通过磁场分布识别晶界扩散钕铁硼磁体不可逆退磁的方法与流程

技术特征：
1.一种通过磁场分布识别晶界扩散钕铁硼磁体不可逆退磁的方法，其特征在于，对饱和充磁的晶界扩散钕铁硼磁体施加反向磁场后，磁体非扩散面的磁极数量由少变多且分层，所述晶界扩散钕铁硼磁体出现不可逆退磁现象。2.根据权利要求1所述的通过磁场分布识别晶界扩散钕铁硼磁体不可逆退磁的方法，其特征在于，操作步骤为：先对晶界扩散钕铁硼磁体进行饱和充磁，再施加反向磁场；在反向磁场的作用下，对应反向磁场值、磁极数量、磁极分布进行分析。3.根据权利要求1所述的通过磁场分布识别晶界扩散钕铁硼磁体不可逆退磁的方法，其特征在于，当扩散方向与磁体的取向方向相同时，非取向面出现的磁极数量由少变多且分层，所述晶界扩散钕铁硼磁体出现不可逆退磁现象；当扩散方向与磁体的取向方向垂直时，取向面出现的磁极数量由少变多且分层，所述晶界扩散钕铁硼磁体出现不可逆退磁现象。4.根据权利要求3所述的通过磁场分布识别晶界扩散钕铁硼磁体不可逆退磁的方法，其特征在于，当扩散方向与取向方向相同时，磁体的非取向面出现磁极数量由少变多且分层，磁极呈n/s/n/s交替分布。5.根据权利要求3或4所述的通过磁场分布识别晶界扩散钕铁硼磁体不可逆退磁的方法，其特征在于，所述晶界扩散钕铁硼磁体中，重稀土涂覆于钕铁硼磁体的取向面上，所述取向面为n极面和s极面。6.根据权利要求3所述的通过磁场分布识别晶界扩散钕铁硼磁体不可逆退磁的方法，其特征在于，当扩散方向与磁体取向方向垂直时，磁体的取向面出现磁极数量由少变多且分层，磁极分布呈n/s/n或s/n/s。7.根据权利要求3或6所述的通过磁场分布识别晶界扩散钕铁硼磁体不可逆退磁的方法，其特征在于，所述晶界扩散钕铁硼磁体中，重稀土涂覆于钕铁硼磁体的非取向面上，所述非取向面为n极面、s极面以外的一组平行面上。8.根据权利要求1所述的通过磁场分布识别晶界扩散钕铁硼磁体不可逆退磁的方法，其特征在于，识别磁场分布特性的器材包括磁场分布可视化设备、空间磁场分布测量仪、高斯计、磁显影片、磁极鉴别笔中的任意一种。9.根据权利要求1所述的通过磁场分布识别晶界扩散钕铁硼磁体不可逆退磁的方法，其特征在于，所述晶界扩散钕铁硼磁体自身的温度不低于20℃；所述晶界扩散钕铁硼磁体扩散方向的尺寸不大于12mm。10.根据权利要求1所述的通过磁场分布识别晶界扩散钕铁硼磁体不可逆退磁的方法，其特征在于，施加的所述反向磁场值低于该晶界扩散钕铁硼磁体的矫顽力。

技术总结
本申请涉及晶界扩散钕铁硼磁体不可逆退磁衡量的技术领域，具体公开了一种通过磁场分布识别晶界扩散钕铁硼磁体不可逆退磁的方法，对饱和充磁的晶界扩散钕铁硼磁体施加反向磁场后，磁体非扩散面的磁极数量由少变多，晶界扩散钕铁硼磁体出现不可逆退磁现象。本申请中的操作方法不仅能检测出晶界扩散钕铁硼磁体是否出现不可逆退磁现象，还能保持晶界扩散钕铁硼磁体的整体不被破坏。铁硼磁体的整体不被破坏。


技术研发人员：邸敬慧 刘会强 吴雄飞 贾生礼 孟辉 魏启锋
受保护的技术使用者：杭州智见控股集团有限公司
技术研发日：2022.11.17
技术公布日：2023/3/3