低成本晶片级封装件和硅的制作方法

技术特征：
1.一种从晶片形成晶片级封装件的方法，包括：将第二集成电路的后侧粘性地附接至包括多个第一集成电路的所述晶片的前侧，使得在所述第一集成电路的前侧上的焊盘和所述第二集成电路的前侧上的焊盘被暴露；在所述第一集成电路的前侧和所述第二集成电路的前侧上以及所述第二集成电路的边缘上形成激光直接结构化lds可活化层；活化所述lds可活化层的部分以在所述lds可活化层内形成结构化区域的期望图案，所述lds可活化层内的所述结构化区域的期望图案中的一些期望图案从所述第二集成电路的前侧上的所述焊盘延伸到所述第一集成电路的前侧上的所述焊盘；对所述结构化区域的期望图案进行金属化以在所述lds可活化层内形成导电区域，所形成的导电区域中的一些将所述第一集成电路的所述焊盘电连接至所述第二集成电路的所述焊盘；以及对所述晶片进行切单从而形成多个晶片级封装件，每个晶片级封装件包含所述第一集成电路中的一个集成电路和所述第二集成电路中的一个集成电路。2.根据权利要求1所述的方法，还包括将焊球附接至所形成的导电区域中的期望导电区域，使得附接至所述第一集成电路的前侧上的所形成的导电区域的所述焊球中的一些焊球被电连接至所述第二集成电路的前侧上的所述焊盘。3.根据权利要求1所述的方法，还包括在切单之前在所述第一集成电路的后侧上形成涂层。4.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述lds可活化层上形成阻焊层。5.根据权利要求1所述的方法，还包括：将无源元件附接至形成在所述第一集成电路上的所述导电区域中的期望导电区域，所述导电区域被电连接至所述第二集成电路的前侧上的期望焊盘，以及在所述无源元件上形成模制层。6.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述第一集成电路上形成模制层，在所述模制层的底侧上形成焊盘，以及在所述模制层中形成过孔，所述过孔将形成在所述第一集成电路上的所述导电区域中的期望导电区域电连接至形成在所述模制层的底侧上的焊盘，所述导电区域被电连接至所述第一集成电路的前侧上的焊盘。7.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述第一集成电路上形成模制层，在所述模制层的底侧上形成焊盘，以及形成互连件，所述互连件将所述模制层的底侧上的所述焊盘连接至所述第二集成电路的前侧上的期望焊盘。8.根据权利要求1所述的方法，还包括使用焊球将芯片附接至形成在所述第一集成电路上的所述导电区域中的期望导电区域，使得所述芯片的焊盘面向所述导电区域中的期望导电区域，以及在所述芯片上形成模制层。9.一种晶片级封装件，包括：第一集成电路管芯，所述第一集成电路管芯的前侧具有多个焊盘；第二集成电路管芯，所述第二集成电路管芯的前侧具有多个焊盘，其中粘合剂层将所述第二集成电路管芯的后侧粘附至所述第一集成电路管芯的前侧；树脂层，包围所述第二集成电路管芯的边缘侧和所述第二集成电路管芯的前侧，并包围所述第一集成电路管芯的前侧，其中所述树脂层包括可活化催化剂材料；阻焊层，所述阻焊层的后表面与所述树脂层的前表面接触；以及
再分布层，包括：所述树脂层的第一活化和金属化部分，与所述第二集成电路管芯的前侧上的所述多个焊盘相邻；所述树脂层的第二活化和金属化部分，与所述第一集成电路管芯的前侧上的所述多个焊盘相邻；以及所述树脂层的第三活化和金属化部分，从所述树脂层的所述第一活化和金属化部分中的给定部分沿着所述第二集成电路管芯的边缘侧向下并且跨所述第一集成电路管芯的前侧上的所述树脂层的部分延伸，从而在所述第二集成电路管芯的前侧上的所述多个焊盘中的给定焊盘与所述第一集成电路管芯的前侧上的所述树脂层上的位置之间提供电连接。10.根据权利要求9所述的晶片级封装件，包括：所述树脂层的第四活化和金属化部分，将所述树脂层的所述第一活化和金属化部分中的某些部分电连接至所述树脂层的所述第二活化和金属化部分中的某些部分，从而将所述第二集成电路管芯的前侧上的某些焊盘电连接至所述第一集成电路管芯的前侧上的某些焊盘。