15*6mm，取向面的尺寸为20*15mm，取向方向尺寸为6mm(取向方向与扩散方向相同)；剩磁平均值为14.32kgs，矫顽力平均值为19.03koe。
83.具体的操作步骤为：1)对样品6进行饱和充磁，然后放置于magview检测窗口上，观察其每个面在饱和充磁状态下的磁场分布特征；2)给样品6施加与其饱和充磁相反的反向磁场，反向磁场大小为1.67t，按照步骤1)中的方法观察样品6的每个面在该状态下的磁场分布特征；3)再将样品6饱和充磁，之后再次施加反向磁场，反向磁场大小为1.79t，按照步骤1)中的方法观察样品6在该状态下的磁场分布特征；4)重复步骤3)，依次分别调整反向磁场的大小为1.91t和2.03t；观察每次操作后的样品2的磁场分布特征；5)将所有得到的样品6的磁场分布特征进行整理汇总，详见图13。
84.结合图13可知，虽然1.91t-n、1.91t-s、1.91t-1、1.91t-2、1.91t-3、1.91t-4中出现了n极和s极共存且磁极数量增加的现象，但并未产生分层，且随着施加的反向磁场大小逐渐增大，也并未出现磁极数量增多且分层的现象，这表明本技术中的方法仅适用于晶界扩散钕铁硼磁体样品是否出现不可逆退磁现象的观察，无法得出非晶界扩散钕铁硼磁体样品是否出现退磁现象的结果。
85.本具体实施例仅仅是对本技术的解释，其并不是对本技术的限制，本领域技术人员在阅读完本说明书后可以根据需要对本实施例做出没有创造性贡献的修改，但只要在本技术的权利要求范围内都受到专利法的保护。