11.根据权利要求9所述的晶片级封装件，还包括：所述树脂层的第四活化和金属化部分，在所述第一集成电路管芯的前侧上；所述树脂层的第五活化和金属化部分，将所述第一活化和金属化部分中的一个第一活化和金属化部分电连接至所述树脂层的所述第四活化和金属化部分；以及无源元件，电连接至所述树脂层的所述第四活化和金属化部分。12.根据权利要求11所述的晶片级封装件，还包括模制层，所述模制层包封所述无源元件。13.根据权利要求9所述的晶片级封装件，还包括：模制层，封装所述第一集成电路管芯的部分和所述树脂层的所述第二活化和金属化部分中的一个第二活化和金属化部分；焊盘，形成在所述模制层上；以及过孔，从形成在所述模制层上的所述焊盘延伸穿过所述模制层，以接触所述树脂层的所述第二活化和金属化部分中的一个第二活化和金属化部分，从而将形成在所述模制层上的所述焊盘电连接至所述树脂层的所述第二活化和金属化部分中的一个第二活化和金属化部分。14.根据权利要求9所述的晶片级封装件，还包括芯片，所述芯片连接至所述第一集成电路管芯的前侧上的所述树脂层的所述第三活化和金属化部分中的一个第三活化和金属化部分。15.根据权利要求14所述的晶片级封装件，还包括模制层，所述模制层包封所述芯片。16.一种方法，包括：将第二集成电路的后侧粘附到包括多个第一集成电路的晶片的前侧，使得所述第一集成电路的前侧上的焊盘和所述第二集成电路的前侧上的焊盘被暴露；在所述第一集成电路的前侧和所述第二集成电路的前侧上以及所述第二集成电路的边缘上形成激光直接结构化lds可活化层；在所述lds可活化层内形成结构化区域的期望图案，所述lds可活化层内的所述结构化区域的期望图案中的一些期望图案从所述第二集成电路的前侧上的焊盘延伸到所述第一
集成电路的前侧上的所述焊盘；以及对所述结构化区域的期望图案进行金属化，以在所述lds可活化层内形成导电区域，所述导电区域将所述第一集成电路的所述焊盘电连接至所述第二集成电路的所述焊盘。17.根据权利要求16所述的方法，还包括将焊球附接至所形成的导电区域中的期望导电区域，使得附接至所述第一集成电路的前侧上的所形成的导电区域的所述焊球中的一些焊球被电连接至所述第二集成电路的前侧上的所述焊盘。18.根据权利要求16所述的方法，还包括将无源元件附接至形成在所述第一集成电路上的所述导电区域中的期望导电区域，所述导电区域电连接至所述第二集成电路的前侧上的期望焊盘，以及在所述无源元件上形成模制层。19.根据权利要求16所述的方法，还包括在所述第一集成电路上形成模制层，在所述模制层的底侧上形成焊盘，以及在所述模制层中形成过孔，所述过孔将形成在所述第一集成电路上的所述导电区域中的期望导电区域电连接至形成在所述模制层的底侧上的所述焊盘，所述导电区域电连接至所述第一集成电路的前侧上的焊盘。20.根据权利要求16所述的方法，还包括使用焊球将芯片附接至形成在所述第一集成电路上的所述导电区域中的期望导电区域，使得所述芯片的焊盘面向那些导电区域中的期望导电区域，以及在所述芯片上形成模制层。

技术总结
本公开涉及低成本晶片级封装件和硅。本文描述了一种从晶片形成晶片级封装的方法。该方法包括将晶片内的第一集成电路的前侧粘性地附接至第二集成电路的后侧，使得暴露第一集成电路的前侧上的焊盘和第二集成电路的前侧上的焊盘。该方法还包括在第一集成电路和第二集成电路的前侧上以及在第二集成电路的边缘上形成激光直接结构化(LDS)可活化层，以及在LDS可活化层内形成结构化区域的期望图案。该方法另外包括对结构化区域的期望图案进行金属化以在LDS可活化层内形成导电区域。以在LDS可活化层内形成导电区域。以在LDS可活化层内形成导电区域。


技术研发人员：栾竟恩
受保护的技术使用者：意法半导体有限公司
技术研发日：2022.07.26
技术公布日：2023/2/6